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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 결과보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET의 스위치 기능을 이용하여 LED를 on/off시키는 회로를 설계하고 구현하였다. BJT의 경우 emitter에 LED를 연결하거나 inverter 회로를 구성하여 입력 전압에 따라 LED가 켜지고 꺼지는 것을 확인하였다. MOSFET의 경우 triode 영역에서 동작하도록 설계하여 LED를 구동하였고, MOSFET의 커패시터 특성을 이용한 실험도 진행하였다. 실험 결과 이론값과 실측값 사이에 최대 36%의 오차가 발생하였는데, 이는 소자의 특...2025.05.14
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전자회로 설계 및 실습 결과보고서: MOSFET Current Mirror 설계2025.05.141. Current Mirror Current Mirror는 트랜지스터를 전류원으로 이용하여 같은 크기의 전류를 계속해서 만들어내는 회로입니다. 이번 실험에서는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 그 특성을 확인하였습니다. 2. 단일 Current Mirror 첫 번째 실험에서는 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정하였습니다. 실험 결과 MOSFET을 이용해 회로를 설계하면 동일한 전류(Io)가 흐르는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 ΔVo ≡ Io·ΔRo...2025.05.14
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서2 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. Op Amp의 특성측정 방법 Op Amp의 offset 전압과 slew rate를 측정하는 회로를 설계, 구현, 측정, 평가하였습니다. Offset voltage 측정 방법으로 이상적인 Op-Amp를 사용하여 100 Hz에서 Gain이 100 (V/V), 1000 (V/V)인 Inverting Amplifier를 설계하고, 유한한 크기의 open loop gain을 고려하여 이득을 구하는 수식을 제출하였습니다. 또한 Non-inverting amplifier의 gain을 이용하여 offset voltage를 측정하는 방법을 기...2025.05.14
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 예비보고서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하고 그 동작을 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 구체적으로 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고, MOSFET 2N7000을 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 각 회로의 동작 원리와 설계 과정, 측정 결과 등이 자세히 기술되어 있습니다. 1. BJ...2025.05.14
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분압기(Voltage Divider) 설계 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. 분압기 설계 이 보고서는 출력전압이 12V로 고정되어 있는 DC power supply를 이용하여 정격전압이 3V±10%, 정격전류가 3mA±10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 부하 효과를 고려하지 않은 잘못된 설계와 부하를 고려한 현실적인 설계를 비교하고 있으며, 등가 부하를 고려하여 설계 목표를 만족하는 분압기 회로를 제시하고 있습니다. 1. 분압기 설계 분압기는 전기 회로에서 중요한 역할을 합니다. 입력 전압을 원하는 출력 전압으로 변환하여 다양한 전자 ...2025.04.25
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신호 발생기 설계 실습2025.04.251. Wien bridge 회로 Wien bridge 회로에서 V+와 V-의 관계식을 구하고, 이를 이용하여 1.63kHz에서 발진하는 Wien bridge 회로를 설계하였습니다. 이를 통해 Wien bridge 회로의 Op-amp에 대한 두 입력이 virtual short 되어 있음을 확인할 수 있었습니다. 2. 발진 조건 만족 발진 조건을 만족하는 R1, R2 값을 구하고, Wien bridge oscillator를 설계하였습니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 1.48kHz의 발진 주파수를 확인하였고, 이는 목표 주파수 1.6...2025.04.25
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전자회로설계실습 4번 예비보고서2025.01.201. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET의 문턱전압(VT), 전류계수(kn), 전압이득(gm) 등의 파라미터를 데이터시트와 시뮬레이션을 통해 구하고 비교하는 것입니다. 또한 MOSFET 회로를 구성하고 시뮬레이션을 수행하여 입출력 특성을 분석하는 내용도 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Se...2025.01.20
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전자회로설계실습 9번 결과보고서2025.01.201. 피드백 증폭기 피드백 증폭기란 출력의 일부를 입력 측으로 피드백하여 그 특성을 개선하는 증폭기이다. 일반적으로 Negative 피드백이 널리 쓰이고, Negative 피드백을 걸어줌으로써 증폭도는 다소 작아지지만 주파수 특성을 개선하고 파형의 일그러짐이나 잡음을 감소시키고, 안정한 동작을 시킬 수 있다는 장점이 있다. 따라서 피드백 증폭기는 전자공학에서 중요하게 쓰이고 이에 대한 특성을 아는 것이 중요하다. 2. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기에서 부하저항에만 변화를 주었을 때와 전원...2025.01.20
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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