총 381개
-
직류회로 결과보고서2025.01.031. 직렬 회로의 합성 저항 실험 결과를 통해 직렬 회로에서의 합성 저항 공식 1/Req=1/R₁+1/R₂+···+1/R?이 정확하게 적용되는 것을 확인할 수 있었다. 측정값과 이론값의 오차율이 매우 작게 나타났으며, 이를 통해 직렬 회로에서의 합성 저항 공식이 어느 정도 정확하다고 볼 수 있다. 만약 정확히 적용되지 않는다면 그 이유는 전류센서와 전압센서의 교정 문제 또는 실험에 사용한 저항의 오차 때문일 것으로 추정된다. 2. 전류 센서와 전압 센서의 구조 및 원리 전류 센서는 회로의 전류량을 측정할 수 있으며, 홀 소자 방식,...2025.01.03
-
(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.301. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계 목적: N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계 및 측정하여, Current Mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 Vcc=VDD=10V, IREF=10mA인 전류원을 설계하고, PSPICE 시뮬레이션을 통해 전압, 전...2025.04.30
-
[A+보고서]전자회로실험-연산증폭기(op amp)2025.01.171. 연산 증폭기 연산 증폭기(operation amplifier)는 처음에는 이름대로 증폭과 가산, 감산, 미분, 적분 등의 연산을 수행하기 위해 만들어져 아날로그 컴퓨터에 이용되던 소자이다. 연산 증폭기가 하는 일은 두 입력 V_in1, V_in2의 '차이'를 '증폭'시켜 출력으로 내보내는 것이다. 이를 식으로 나타내면 V_out=A_o(V_in1-V_in2)이다. 여기서 A_0는 전압이득, 즉 전압 증폭도이며 이 연산 증폭기가 몇 배로 증폭을 하는지 나타낸 값이다. 기본적인 연산증폭기에 출력 신호의 일부를 다시 입력으로 넣어주...2025.01.17
-
트랜지스터 기초실험 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 동작 원리 실험을 통해 쌍극성 트랜지스터의 기본적인 동작 원리를 익히고, 트랜지스터 회로에서 부하선과 동작점의 개념을 이해하였다. 또한 트랜지스터의 특성곡선을 실험적으로 확인하였다. 2. 트랜지스터 특성곡선 실험 결과를 통해 트랜지스터의 특성곡선을 분석하여 동작 영역을 이해하고, 입력 전압과 출력 전압의 변화에 따른 트랜지스터의 동작 변화를 확인하였다. 3. 트랜지스터 동작점 실험에서 측정된 데이터를 통해 동작점에서의 전압과 전류의 상호 관계를 확인하고, 이를 토대로 트랜지스터가 올바르게 작동하는지를 파악하였다. 1...2025.01.20
-
전자공학실험 18장 증폭기의 주파수 응답 특성 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과를 통해 증폭기의 대역폭 개념과 이득-대역폭 곱의 관계를 이해할 수 있었습니다. 측정 결과와 예상 결과 간의 차이는 장비 오차와 회로 손실 등으로 인한 것으로 분석되었습니다. 또한 3dB 주파수를 증가시키기 위해서는 전압 이득이 천천히 감소하고 midband 영역이 넓어야 한다는 것을 알 수 있었습니다. 1. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 기본적인 ...2025.01.15
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서82025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 실습에서는 N-type MOSFET을 이용하여 특정 reference 전류가 흐를 수 있는 단일 current mirror와 cascode mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것이 목적입니다. 단일 current mirror 설계에서는 MOSFET의 특성을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하고, 이를 시뮬레이션으로 확인합니다. 또한 cascode current mirror 설계에서는 단일 current mirror...2025.01.11
-
에너지변환실험 A+레포트_정전압회로, 사이리스터 특성2025.01.131. 정전압회로 정전압회로는 입력전압, 출력 부하전류, 온도에 무관하게 일정한 직류 출력전압을 제공하는 회로입니다. 정전압 IC 7805를 이용하여 기본회로를 구성하고, 입력전압을 증가시키면서 출력전압의 변화를 관찰하였습니다. 발진이 발생하는 경우 입력단과 출력단에 전해콘덴서를 연결하여 출력파형을 안정화할 수 있었습니다. 또한 정전압 IC 응용회로를 구성하여 저항 R1과 R2의 값에 따른 출력전압 변화를 확인하였습니다. 2. 사이리스터 사이리스터는 pnpn 접합의 4층 구조 반도체 소자로, 게이트에 전류를 흘려주면 애노드와 캐소드 ...2025.01.13
-
전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_결과보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하였습니다. 회로를 구현하고 LED 구동 및 측정을 통해 전압, 전류, 소비전력 등을 분석하였습니다. BJT 회로에서는 약 15%의 오차가 발생했지만, MOSFET 회로에서는 오차가 더 작은 측정값을 얻을 수 있었습니다. 전반적으로 실습이 잘 진행되었다고 볼 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 BJT(Bipol...2025.01.22
-
전자회로설계 및 실습10_설계 실습10. Oscillator 설계_결과보고서2025.01.221. Op-Amp를 이용한 Oscillator 설계 본 실습에서는 Op-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계 및 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 신호 파형에 대해 학습하였습니다. 설계한 Oscillator 회로를 구현하고 파형을 측정하여 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교하였습니다. 또한 RC 값의 변화에 따른 Oscillator의 특성을 확인하였습니다. 측정 결과, 전압 임계값 VTH, VTL에서 약 10% 정도의 오차가 발생하였지만, 주기 T와 주파수 f 계산 시 오...2025.01.22
-
MOSFET 소자 특성 측정2025.05.141. MOSFET 특성 측정 실험을 통해 MOSFET의 Threshold voltage, k_n, g_m 등의 특성을 측정하였다. Threshold voltage는 2.0V와 2.1V 사이의 값을 가지는 것으로 확인되었고, k_n은 0.222A/V^2, g_m은 0.133S로 측정되었다. 또한 drain-source 전압에 따른 drain 전류의 변화를 관찰하여 triode 영역과 saturation 영역에서의 MOSFET 동작 특성을 확인하였다. 다만 전류 측정의 정확도 한계로 인해 k_n과 g_m 값에서 오차가 발생하였고, 출력...2025.05.14
8 / 39
