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전자회로설계 및 실습1_설계 실습1. OP Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호가 주파수 2kHz의 정현파이고 peak to peak 전압이 200mV인 것을 확인했다. 센서의 부하로 10KΩ 저항을 연결했을 때 peak to peak 전압이 100mV로 감소했다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Function generator와 저항으로 이를 구현할 수 있다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계했다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결...2025.01.22
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전자회로설계실습 3번 예비보고서2025.01.201. 전자회로설계실습 전자회로설계실습 과정에서 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다룹니다. 이를 위해 필요한 실습준비물과 설계실습 계획서를 포함하고 있습니다. 2. 전파정류회로 전파정류회로는 교류전원을 직류전압으로 변환하는 회로입니다. 이 보고서에서는 Bridge 방식 전파정류회로에 커패시터와 부하저항을 병렬로 연결한 회로를 설계하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 전압강하, 리플 전압 등의 특성을 계산하고 PSPI...2025.01.20
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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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[A+]전자회로설계실습 실습 3 결과보고서2025.01.101. 브릿지 전파정류회로 4개의 다이오드를 사용하는 브릿지 전파정류회로를 설계하고 제작하였다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하는 실험을 제외하고 실험의 측정값들이 수식으로 구한 이론값들과 큰 오차를 보이지 않고 설계와 일관된 결과를 얻었지만 5KΩ의 저항을 사용했을 때보다 20KΩ의 저항의 사용했을 때 오차가 소폭 상승하였다. 2. 전압 파형 측정 Function Generator를 10Vpp, 40kHz로 설정하고 회로를 연결하여 A와 B점 사이의 전압 파형을 측정해 보았지만 원하던 결과를 얻을 수 없었다. 이는 회로의 GND와 ...2025.01.10
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전자회로설계 및 실습10_설계 실습10. Oscillator 설계_예비보고서2025.01.221. Op-Amp을 이용한 Oscillator 설계 및 측정 Op-Amp을 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계 및 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 학습한다. 2. Oscillator 설계 및 시뮬레이션 주어진 조건에 따라 Oscillator를 OrCAD PSPICE를 사용하여 설계하고, 설계한 Oscillator의 파형 및 주요 특성 값을 시뮬레이션을 통해 확인한다. 3. Feedback factor(β)의 영향 분석 Feedba...2025.01.22
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 9_피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)2025.01.111. Series-Shunt 피드백 회로 설계 PSPICE schematic을 그리고 입력 전압원의 값을 0V에서 +6V까지 0.1V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 입력저항을 10kΩ, 부하저항을 100Ω으로 하고 같은 작업을 반복해서 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 두 경우의 transfer characteris...2025.01.11
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서82025.01.121. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였습니다. 설계한 대로 회로를 구현하고 전압을 측정하고 전류값을 계산한 결과 대부분 작은 오차를 보였습니다. 설계실습계획서에서 설계한 회로에 비해 실제로 구현한 회로에서는 channel length modulation에 의해 약간의 오차가 발생하는 것을 확인할 수 있었습니다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 Cascode Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였...2025.01.12
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서11_Push-Pull Amplifier 설계2025.01.111. Classic Push-Pull Amplifier 특성 결과보고서 11. Push-Pull Amplifier 설계에서 Classic Push-Pull Amplifier 회로를 구성하고 실험한 결과, 입력전압이 특정 전압보다 작으면 두 BJT가 모두 꺼져 출력전압이 0이 되는 Dead zone이 발생하여 출력파형에 Crossover distortion이 나타남을 확인하였다. 2. Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pull Amplifier 특성 Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pu...2025.01.11
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.111. BJT 구동 회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하려 한다. BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하기 위해서는 적절한 저항 값 R1, R2, RC를 설정해야 한다. 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R1, R2, RC를 구한다. LED가 ON될 때 회로의 총 소비전력도 계산한다. 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R3를 구하고, ...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 7_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과회로에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10uF으로 하고 CE 증폭기에 100㎑, 20mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하였다. 출력전압의 최대값은 152mV, 최솟값은 -137mV이다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 10㎒까지 변할 때 CE amplifier의 주파수 특성을 PSPICE로 simulation하여 그래프로 그렸다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 Unit gain frequency까지 변...2025.01.11
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