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중앙대 전자회로설계실습 결과5.BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 이 프레젠테이션은 중앙대학교 전자회로설계실습 수업의 결과물로, BJT(바이폴라 접합 트랜지스터)와 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터)을 사용한 구동(스위치) 회로를 설계하고 구현한 내용을 다루고 있습니다. 실험 과정에서 LED 구동 회로를 구현하고 측정하였으며, 회로의 동작 특성과 소비 전력 등을 분석하였습니다. 실험 결과에서 약 20%를 넘는 오차율이 발생했는데, 이는 설계 과정에서 사용한 저항값과 실제 실험에서 사용한 저항값의 차이, 다이오드 불량 등...2025.01.27
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[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)2025.01.281. MOSFET의 I-V curve MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하였습니다. triode 영역에서는 드레인 전류가 선형적으로 증가하며, saturation 영역에서는 드레인 전류가 일정한 값을 유지합니다. 이는 MOSFET의 동작 원리와 관련이 있습니다. 2. 2N7000 소자의 I-V 특성 DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V 특성을 확인하였습니다. 이를 통해 MOSFET의 동작 영역과 특성을 이해할 수 있었습니다. 3. 2...2025.01.28
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서82025.01.121. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였습니다. 설계한 대로 회로를 구현하고 전압을 측정하고 전류값을 계산한 결과 대부분 작은 오차를 보였습니다. 설계실습계획서에서 설계한 회로에 비해 실제로 구현한 회로에서는 channel length modulation에 의해 약간의 오차가 발생하는 것을 확인할 수 있었습니다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 Cascode Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였...2025.01.12
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전자공학실험 15장 다단 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 다단 증폭기 다단 증폭기는 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에 사용된다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하고자 한다. 다단 증폭기의 개념은 전압원이 인가되면, 증폭기 1은 이 입력으로 받아서 증폭을 한 후 출력을 생성하고, 증폭기 2에서는 이 출력을 입력으로 받아서 최종 출력을 생성하는 것이다. 다단 증폭기의 전압 이득은 증폭기 1과 증폭기 2의 전압 이득을 곱하여 계산할 수 있다. 2. MOSFE...2025.01.13
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MOSFET 기본 특성2025.01.021. NMOS 동작 원리 NMOS의 기본적인 동작 원리는 소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어하는 것입니다. NMOS는 스위치와 같이 작동하며, MOS 커패시터를 기반으로 합니다. 소스와 드레인 단자 사이에 위치한 산화층 아래의 반도체 표면은 게이트 전압을 인가함으로써 P형에서 N형으로 반전될 수 있습니다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 각 영역에서 소스-드레인 전압, 게이트-소스 전압, 드레인 전류 사이의 관계가 다릅니다. 3. PMO...2025.01.02
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다단 증폭기 실험 보고서2025.01.021. 2단 증폭기 실험회로 1에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6을 고정하고 회로를 구성한 후, 공통 소스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정했습니다. 이 경우 M1의 각 단자들의 전압(VDS, VGS, VBS) 및 전류(ID, IG, IS)를 구하고, MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인했습니다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M1의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 Rout을 구하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 계산했습니다. 입력에 10kHz의 0.01...2025.01.02
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전자회로실험 결과보고서 - 전류원 및 전류거울2025.01.021. 전류거울 전류 거울에서 전류 오차가 생기는 원인은 MOSFET의 문턱 전압, 이동도 등과 같은 제조 공정의 편차와 외부 환경으로 인한 것이다. 또한 채널 길이 모듈레이션, 접촉 저항, 전류 거울의 내부 임피던스, 전류 센서의 정밀도 등 다양한 요인으로 인해 전류 오차가 발생할 수 있다. 2. 전류원 전류원의 출력 저항이 낮을수록 전류의 정확도가 향상될 가능성이 높다. 전류원은 출력 저항이 커 부하 저항 대용으로 사용되는데, 공통 소오스 증폭기에 흐르는 입력 전압에 비례한 소신호 전류가 부하 저항으로 인하여 출력 전압으로 변환되...2025.01.02
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증폭기의 주파수 응답 특성2025.01.021. 증폭기의 주파수 응답 특성 실험을 통해 증폭기의 주파수 응답 특성을 확인하였습니다. 주요 결과는 다음과 같습니다. 70Hz~55kHz 범위에서 전압 이득은 8.8V/V로 측정되었고, 17Hz와 77kHz에서 전압 이득이 감소하는 것을 확인하였습니다. 1MHz까지는 전압 이득 측정이 잘 되었지만 10MHz를 초과하는 영역과 50Hz 미만의 영역에서는 측정이 어려웠습니다. 이는 MOSFET의 기생 커패시턴스로 인해 주파수가 증가함에 따라 전압 이득이 감소하는 것으로 추정됩니다. 이득 대역폭 곱은 큰 폭의 변화 없이 거의 일정한 것...2025.01.02
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MOSFET 증폭기 회로 예비보고서2025.01.021. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다. n 채널 MOSFET의 구조와 동작 원리, 동작 영역에 따른 드레인 전류 특성, 소스 공통 증폭기의 구조와 특성 등을 설명하고 있다. 실험을 통해 MOSFET의 특성과 소스 공통 증폭기의 동작을 확인하고자 한다. 1. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 증폭기 회로는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. MOS...2025.01.02
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