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[전자공학응용실험]10주차_6차실험_실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기_결과레포트_A+2025.01.291. 전압 이득 계산 PSpice 계산값에서는 VDD 에 5V 를 인가하였으며, pMOS 소자를 다른 것을 사용하였으므로 DC bias 값이 다르게 나와 전압 이득이 다르게 나오게 되었다. 2. 출력 전압 왜곡 출력 전압의 크기가 크게 되면 Bias point 내에서 swing 하는 것이 아닌 bias point 를 벗어나 swing 하게 되어 출력 파형이 잘리게 되는 clamping 현상이 발생하여 왜곡이 일어나게 된다. 1. 전압 이득 계산 전압 이득 계산은 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니다. 전압 이득은 입력 전압과 ...2025.01.29
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전자회로설계실습 11차 예비보고서2025.05.101. Push-Pull Amplifier Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험하였습니다. 회로 시뮬레이션을 통해 Dead zone이 발생하는 이유와 이로 인한 Crossover distortion 현상을 확인하였습니다. 또한 OP amp를 이용한 negative feedback 회로를 구성하여 Dead zone을 제거하고 Crossover distortion을 개선할 수 있음을 확인하였습니다. 마지막으로 Push-Pull...2025.05.10
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Push-Pull Amplifier 설계2025.05.101. Classic Push-Pull Amplifier 특성 Push-Pull 증폭기는 NPN, PNP 2개의 BJT로 구성되어 Dead zone이라는 구간이 발생한다. 입력전압 -Vbe 인 경우 두 BJT 모두 꺼진 상태로 동작하여 출력전압은 입력 전압에 상관없이 0이 되기 때문이다. 2. Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pull Amplifier 특성 Push-Pull amplifier 출력단자를 OP-Amp (-)입력단자로 feedback시킨 것만으로 입출력 관계 전달특성곡선의 dead zone이 제거...2025.05.10
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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[전자회로실험] 반전 및 비반전 증폭기 결과 보고서2025.05.101. 반전 증폭기 실험 5.1.1)의 측정 결과로부터 vo와 vi사이에 180도 위상차가 있는지 확인하고, 측정한 vo값과 준비 3.1.1)에서 계산한 vo값을 비교하였다. 또한, 실험 5.1.1)에서 도시한 결과와 준비 3.1.1)에서 도시한 결과를 비교하였다. 실험 5.1.1)의 결과로 반전 증폭기로서 오실로스코프에 180의 위상차가 있는지 확인되었고 계산 값 또한 약간의 오차가 있었지만 동일하였다. 2. 비반전 증폭기 실험 5.2.1)의 측정 결과로부터 vo와 vi사이에 위상차가 없다는 것을 확인하고, 측정한 vo값과 준비 3...2025.05.10
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실험 12_소오스 팔로워 예비 보고서2025.04.271. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 입력 신호가 게이트에 인가되고 출력 신호가 소오스에서 감지되는 공통 드레인 증폭기이다. 출력 신호가 입력 신호를 따라가기 때문에 '소오스 팔로워'라고 불린다. 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작아 작은 부하를 구동하는데 유리하고 전압 버퍼로 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워 회로의 동작 원리와 특성을 확인하였다. 2. 소오스 팔로워의 전압 이득 소오스 팔로워의 전압 이득은 1에 가까운 값을 가진다. 저항 부하와 전류원 부하가 있는 경우 각각 식 (12.1)과 (12.2)와 같이...2025.04.27
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 결과 보고서2025.04.281. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 구성 실험회로 1에서 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 R_S, R_1, R_2를 구하였다...2025.04.28
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET은 전자전기공학에서 중요한 소자로, 증폭 기능과 스위치 기능을 가지고 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 전기적 특성을 실험적으로 이해하고자 하였다. 실험 결과, source는 ground, Vds=5V로 고정하고 Vgs를 증가시키면서 drain current Id를 측정하였다. Vgs가 2.2V일 때 약 1mA의 전류가 측정되어 이를 threshold voltage Vth로 확인하였다. 측정값들을 Id-Vgs 특성곡선으로 나타내었고, Vgs가 증가함에 따라 Id도 증가하는 것을 확인하여...2025.04.30
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 11. Push-Pull Amplifier 설계2025.04.301. Push-Pull Amplifier 특성 설계실습 11. Push-Pull Amplifier 설계목적: RL=100Ω, Rbias=1kΩ, VCC=12V인 경우, Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험한다. 그림 1(a) 회로를 simulation 하여 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명한다. 그림 1(b) 회로를 simulation하여 입...2025.04.30
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전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기2025.04.301. A급 증폭기 A급 증폭기는 정해진 작동 영역 내에서 교류 파형 전체를 증폭해야 하므로 효율이 30%이하이다. 입력신호가 증가하면, 입력전력은 변함없고, 출력전력은 증가한다. A급 증폭기는 인가된 신호와 무관하게 전압원으로부터 동일한 전력을 끌어 쓴다. 입력전력은 다음 식으로부터 계산된다. 증폭기가 공급하는 신호전력은 다음 식으로 계산 할 수 있으며, 증폭기의 효율은 이다. 전력 효율이 낮은 이유는 입력전류에 무관하게 A급 증폭기는 항상 가 항상 흐르므로 전력소비가 커 효율이 떨어지게 된다. 출력신호가 주기의 360º 전체에 걸...2025.04.30
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