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전자회로설계실습 실습 11 결과보고서2025.01.041. Push-Pull 증폭기 본 설계 실습에서는 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover Distortion 현상을 파악하고 이를 amplifier을 이용하여 제거하는 실험을 하였다. 실험결과 4.1에서 구성한 Push-Pull amplifier에서는 dead zone이 BJT 구동 전압인 |Vbe|보다 작아 발생하지 않았음을 확인하였다. 2. 오실로스코프 활용 실습3.1에서 시뮬레이션으로 입·출력 transfer characteristic curve을 쉽게 확인할 수 있지만, 실제 실험에서...2025.01.04
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서72025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가한다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 파형, 전압, 전류, 이득 등을 분석하고 주파수 특성 그래프를 작성한다. 또한 저항 및 커패시터 값 변화에 따른 주파수 특성의 변화를 확인한다. 1. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 Common Emitter Amplifier는 가장 널리 사용되는 트랜지스터...2025.01.11
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소오스 팔로워 실험 결과 보고서2025.01.021. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 전압 이득이 1에 가까운 버퍼 증폭기로 사용됩니다. 이는 입력 임피던스에 비해 매우 낮은 출력 임피던스를 가지고 있어, 신호 전달 시 손실이 거의 발생하지 않아 버퍼 이득이 크다는 장점이 있습니다. 또한 소자의 개수를 줄일 수 있어 비용 절감 효과도 있습니다. 이러한 장점들로 인해 소오스 팔로워가 전압 증폭기로 사용됩니다. 1. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하고 부하에 대한 영향을 최소화하여 출력 ...2025.01.02
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로(실험회로 1)는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 18 증폭기의 주파수 응답 특성)2025.01.291. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭(bandwidth)의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 전압 이득이 유지되는 주파수 범위를 나타낸다. 실험을 통해 이득 대역폭 곱의 관계를 이해하고자 한다. 2. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가 모델 실험 회로를 소신호 등가 모델을 사용하여 표현하고, 입력단에서 바라본 입력 저항...2025.01.29
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전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 실험회로 1에서 VGG값이 4V, RD는 4kΩ으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 RS, R1,...2025.01.15
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중앙대학교 전자회로설계실습 7주차 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.121. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 보고서는 중앙대학교 전자회로설계실습 7주차에 진행된 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성에 대한 내용을 다루고 있습니다. 보고서에는 PSPICE 시뮬레이션을 통해 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석한 결과가 제시되어 있습니다. 구체적으로 입력 신호 주파수 변화에 따른 출력 전압의 최대값, 최소값, 전압 이득 등의 변화를 확인하였고, RE 및 CE 커패시터 값 변화에 따른 주파수 응답 특성의 변화도 분석하였습니다. ...2025.01.12
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 11 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 회로 공통 소오스 증폭기 회로에서 입력(v_t)은 게이트-소오스 전압(V_GS)이고, 출력(v_o)은 드레인-소오스 전압(V_DS)이다. 게이트-소오스 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 드레인에 흐르고, 이 전류가 출력 쪽의 저항 R_D에 의해 전압으로 변환되면서 전압을 증폭시킨다. 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스 증폭기 회로에서 R_1, R_2, R_S는 게이트에 적절한 바이어스 전압을 제공해 MOSFET이 활성 영역(포화 영역)에서 동작하도록 한다. 2. 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성...2025.01.29
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공통 게이트 증폭기 실험 예비보고서2025.01.021. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 실험을 통해 MOSFET의 동작 특성과 증폭기 회로의 특성을 분석하였습니다. 실험 절차에 따라 입력 전압, 출력 전압, 전류 등을 측정하고 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하였습니다. 또한 트랜스 컨덕턴스, 출력 저항 등을 구하여 소신호 등가회로를 작성하고 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 마지막으로 입력 전압과 출력 전압의 크기를 측정하여 전압 이득을 구하고, 입력 및 출력 파형을 확인하였습니다. 1. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 전자 회로 설계에서 중요한 역...2025.01.02
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서강대학교 22년도 전자회로실험 10주차 결과레포트2025.01.131. MOSFET 소스 팔로워 소스 팔로어의 이론적인 전압이득은 1/gm이 작은 값이기에, 거의 1에 가까운 이득을 보인다. 바이어스가 포함된 소스 팔로어의 경우도, 소신호 등가회로를 이용해 전압이득을 계산할 수 있다. 실험 결과, 소스 팔로어의 전압이득을 측정해본 결과, 0.93이 나왔고, 이론값과 3.9%의 오차만 있어 소스 팔로어로서 잘 동작하고 있다고 할 수 있다. 2. 1단 증폭기 1단 증폭기는 등가회로로 생각할 수 있고, 이때 전압이득은 쉽게 구할 수 있다. 실험 결과, 1단 증폭기의 전압이득은 이론값 3.955와 측정값...2025.01.13
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