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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 12025.01.041. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력 전압을 오실로스코프로 측정한 결과, peak to peak 전압이 200 mV였고 센서의 부하로 10 kΩ 저항을 연결한 후 10 kΩ 저항에 걸리는 전압을 측정한 결과 peak to peak 전압이 100 mV였다. 이를 통해 센서의 내부저항이 10 kΩ임을 알 수 있으며, 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있다. 또한 Function Generator의 출력을 100 mV로 설정하면 실제 출력전압의 peak to peak 전압이 200 mV가 출력된다. 2. Op amp를 사용한...2025.01.04
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MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험 보고서는 MOSFET 바이어스 회로에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험을 통해 게이트 바이어스 회로와 리미팅 회로의 전류 측정 결과를 확인하였으며, PSpice 시뮬레이션 결과와 실험 결과 간의 차이에 대해 고찰하였습니다. 실험 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들, 예를 들어 브레드보드, 도선, MOSFET, 저항 등의 내부 저항 특성으로 인한 차이가 실험 결과와 시뮬레이션 결과의 차이를 발생시킨 것으로 분석되었습니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-S...2025.01.02
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전자회로설계실습 1번 예비보고서2025.01.201. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 이 보고서는 출력저항이 큰 센서의 출력신호를 증폭하는 Inverting, Non-Inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구하고, 이를 바탕으로 각 증폭기 회로를 설계하고 PSPICE 시뮬레이션을 수행하였습니다. 또한 실제 측정을 통해 증폭기의 특성을 분석하고 비교하였습니다. 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 Op Amp(Operational Ampli...2025.01.20
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전자회로설계실습 2번 예비보고서2025.01.201. Op Amp의 특성 측정 Op Amp의 offset 전압과 slew rate를 측정하는 회로, 적분기를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 이상적인 Op Amp를 가정할 경우 출력전압은 0V가 되지만 실제 Op Amp의 경우에는 Op Amp 내부에 Offset voltage가 존재하므로 출력전압이 0V가 아니다. Offset voltage를 측정하기 위해 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier를 설계하고, 두 입력 단자를 접지하여 출력전압을 측정하여 offset voltage를 구한다. Slew rat...2025.01.20
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중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서102025.01.201. 7-segment/Decoder 진리표 7-segment/Decoder 진리표를 작성하였습니다. 입력 ABCD와 출력 abcdefg의 진리표를 제공하였습니다. 2. 불리언식 구하기 Karnaugh 맵을 이용하여 간소화된 Sum of product 또는 Product of sum 형태의 불리언 식을 구하였습니다. a, b, c, d, e, f, g 등의 불리언 식을 제공하였습니다. 3. 7-Segment 구동 회로 설계 Decoder와 7-segment를 이용한 7-segment 구동 회로를 설계하였습니다. Pspice 프로그램...2025.01.20
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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.211. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가했습니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 다양한 조건에서의 출력 파형, 이득, 주파수 특성 등을 분석했습니다. 커패시터 값 변화에 따른 주파수 특성 변화를 확인했으며, 3dB 대역폭과 unity gain 주파수 등을 구했습니다. 또한 function generator 설정에 대해서도 설명했습니다. 1. Common Emitte...2025.01.21
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전자회로설계 및 실습2_설계 실습2. OP Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계_예비보고서2025.01.221. Offset Voltage OP Amp의 offset 전압을 측정하는 방법에 대해 설명합니다. 이상적인 OP AMP에서는 두 입력단자를 접지하면 출력전압이 0V가 되지만, 실제 OP AMP에서는 내부에 offset voltage가 존재하여 출력전압이 0V가 아닙니다. 이 offset voltage를 측정하기 위해서는 이득이 100(V/V)와 1000(V/V)인 반전 증폭기를 설계하고, 두 입력단자를 접지한 상태에서 출력전압을 측정하여 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 offset voltage를 최소화하는 방법으로 가변저항을 ...2025.01.22
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전자회로설계 및 실습8_설계 실습8. MOSFET Current Mirror 설계_예비보고서2025.01.221. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 2N7000 MOSFET을 사용하여 VCC=VDD=5V, IREF=10mA인 전류원을 설계한다. 2N7000의 데이터시트를 이용하여 kn'W/L을 구하고, IREF=10mA를 만족시키는 VGS와 R값을 계산한다. 또한 M이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 ...2025.01.22
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 1 pn 접합 다이오드 및 제너 다이오드)2025.01.291. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 형성되며, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 역할을 한다. 순방향 전압이 가해지면 다이오드가 켜지며 저항이 작아지지만, 역방향 전압이 가해지면 꺼지면서 저항이 매우 커진다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 동작 특성을 이해하고, 전압과 전류의 특성을 확인하고자 한다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 PN 접합 다이오드와 달리 항복 영역을 활용하는 소자로, 양단 사이의 전압이 -V_ZK보다 작을 때 역방향으로 많은 전류가 흐르는 특성을 보인다. 이 실...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 8 공통 베이스 증폭기)2025.01.291. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 베이스를 공통 단자로 사용하는 트랜지스터 증폭기 회로로, 주로 고주파 증폭기로 사용된다. 이 회로에서 입력 신호는 이미터에 인가되며, 출력 신호는 컬렉터에서 얻어진다. 베이스는 고정된 전압을 유지하며 입력과 출력 사이에서 공통 노드로 동작한다. 공통 베이스 회로는 전압 증폭에는 유리하며, 입력 신호에 비해 출력 신호가 크게 증폭된다. 또한 입력 임피던스가 매우 낮고 출력 임피던스가 비교적 높다. 2. 공통 베이스 증폭기의 특성 공통 베이스 증폭기의 특성은 다음과 같다: 1) 전류 이득은...2025.01.29
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