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중앙대 전기회로설계실습 10. RLC회로의 과도응답 및 정상상태응답2025.01.171. RLC 회로 RLC 회로는 저항(R), 인덕터(L), 커패시터(C)로 구성된 전기 회로입니다. 이 실습에서는 RLC 회로의 과도 응답과 정상 상태 응답을 이해하고 실험으로 확인하는 것이 목적입니다. 과도 응답은 회로에 입력이 가해졌을 때 일시적으로 나타나는 응답을 말하며, 정상 상태 응답은 입력이 지속되었을 때 안정화된 응답을 말합니다. 이를 통해 RLC 회로의 동작 특성을 이해할 수 있습니다. 1. RLC 회로 RLC 회로는 저항(R), 인덕터(L), 캐패시터(C)로 구성된 전기 회로입니다. 이 회로는 전기 신호의 주파수 특...2025.01.17
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서22025.01.171. PWM 제어회로 PWM 제어회로를 구성하고 톱니파형과 출력 파형을 확인하였다. PWM 제어회로는 출력 전압과 기준 전압을 비교하여 생긴 오차를 오차 증폭기로 증폭하고, 이 증폭된 전압은 비교기에서 톱니파와 비교되어 오차에 상응한 구형파 펄스를 생성한다. 오실로스코프를 통해 톱니파형과 이에 대한 구형파를 관찰할 수 있었다. 2. Buck Converter Buck Converter 회로를 구성하고 입력 전압을 변경하며 출력 전압을 확인하였다. 하지만 이상적인 출력 전압이 나오지 않았는데, 그 이유로는 가변저항 값의 부정확성, 소...2025.01.17
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[부산대 어드벤처 디자인] 2장 아날로그 입출력 예비보고서2025.01.121. 온도센서(LM35)의 원리 온도센서(LM35)는 주변 온도 변화에 따른 센서 내부 저항 값의 변화를 이용하여 온도를 측정합니다. 온도가 높을수록 저항 값이 커지며, 낮을수록 저항값이 작아집니다. 센서는 측정된 온도 값을 아날로그 데이터(전압)으로 출력합니다. LM35의 공급전압은 5V이며, 작동온도 범위는 -55℃ ~ +150℃입니다. 출력전압과 온도의 관계는 섭씨 1℃당 10mV의 전압을 선형적으로 출력합니다. 2. 아날로그 신호의 디지털 변환 Mega2560의 아날로그 핀에서는 연속한 아날로그 신호를 0 ~ 1023 범위의...2025.01.12
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전자공학실험 17장 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 정전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)가 있는 공통 소오스 증폭기(common source amplifier) 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 소신호 등가회로 공통 소오스 증폭기 회로의 저주파 대역에서의 전압 이득을 구하기 위해 소신호 등가회로를 그리면 전압 이득은 A_{V0} =-g_...2025.01.13
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유도기전력 측정 실험2025.01.141. 유도기전력 측정 실험을 통해 코일을 통과하는 자기선속의 변화가 코일에 유도기전력을 생성함을 확인하였고, 이를 통해 패러데이의 유도 법칙을 이해할 수 있었다. 실험 결과 표에서 오차가 들쑥날쑥한 사례가 있긴 하지만 전체적으로 오차가 10% 안쪽으로 나온 안정적인 실험이었다. 다만 실험 4에서 감은 수를 동일하게 하여 실험을 진행했다면 오차를 더 줄일 수 있었을 것으로 생각된다. 1. 유도기전력 측정 유도기전력 측정은 전자기 유도 현상을 이용하여 전압을 측정하는 방법입니다. 이는 전자기 유도 법칙에 따라 자기장의 변화에 의해 유도...2025.01.14
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. DMM의 내부 저항 측정 DMM의 내부 저항을 측정하는 방법을 설계하여 제출하라. 출력 전압이 5V가 되도록 DC Power Supply를 정확히 조정한 후 (+) 단자에만 22MΩ 저항을 연결하고 DMM으로 22MΩ 나머지 단자와 DC Power Supply의 (-) 단자 사이의 전압을 측정한다. 측정값을 V1이라고 하면, DMM의 내부 저항은 전압 분배 법칙에 의해 R_DMM = (22 * V1) / (5 - V1)Ω 이므로 이 수식을 풀어 R_DMM의 값을 구할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의...2025.04.25
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[전자공학응용실험] 차동증폭기 기초 실험-예비레포트2025.04.261. 차동 증폭기 기초 실험 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고 특성을 분석한다. 2. 능동 부하와 전류 거울 집적회로를 설계할 때 일정한 전류원이 가장 기본적인 요소가 되는데, 전류원이 필요한 곳마다 저항을 사용하여 회로를 설계하면 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정된다. 따라서 수동 부하 저항을 사용하여 집적회로를 설계하기보다는 능동 부하 회로를 이용하는 것이 좋다...2025.04.26
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Semiconductor Device and Design - 32025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 게르마늄보다 밴드갭이 크고(1.12eV vs 0.66eV), 최대 동작 온도가 높아(~150°C vs ~100°C) 집적회로(IC) 제작에 더 적합합니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 산화막 형성이 쉽고 화학적으로 안정적이며, 실리콘이 더 풍부하고 가격도 10배 정도 저렴하기 때문에 실리콘이 IC 재료로 선호되게 되었습니다. 2. N Type and P Type 반도체 물질에 불순물을 첨가하면 n형과 p형 반도체가...2025.05.10
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서7_RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계(보고서 1등)2025.05.101. RC회로의 시정수 측정 실습을 통해 RC회로의 시정수를 측정하는 방법을 알아보았다. DMM의 내부저항을 활용하여 RC회로를 구성하고, 10V 직류전압을 이용한 실험에서 이론적 계산 값과 실제 측정 값의 오차가 7.95%로 나타났다. 또한 Function Generator를 이용한 실습에서는 시정수가 9μs로 계산된 10μs와 10%의 오차를 보였다. 오차의 원인으로는 저항과 커패시터의 값 차이, 시계를 이용한 수동 측정의 한계 등이 지적되었다. 2. RC회로의 과도응답 특성 RC회로에 사각파를 인가했을 때의 전압 및 전류 파형...2025.05.10
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반도체 용어집2025.04.291. 반도체 반도체는 전기전도성이 도체와 절연체의 중간 정도인 물질로, 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 나뉩니다. 진성 반도체는 불순물이 없거나 매우 적은 상태이며, 불순물 반도체는 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시킨 것입니다. n형 반도체는 전자가 주된 전류 운반체이고, p형 반도체는 정공이 주된 전류 운반체입니다. 이들을 결합하여 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 등의 반도체 소자를 만들 수 있습니다. 2. 게르마늄 게르마늄은 청색이 감도는 회백색의 단단한 금속으로, 전형적인 반도체 물질입니다. 3가...2025.04.29
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