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[전자공학응용실험]11주차_7차실험_실험 18 증폭기의 주파수 응답 특성_결과레포트_A+2025.01.291. 증폭기의 주파수 응답 특성 이번 실험에서는 증폭기의 주파수 응답 특성을 확인하기 위한 실험이었습니다. 실험 결과 1kHz에서 최대 전압 이득을 찾았고, 주파수를 1kHz에서 1MHz로 증가시키면서 전압 이득을 확인하여 3dB 주파수를 측정하였습니다. 계산값과 측정값의 차이는 소자 특성의 차이와 저항 오차 때문인 것으로 분석되었습니다. 또한 3dB 주파수를 증가시키기 위해서는 이득을 줄이는 것이 필요하다는 것을 알 수 있었습니다. 1. 증폭기의 주파수 응답 특성 증폭기의 주파수 응답 특성은 증폭기가 입력 신호의 주파수에 따라 어...2025.01.29
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증폭기의 주파수 특성2025.04.261. 이미터 접지 증폭 회로 이미터 접지 증폭 회로 실험을 통해 주파수 특성에 대해 알게 되었다. 실험 결과, 이론과 달리 실제 증폭기의 이득은 회로를 구성하는 결합 커패시터와 부하 커패시터, 그리고 트랜지스터 내부의 기생 정전용량 성분에 영향을 받는다. 또한 이득은 신호의 주파수에 따라 출력이 달라지며, 그 범위는 저주파, 중간주파, 고주파의 세 영역으로 주파수 범위에 따라 구분할 수 있다. 2. 주파수 특성 실험 이미터 접지 증폭기의 주파수 특성 실험을 통해 주파수 응답에 대해 알게 되었다. 주파수 응답은 진폭이 일정한 다양한 ...2025.04.26
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전자회로설계실습 예비보고서 92025.01.041. 피드백 증폭기 이 보고서의 목적은 피드백을 이용한 증폭기의 동작을 이해하는 것입니다. 구체적으로 Series-Shunt 구조의 피드백 증폭기와 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험하는 것입니다. Series-Shunt 피드백 회로는 입력이 전압이고 출력도 전압인 구조이며, Series-Series 피드백 회로는 입력이 전압이고 출력은 전류인 구조입니다. 이를 통해 피드백 증폭기의 동작 원리를 이해할 수 있습니다. 1. 피드백 증폭기 피드백 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 요소입니다. 이 장치는...2025.01.04
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MOSFET 증폭기 회로 예비보고서2025.01.021. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다. n 채널 MOSFET의 구조와 동작 원리, 동작 영역에 따른 드레인 전류 특성, 소스 공통 증폭기의 구조와 특성 등을 설명하고 있다. 실험을 통해 MOSFET의 특성과 소스 공통 증폭기의 동작을 확인하고자 한다. 1. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 증폭기 회로는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. MOS...2025.01.02
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실험 25. CE 증폭기와 주파수 응답 예비결과보고서2025.01.021. 보데 선도(Bode plot) 보데 선도는 가로축에 각주파수의 대수 log10를 취하고, 세로축에 이득와 위상차를 취하여 전압이득과 주파수의 관계를 그린 것입니다. 이를 통해 전압 증폭기의 주파수 응답 특성을 확인할 수 있습니다. 2. 저주파 증폭기 응답 저주파 영역에서는 DC 차단(AC 결합)과 바이패스 동작을 위해서 커패시터가 하위 차단(하위 3dB) 주파수에 영향을 미칩니다. 공통 이미터 증폭기 회로의 AC 등가회로를 통해 입력 커패시터, 바이패스 커패시터, 부하 커패시터 부분의 주파수 응답을 계산할 수 있습니다. 1. ...2025.01.02
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공통 소오스 증폭기 실험 결과 보고서2025.01.021. 공통 소오스 증폭기 이번 실험에서는 공통 소오스 증폭기 회로를 구현하고 실험을 진행했습니다. 실험 과정에서 이상과 현실의 차이, 장비의 한계 등으로 인해 교재의 실험 절차와 다른 방식으로 실험을 진행했습니다. 입력 전압을 변화시키면서 출력 전압을 측정하여 전압 이득을 계산했고, 입출력 임피던스도 구했습니다. 실험 결과, 약 10.6배의 전압 이득이 발생했으며, 입출력 임피던스 계산 시 약 20%의 오차가 발생했습니다. 이는 AC 전압 인가 시 전류 측정의 어려움 때문인 것으로 보입니다. 또한 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스...2025.01.02
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실험 09_MOSFET 기본 특성 결과보고서2025.04.281. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있습니다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있습니다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하였습니다. 2. NMOS와 PMOS의 문턱 전압 차이 NMOS의 ...2025.04.28
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전자회로설계 및 실습7_설계 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성_결과보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이번 실습에서는 이전에 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성과 커패시터들의 영향을 측정하고 평가하였습니다. 실험 결과, 전압 및 전류 측정에서 평균 2.5% 이하의 오차를 얻을 수 있었고, 1MHz 이하의 주파수 대역에서는 실험 결과와 시뮬레이션 값의 차이가 작았습니다. 하지만 1MHz 이상의 고주파 대역에서는 오차가 크게 나타났습니다. 이는 가변 저항 값의 오차와 입력 전압이 작아 오실로스코프에서 정확한 측정이...2025.01.22
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BJT 기본 특성 결과보고서2025.04.281. BJT 동작점 및 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. BJT 전류-전압 특성 이 실험에서는 BJT의 기본 동작 원리를 파악하고, 전류-전압 특성을 실험을 통하여 파악하였다. BJT의 네 가지 동작 영역...2025.04.28
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전자회로설계실습 예비보고서 112025.01.041. Push-Pull 증폭기 이 실험의 목적은 RL = 100 Ω, Rbias = 1 kΩ, VCC = 12 V인 경우 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험하는 것입니다. 실험을 통해 Push-Pull 증폭기의 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명합니다. 1. Push-Pull 증폭기 Push-Pull 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역...2025.01.04
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