총 77개
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비3. Voltage Regulatior 설계 A+2025.01.271. Voltage Regulator 설계 이 프레젠테이션은 전자회로설계실습의 예비 3번째 실습인 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 사용된 수식과 계산 과정을 상세히 설명하고 있으며, PSPICE를 활용한 회로 분석 결과도 포함되어 있습니다. 주요 내용으로는 브리지 방식 정류회로의 동작 원리, 부하 전압 및 리플 전압 계산, 교류 입력 전원 크기 및 주파수 결정 등이 있습니다. 1. Voltage Regulator 설계 전압 레귤레이터 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니...2025.01.27
-
[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
-
중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
-
전자회로설계 및 실습3_설계 실습3. Voltage Regulator 설계_결과보고서2025.01.221. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하였다. 전해콘덴서를 미리 단락해서 방전시킨 후에 충전방향을 예상해서 극성에 맞게 연결하여 회로를 구성하였다. Function Generator에 20kHz의 주파수를 입력하여 출력된 값을 확인하였다. 2. 출력파형 부하에 걸리는 파형을 오실로스코프로 확인하여 DC coupling과 AC coupling을 사용한 파형을 제출하였다. 두 파형의 차이점을 기술하고 0V, Vp, Vr을...2025.01.22
-
중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서11_Push-Pull Amplifier 설계2025.01.111. Classic Push-Pull Amplifier 특성 결과보고서 11. Push-Pull Amplifier 설계에서 Classic Push-Pull Amplifier 회로를 구성하고 실험한 결과, 입력전압이 특정 전압보다 작으면 두 BJT가 모두 꺼져 출력전압이 0이 되는 Dead zone이 발생하여 출력파형에 Crossover distortion이 나타남을 확인하였다. 2. Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pull Amplifier 특성 Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pu...2025.01.11
-
중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
-
전자회로 설계실습2 A+ 레포트 에리카2025.01.231. Voltage Regulator 설계 Voltage Regulator 설계에 대한 내용입니다. 기초 Voltage Regulator 설계, Error amplifier, Pass transistor, PMOS-type Voltage Regulator 구조 등을 다루고 있습니다. 목표 스펙으로 VIN = 5V, Vout = 3V, Vref = 1.5V, Load Current = 1mA, Cout = 1uF, Bias Current 10uA 등을 제시하고 있습니다. 전자회로 교과서의 기본 differential amp를 erro...2025.01.23
-
중앙대 전자회로설계실습 결과보고서92025.01.121. Series-Shunt 피드백 증폭기 실습 4.1(A), (B)에서 Series-Shunt 피드백 증폭기의 입력저항을 1㏀로, 부하저항을 1㏀ 저항으로 제작하여 입력전압을 0V부터 6V까지 1V씩 증가시키며 출력전압을 측정한 후, 입력저항 10㏀, 부하저항 100Ω으로 교체하여 같은 방식으로 입력전압을 증가시키며 출력전압을 측정하고 두 측정값을 비교해 보았다. 두 실습의 출력전압을 비교해본 결과, 입력저항과 부하저항을 바꾸었을 때 gain과 출력전압의 차이가 아주 작았다. 이것을 통해, 식 × 에서 알 수 있듯...2025.01.12
-
중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 1_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.111. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200㎷이었고, 센서의 부하로 10㏀ 저항을 연결한 후 10㏀ 저항에 걸리는 전압을 측정하여 peak to peak 전압이 100㎷이었다. 이를 바탕으로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였다. 또한 Function generator와 저항으로 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 제시하였다. 2. Inverting ...2025.01.11
-
중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 7_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과회로에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10uF으로 하고 CE 증폭기에 100㎑, 20mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하였다. 출력전압의 최대값은 152mV, 최솟값은 -137mV이다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 10㎒까지 변할 때 CE amplifier의 주파수 특성을 PSPICE로 simulation하여 그래프로 그렸다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 Unit gain frequency까지 변...2025.01.11
3 / 8
