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전자회로설계실습 4차 결과보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로설계실습의 4차 실험 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 것입니다. 실험에서는 MOSFET 회로를 제작하고 전압과 전류를 측정하여 iD-vGS 및 iD-vDS 특성곡선을 구하였습니다. 측정 결과를 통해 MOSFET의 문턱전압, 트랜스컨덕턴스, 출력저항 등의 특성을 확인하였습니다. 실험 과정에서 측정 장비의 문제로 인한 오차가 발생하였지만, 전반적인 MOSFET 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFE...2025.05.10
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[A+] 전자회로설계실습 8차 결과보고서2025.05.101. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 단일 Current Mirror를 직접 설계한 뒤에 DMM을 사용하여 설계한 회로의 전압, 전류, 저항 등을 측정 및 기록하였다. 단일 Current Mirror의 전류 오차는 0.6%였고, 10mA에 근접하여 저항 값을 조절하지 않아도 되었다. 측정한 결과를 통해 단일 Current Mirror의 출력 저항을 계산할 수 있었다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 Cascode Current Mirror를 직접 설계...2025.05.10
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전자회로 설계실습2 A+ 레포트 에리카2025.01.231. Voltage Regulator 설계 Voltage Regulator 설계에 대한 내용입니다. 기초 Voltage Regulator 설계, Error amplifier, Pass transistor, PMOS-type Voltage Regulator 구조 등을 다루고 있습니다. 목표 스펙으로 VIN = 5V, Vout = 3V, Vref = 1.5V, Load Current = 1mA, Cout = 1uF, Bias Current 10uA 등을 제시하고 있습니다. 전자회로 교과서의 기본 differential amp를 erro...2025.01.23
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 3. Voltage Regulator 설계2025.04.291. 전파정류회로 전파정류회로는 브리지 방식 정류회로로, 다이오드로 인한 전압강하가 2번 발생합니다. 따라서 부하저항 Rl의 2배를 사용하여 식을 변형하였습니다. 전파정류회로의 방전 주기는 반주기(T/2)이므로, 교재의 반파정류회로 수식을 변형하여 사용하였습니다. 2. 직류전압 공급기 설계 문제에서 제시된 조건을 만족시키기 위해 입력전원의 크기와 주파수, 커패시터의 크기를 계산하였습니다. 입력전원은 진폭 5.632V, 주파수 4.889kHz 이상의 정현파를 사용하고, 커패시터는 0.1uF을 사용하면 문제의 조건을 모두 만족시킬 수 ...2025.04.29
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서 2. Switching Mode Power Supply (SMPS)2025.04.291. SMPS(Switching Mode Power Supply) SMPS는 반도체 스위치 소자의 on-off 시간을 조절하여 출력을 안정화시킨 직류 안정화 전원 장치입니다. 고효율, 소형 및 경량화가 가능하여 다수의 전자기기 및 장비 등에 사용되는 중요한 장치입니다. DC-DC 컨버터에 있어 부품의 기생 요소에 의해 출력전압의 저하가 발생하면 안정화 전원으로서의 응용이 곤란하므로 PWM 방식을 채택한 제어 회로를 이용하여 출력전압을 안정화시켜줍니다. 2. PWM 제어 회로 PWM 제어 회로를 구성하여 톱니 파형과 출력 파형을 확인...2025.04.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 3. Voltage Regulator 설계2025.04.301. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC Power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 전파정류회로에서는 양의 주기와 음의 주기 모두에서 2개의 다이오드가 동작하여 전압 분배가 발생한다. 따라서 입력 전압에서 다이오드 2개의 전압만큼 빼준 값이 부하에 출력되는 전압이 된다. 2. 리플 전압 전파정류회로에서 발생하는 리플 전압은 입력 주파수와 평활 커패시터 값에 따라 결정된다. 설계에서는 리플 전압이 0.9V 이하가 되도록 커패시터 값을 10uF로 설계하였다....2025.04.30
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중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정값과 데이터시트 값 비교, 포화 영역에서의 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 중 하나입니다. MOSF...2025.05.10
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서102025.01.121. Oscillator 회로 설계 및 측정 전자회로설계실습 결과보고서에서는 Op-Amp를 이용한 Oscillator 회로를 설계하고 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형을 학습하는 실습을 진행하였습니다. 대부분의 실험에서 오차는 10% 내외로 발생하였으므로 비교적 정확한 실험을 진행한 것으로 볼 수 있습니다. 오차의 원인으로는 가변저항 R의 값을 조정하는 과정에서 손으로 직접 맞춰야했기 때문에 오차가 발생했을 것이고 측정기기 내의 내부 저항들로 인해 작은...2025.01.12
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