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에너지변환실험 A+레포트_555타이머2025.01.131. 555 타이머 IC 555 타이머 IC는 복잡한 회로를 구성하는 8핀 IC 칩으로, 주기적으로 신호를 계속 준다. 555 타이머를 사용하면 회로의 안전성을 높일 수 있다. 555 타이머의 내부 회로와 비안정 멀티바이브레이터 동작 특성을 이해할 수 있다. 2. 비안정 멀티바이브레이터 555 타이머를 이용한 비안정 멀티바이브레이터 회로에서 커패시터 전압 v_c에 따라 비교기 출력과 SR 플립플롭 출력이 결정된다. 커패시터 전압이 {V_cc}/3 미만일 때 SR 출력이 Low가 되어 트랜지스터가 차단되고 커패시터가 충전을 시작한다....2025.01.13
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7주차_결과2025.01.131. Full Wave Rectifier 실험1에서는 Full Wave Rectifier 회로를 구현하고 다양한 부하 조건에서의 출력 특성을 관찰하였습니다. 입력 신호가 모두 (+)로 정류되어 출력되는 것을 확인하였고, 부하에 커패시터를 연결할수록 DC 전압에 가까운 출력 파형을 얻을 수 있었습니다. 이론값과 실험값, 시뮬레이션 결과를 비교하여 오차 발생 원인을 분석하였습니다. 2. Buck Converter 실험2에서는 Buck Converter 회로를 구현하고 스위칭 주파수와 듀티 사이클 변화에 따른 출력 특성을 관찰하였습니다....2025.01.13
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홍익대학교 전자회로실험및설계 최종프로젝트 보고서2025.04.261. 전자회로 실험 및 설계 이번 프로젝트의 목적은 93의 전압이득(20log[Vout/vin] = 39.37)을 가지며, 가청주파수 대역(20Hz ~ 20kHz)에 속하는 Multi-Stage Amp를 설계하는 것이다. 설계 과정에서는 Common Emitter와 Common Collector 증폭기의 특성을 고려하여 Differential Pair Amp - Common Emitter Amp - Common Collector Amp의 3단 구조로 회로를 구성하였다. 각 단계의 전압이득을 계산하고 차단주파수를 조절하는 과정을 거쳐...2025.04.26
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홍익대학교 전자회로(2) 최종 프로젝트 보고서2025.04.261. 2-stage OP-Amp 설계 2-stage OP-Amp 회로를 설계하였으며, 모든 트랜지스터가 Saturation 영역에서 동작하도록 하였다. 또한 OP-Amp의 Small-Signal Gain이 50dB 이상, Gain*Bandwidth가 100MHz 이상, Phase Margin이 45도 이상이 되도록 설계하였다. 이를 위해 각 트랜지스터의 크기와 바이어스 전류를 조절하였으며, Compensation Capacitor를 추가하여 Phase Margin을 확보하였다. 2. Unity-gain Buffer 설계 Unity-...2025.04.26
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컴퓨터개론 ) 각 논리 연산자를 정리하고 이것이 컴퓨터에서 중요하게 쓰이는 이유가 무엇인지를 설명하시오.2025.04.281. 논리 연산자 논리 연산자의 종류에는 부정(NOT), 곱(AND), 합(OR)이 있으며, 이 연산자들을 2개 이상 동시에 사용한 연산자(NAND, NOR, XOR, XNOR)도 존재한다. 논리 연산자는 컴퓨터의 기본 구조가 디지털에 기반하며, 이 두 입력 값을 가지고 논리 연산을 하여야 출력 정보 생성이 가능하다는 점에서 컴퓨터를 이루는 근간이라 할 수 있다. 2. 컴퓨터의 정보처리 방식 컴퓨터는 모든 정보를 숫자 0과 1의 조합인 2진수 형태로 받아들이고 내보낸다. 이는 전자회로의 가장 기본적인 원리인 전기가 흐르는 상태(ON...2025.04.28
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비6. Common Emitter Amplifier 설계 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자회로설계실습 과정에서 작성된 예비 6번째 실습 보고서입니다. 이 보고서에서는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 이론적 계산을 통한 회로 설계, PSPICE 시뮬레이션 결과 분석, 실제 측정 및 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭...2025.01.27
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전자회로 다이오드 응용회로 실험보고서2025.05.091. 다이오드 다이오드란, p형 반도체와 n형 반도체를 접합시켜 각 반도체 영역에 금속성 접촉과 리드선이 연결된 소자로 한쪽 방향으로만 전류를 흘릴 수 있고 다른 방향으로는 전류를 차단하는 기능을 한다. 이러한 성질을 이용하여 input으로 들어간 교류를 직류로 변환하는 등의 정류회로를 구성하는 데 사용한다. 2. 반파정류회로 반파정류회로란, 양과 음 중 한 쪽 Vin만 출력시키는 회로이다. 그림1의 회로에서 Vout은 Vin이 VD,ON 을 초과할 때까지 0을 유지하는데, 이 점에서 D1은 켜지고 VOUT = Vin – VD,ON...2025.05.09
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아주대학교 A+전자회로실험 실험7 예비보고서2025.05.091. Class Amplifier Class A 증폭기는 입력 신호의 전체 위상(0~360DEG)을 모두 증폭할 수 있으며, 왜곡 없이 증폭되므로 선형성이 매우 잘 유지된다. 하지만 DC 전력소모가 커서 전력 효율이 낮다. Class B 증폭기는 각 트랜지스터가 입력의 50% 위상(180DEG)만 증폭하며, DC current path가 없으므로 전력 효율이 좋다. 하지만 출력 파형의 왜곡이 심하다. Class AB 증폭기는 Class B 증폭기의 crossover distortion을 막기 위해 무신호 시에도 약간의 bias를 걸...2025.05.09
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MOSFET의 발명에서 현재까지의 발전단계2025.05.101. MOSFET의 정의 MOSFET은 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor의 약자로, 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터이다. MOSFET은 엔모스펫, 피모스펫, 씨모스펫 3가지로 분류할 수 있으며, 특히 CMOS는 전력 소모가 매우 적어 컴퓨터의 중앙처리 장치와 같은 로직 소자나 메모리 소자에 널리 사용되고 있다. 2. MOSFET의 구조 MOSFET은 드레인, 소스, 게이트, 바디로 구성되어 있으며, P형 반도체 기판 위에 N형 반도체 2개를 연...2025.05.10
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서강대학교 고급전자회로실험 4주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. 전압분배 회로 실험회로1은 간단한 전압분배 회로로 해석할 수 있다. 직렬 R1C1와 병렬 R2C2에 의해, 전압의 gain은 f < 20kHz일 때는 주파수가 증가함에 따라 같이 증가하다가, 그 이후에는 감소하게 된다. myDAQ의 bode analyzer로 주파수 특성을 측정한 결과, 10Hz < f < 20kHz의 입력 신호에 대해서는 gain이 -50dB에서 -10dB까지 증가하는 모습을 보였다. 이는 PSpice 시뮬레이션의 결과와 경향성이 같다. 100Hz와 20kHz의 입력 신호에 대해서, gain값 또한 각각 -3...2025.01.21
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