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증폭기의 주파수 특성2025.04.261. 이미터 접지 증폭 회로 이미터 접지 증폭 회로 실험을 통해 주파수 특성에 대해 알게 되었다. 실험 결과, 이론과 달리 실제 증폭기의 이득은 회로를 구성하는 결합 커패시터와 부하 커패시터, 그리고 트랜지스터 내부의 기생 정전용량 성분에 영향을 받는다. 또한 이득은 신호의 주파수에 따라 출력이 달라지며, 그 범위는 저주파, 중간주파, 고주파의 세 영역으로 주파수 범위에 따라 구분할 수 있다. 2. 주파수 특성 실험 이미터 접지 증폭기의 주파수 특성 실험을 통해 주파수 응답에 대해 알게 되었다. 주파수 응답은 진폭이 일정한 다양한 ...2025.04.26
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중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 결과보고서12025.05.141. Function generator 특성 및 voltage division 첫 번째 실험에서는 Function generator의 자체 특성과 voltage division에 의해 output resistance에 걸리는 전압이 어떻게 변하는지를 관측하였고, 정확하게 측정되었다. 2. Inverting amplifier 설계 및 특성 두 번째 실험에서는 inverting amplifier를 사용하였다. 예비보고서와 최대한 비슷하게 설계를 하였고, 센서의 내부저항을 고려하여 amplifier gain이 -10배가 되도록 설계하였다...2025.05.14
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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전자공학실험 18장 증폭기의 주파수 응답 특성 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과를 통해 증폭기의 대역폭 개념과 이득-대역폭 곱의 관계를 이해할 수 있었습니다. 측정 결과와 예상 결과 간의 차이는 장비 오차와 회로 손실 등으로 인한 것으로 분석되었습니다. 또한 3dB 주파수를 증가시키기 위해서는 전압 이득이 천천히 감소하고 midband 영역이 넓어야 한다는 것을 알 수 있었습니다. 1. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 기본적인 ...2025.01.15
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공통 게이트 증폭기 실험 결과 보고서2025.01.021. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 낮은 입력 저항으로 인해 매우 제한적인 응용을 갖게 된다. 때문에 공통 게이트 증폭기는 낮은 입력 임피던스를 높은 출력 임피던스로 증폭, 혹은 낮은 저항을 가지는 신호원에서 발생하는 고주파 신호를 증폭시키는 데 주로 사용된다. 전압 이득이 크지만 전압 증폭기로 널리 사용되지 않는 이유는 낮은 입력 임피던스 때문이다. 1. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 전자 회로 설계에서 중요한 역할을 합니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 기능을 수행합니다. 공통 게...2025.01.02
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 15 다단 증폭기)2025.01.291. 다단 증폭기 다단 증폭기는 여러 증폭 단을 직렬로 연결하여 신호를 순차적으로 증폭하는 방식으로, 각 증폭 단이 가진 장점을 결합해 더 높은 전압 이득과 신호 증폭을 달성할 수 있다. 다단 증폭기의 주요 이론적 해석에는 전압 이득, 입출력 임피던스, 주파수 응답, 바이어스 설정, 잡음 및 왜곡 등이 포함된다. 다단 증폭기는 높은 전압 이득을 얻을 수 있지만, 주파수 응답 저하, 잡음 증폭, 왜곡 등의 문제가 발생할 수 있으므로 이러한 요소들을 고려하여 설계해야 한다. 2. 공통 소스 증폭기 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 ...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 14 캐스코드 증폭기)2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 입력단, 증폭단, 출력 특성으로 구성되어 있다. 입력단의 MOSFET M_1은 소스 팔로워 역할을 하며, 증폭단의 MOSFET M_2는 캐스코드 역할을 한다. 캐스코드 구조는 출력 저항을 크게 만들어 전압 이득을 향상시키며, 채널 길이 변조 효과를 최소화하여 넓은 대역폭에서 동작할 수 있다. 캐스코드 증폭기의 전압 이득은 대략적으로 A_v = g_m * R_D로 나타낼 수 있다. 2. 실험 절차 및 결과 실험에서는 V_GG 값을 변화시키며 출력 전압을 측정하였고, 트랜스컨덕턴스 g_m과 출력 ...2025.01.29
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[전자공학응용실험]3주차_1차실험_실험11 공통 소오스 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기의 동작 원리와 특성을 설명하고 있습니다. 입력 전압에 따른 MOSFET의 동작 영역(차단, 포화, 트라이오드)과 각 영역에서의 드레인 전류 및 출력 전압 특성을 수식으로 표현하고 있습니다. 또한 MOSFET의 소신호 등가회로를 이용하여 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하는 방법을 설명하고 있습니다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET을 선형적인 증폭기로 동작시키기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호 전압을 동시에 인가하는 방법을 설명하고 있습니다. 이를 통해 MOSFET의 소신호 ...2025.01.29
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BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
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