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[전자공학응용실험]5주차_4차실험_실험 14 캐스코드 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 학습하고, MOSFET을 사용한 캐스코드 증폭기의 특성을 실험을 통해 측정합니다. 캐스코드 증폭기의 입출력 전압 전달 특성을 계산하고, 소신호 등가 회로 개념을 적용하여 전압 이득을 계산한 후 실험을 통해 이를 검증합니다. 또한 증폭기의 DC 동작점을 유지하기 위한 바이어스 회로도 학습하고, 실험을 통해 동작을 확인합니다. 1. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 전자 회로 설계에서 널리 사용되는 중요한 회로 구조입니다. 이 증폭기는 높은 입력 저항, 낮은 출력 저항, 그리고 높은 ...2025.01.29
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[전자공학응용실험]11주차_7차실험_실험 18 증폭기의 주파수 응답 특성_예비레포트_A+2025.01.291. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 [실험 17]에서 구현한 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하고자 한다. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가회로를 분석하여 주파수 응답 특성을 나타내는 보드 선도를 그리고, 3dB 주파수와 이득 대역폭 곱을 계산한다. 또한 이득 대역폭 곱을 증가시키는 방안을 제시한다. 2. MOSFET의 고주파 모델 MOSFET의 고주파 동작을 설명하기 위해 게이트-소스 커패시턴스(Cgs)와 게이트-드레인 커패시턴스(Cgd...2025.01.29
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[전자공학응용실험]12주차_8차실험_실험 20 차동 증폭기 기초 실험_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 차동 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통해 검증하고자 합니다. 또한 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 특성을 분석합니다. 차동 증폭기는 집적회로 설계에서 중요한 기본 회로 중 하나로, 능동 부하와 전류 거울 회로를 이용하여 설계할 수 있습니다. 1. MOSFET 차동 증폭기 MOSFET 차동 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 회로는 두 개의 MOSFET 트랜지스터를 사용하여 입력 신호를 증폭하...2025.01.29
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MOSFET 기본 특성 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.291. MOSFET 기본 특성 실험 9에서 NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하였습니다. NMOS는 소스와 드레인을 n-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 전자이므로 채널에 전류가 흐르려면 문턱 전압이 양수여야 합니다. PMOS에서는 소스와 드레인을 p-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 hole이므로 채널에 전류가 흐르려면 NMOS의 역전압이 걸려야 하므로 PMOS의 문턱 전압은 음수여야 합니다. 따라서 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 ...2025.01.29
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전자공학응용실험 7주차 5차 실험 공통 소오스 증폭기 결과 레포트2025.01.291. 다단 증폭기의 입력단과 출력단 조건 다단 증폭기의 입력단에서는 입력 임피던스가 커야 입력 전압이 많이 걸려 신호가 다음 단으로 잘 넘어간다. 출력단에서는 출력 임피던스가 부하 저항보다 매우 작아야 부하에 전압이 많이 걸리면서 출력 전압이 커지게 된다. 2. 다단 증폭기의 전압 이득 감소 이유 각 단의 출력 전압은 다음 증폭기에 연결될 때 다음 단의 저항에 의해 전압 분배가 일어나게 되어 최종 단의 전압 이득이 각 단마다 전압 분배가 된만큼 감소하여 나타나게 된다. 3. 실험 회로 변경 이유 처음 50kΩ 저항으로 진행하였을 때...2025.01.29
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[전자공학응용실험]12주차_8차실험_실험 20 차동 증폭기 기초 실험_결과레포트_A+2025.01.291. 차동 증폭기 기초 실험 이번 실험은 차동 증폭기 기초 실험으로써 전에 배운 전류 거울을 사용하여 전류를 MOSFET의 W/L의 비율로 흐르게 하고, 2개의 common source를 대칭으로 사용하여 공통 모드 입력을 인가해준다. 이로써 바이어스를 I/2로 잡아줄 수 있게 된다. 실험을 진행하면서 오실로스코프 프로브가 불안정하여 선을 잡고 진행하여야 출력이 잘 나오는 현상이 발생하여 어려움을 겪었다. 또한 클리핑이 일어나는 지점을 찾을 때, 출력에 클리핑이 잘 일어나는 지점을 찾기 위해 입력 전압을 400mVpp까지 올리게 되...2025.01.29
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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부산대_응용전기전자실험2_예비보고서4_MOSFET [A+보고서]2025.01.291. MOSFET Buck Chopper MOSFET Buck Chopper는 전류의 ON-OFF를 반복하여 직류 또는 교류 전원으로부터 원하는 전압이나 전류를 만들어내는 전원 회로 제어 방식입니다. 스위칭 소자가 ON일 때 전류가 흐르고 OFF일 때 다이오드를 통해 전류가 흐르면서 출력 전압이 입력 전압보다 낮아지는 강압형 컨버터입니다. 인덕터의 전압 특성을 이용하여 출력 전압을 조절할 수 있으며, 적절한 인덕턴스와 스위칭 주파수 선정이 중요합니다. 2. MOSFET Boost Chopper MOSFET Boost Chopper는...2025.01.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 설계 이 자료는 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch) 회로 설계에 대해 설명하고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. BJT를 사용한 LED 구동 회로 설계: BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 방법을 설명합니다. 이때 BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하도록 하기 위한 조건을 제시합니다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동 회로 설계: 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B453...2025.01.27
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