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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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A+ 전자회로설계실습_Voltage Regulator 설계2025.01.211. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 전파정류회로는 입력 주파수의 1/2배인 출력 주파수를 가지며, 이를 이용하여 출력 전압의 리플 전압을 최소화하도록 설계합니다. 2. 전원 설계 5 KΩ의 부하(RL)에 걸리는 직류전압의 최대치(Vp)가 4.4 V이며, 리플(Vr)이 0.9 V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터(C)의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0.7 KΩ으...2025.01.21
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전자회로설계 및 실습1_설계 실습1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계_결과보고서2025.01.221. 센서 출력 신호 증폭 본 실험에서는 출력저항이 큰 센서의 출력신호를 증폭하기 위해 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하였다. 센서 출력 신호를 10 kΩ 저항과 Function Generator를 이용하여 구현하고, 오실로스코프로 측정한 결과 예상과 다른 출력 전압이 나왔다. 이는 실제 저항값과 이론값의 차이로 인한 것으로 분석되었다. Inverting Amplifier와 Non-inverting Amplifier를 설계하고 측정한 결과, 저항값 차이로 인...2025.01.22
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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_예비보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에는 BJT 기반 LED 구동 회로 설계, MOSFET 기반 LED 구동 회로 설계, 구동 회로 측정 방법 등이 자세히 설명되어 있습니다. 2. BJT 기반 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531...2025.01.22
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전자회로설계 및 실습6_설계 실습6. Common Emitter Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig = 1 Ω, RL = 2 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β = 100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(Av)이 -100 V/V인 emitter 저항사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain Gv 식을 사용하여 RC를 결정하고, Rin, IC, IB, IE, VC, VE, VB, RE, ...2025.01.22
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전자회로설계 및 실습9_설계 실습9. 피드백 증폭기_결과보고서2025.01.221. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 0V에서 6V까지 0.1V씩 증가시키며 출력전압의 변화를 확인하였다. 입력저항 1kΩ, 부하저항 RL에 대해 평균 4.52%의 오차로 출력전압을 측정하였다. 입력저항 10kΩ, 부하저항 RL에 대해서는 평균 3.13%의 오차로 출력전압을 측정하였다. 전원전압을 12V에서 8V로 변경하고 입력전압을 0V에서 4V까지 증가시키며 평균 5%의 오차로 출력전압을 측정하였다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-S...2025.01.22
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분압기(Voltage Divider) 설계 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. 분압기 설계 이 보고서는 출력전압이 12V로 고정되어 있는 DC power supply를 이용하여 정격전압이 3V±10%, 정격전류가 3mA±10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 부하 효과를 고려하지 않은 잘못된 설계와 부하를 고려한 현실적인 설계를 비교하고 있으며, 등가 부하를 고려하여 설계 목표를 만족하는 분압기 회로를 제시하고 있습니다. 1. 분압기 설계 분압기는 전기 회로에서 중요한 역할을 합니다. 입력 전압을 원하는 출력 전압으로 변환하여 다양한 전자 ...2025.04.25
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공진회로(Resonant Circuit)와 대역여파기 설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. 공진회로(Resonant Circuit) 전자전기 장비에서 많이 사용되는 RLC 공진 회로를 이용하여 Bandpass filter, Bandstop filter를 설계하였다. bandpass filter의 Q-factor가 1, 10일 때 각각 공진주파수, 반전력 주파수, 대역폭, Q-factor의 이론치와 실험치를 비교하였다. 또한 bandstop filter를 구성하고 Q-factor가 1일 때 공진주파수, 반전력 주파수, 대역폭, Q-factor의 이론치와 실험치를 비교하였다. 두 과정에서 오차를 구해 얼마나 실험이 잘 ...2025.04.25
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LPF와 HPF 설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. LPF 설계 RC 직렬 LPF 회로를 설계하고, 주파수 10kHz, Vpp 1V인 사인파를 인가하여 입력전압, 출력전압, 저항전압의 파형을 측정하였다. 이론값과 실험값의 오차율을 계산하고, 오차 발생 이유를 분석하였다. 또한 입력 주파수를 100kHz까지 변화시켜가며 LPF 출력전압의 최대값을 측정하여 linear-log 그래프로 나타내었다. 2. HPF 설계 RL 직렬 HPF 회로를 설계하고, 주파수 10kHz, Vpp 1V인 사인파를 인가하여 입력전압, 출력전압, 저항전압의 파형을 측정하였다. 이론값과 실험값의 오차율을 계...2025.04.25