총 13개
-
전자공학실험 23장 연산 증폭기 응용 회로 1 A+ 결과보고서2025.01.151. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 비반전 증폭기, 반전 증폭기, 아날로그 전원 덧셈기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 반전 증폭기 실험회로 1에서 R1=10kΩ, R2=20kΩ일 때 입력 파형과 출력 파형을 측정하고, 전압 이득을 계산하였다. 전압 이득은 약 2[V/V]로 이상적인 반전 증폭기의 전압 이득과 동일함을 확인하였다. 또한 R1=10kΩ, R2=...2025.01.15
-
전자공학실험 3장 정전압 회로와 리미터 A+ 예비보고서2025.01.131. 전압 레귤레이터 전압 레귤레이터는 입력 전압이나 부하 전류의 변화에도 출력 전압의 변화가 최소가 되도록 하는 회로이다. PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터는 다이오드의 특성을 이용하여 교류 입력 전압이 레귤레이터를 통과하였을 때 출력 전압이 거의 DC와 같이 일정하도록 한다. 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터는 제너 다이오드의 특성을 이용하여 교류 입력 전압이 레귤레이터를 통과하였을 때 출력 전압이 거의 DC와 같이 일정하도록 한다. 이 때 제너 다이오드가 켜졌을 때 양단 사이의 전압 강하가 PN 접합에 비해 크...2025.01.13
-
전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하기 위해 각 단자들의 전압을 측정하고 분석하였다. VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역, VGS>Vth이면서 VDS<VGS-Vth인 경우에는 트라이오드, VGS<Vth이여서 전류가 흐르지 않을 때는 차단 영...2025.01.15
-
[전자공학실험2] RC회로의 주파수 응답2025.04.271. RC 회로의 주파수 응답 실험을 통해 RC 회로의 주파수 응답 특성을 측정하고 이론값과 비교하였다. LPF와 HPF의 전달함수를 계산하여 주파수에 따른 magnitude와 phase를 Bode plot으로 그리고, 실험 결과와 비교하여 RC 회로의 filter로서의 기능을 확인할 수 있었다. 실험 결과와 이론값의 차이는 주로 OSC의 vertical scale 조정 문제와 신호 크기 감쇄에 따른 SNR 저하로 인한 오차 때문인 것으로 분석되었다. 1. RC 회로의 주파수 응답 RC 회로의 주파수 응답은 전자 회로 설계에서 매우...2025.04.27
-
[전자공학응용실험]12주차_8차실험_실험 20 차동 증폭기 기초 실험_결과레포트_A+2025.01.291. 차동 증폭기 기초 실험 이번 실험은 차동 증폭기 기초 실험으로써 전에 배운 전류 거울을 사용하여 전류를 MOSFET의 W/L의 비율로 흐르게 하고, 2개의 common source를 대칭으로 사용하여 공통 모드 입력을 인가해준다. 이로써 바이어스를 I/2로 잡아줄 수 있게 된다. 실험을 진행하면서 오실로스코프 프로브가 불안정하여 선을 잡고 진행하여야 출력이 잘 나오는 현상이 발생하여 어려움을 겪었다. 또한 클리핑이 일어나는 지점을 찾을 때, 출력에 클리핑이 잘 일어나는 지점을 찾기 위해 입력 전압을 400mVpp까지 올리게 되...2025.01.29
-
BJT 바이어스 회로 설계2025.04.301. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 단일 또는 이중 전원공급 장치를 사용하여 구성될 수 있으며, 실험 9의 고정 바이어스보다 향상된 안정도를 제공한다. 이미터 저항에 트랜지스터의 beta를 곱한 값이 베이스 저항보다도 매우 크다면, 이미터 전류는 본질적으로 트랜지스터의 beta와 무관하게 된다. 따라서 적절히 설계된 이미터 바이어스 회로에서 트랜지스터를 교환한다면, IC와 VCE의 변화는 미약할 것이다. 2. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 베이스 저항 RB를 전압원 VCC에 직접 연결하지 않고...2025.04.30
-
전자공학실험 14장 MOSFET 다단 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였습니다. 실험회로 1에서는 공통 소스 증폭기로 구성된 2단 증폭기 회로를 구현하였고, 실험회로 2에서는 공통 소스 증폭기 2단과 소스 팔로워로 구성된 3단 증폭기 회로를 구현하였습니다. 각 회로에서 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하고, 소신호 파라미터를 구하여 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 또한 실험을 통해 측정한 전압 이득을 분석하여 최소 전압 이득 요구사항을 만족하는지 확인하였습니다. 1. MOSFET...2025.01.15
-
전자공학실험 24장 연산 증폭기 응용 회로 2 A+ 예비보고서2025.01.131. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 비반전 증폭기, 반전 증폭기, 아날로그 전압 덧셈기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 적분기 회로 실험회로 1([그림 24-6])과 같이 적분기 회로를 구성한다. 입력의 크기는 1V로 고정하고, 주파수를 1kHz~1MHz까지 [표 24-1]과 같이 변화시키면서 출력의 크기를 측정하여 [표 24-1]에 기록한다. 또한, [그림 ...2025.01.13
-
RC회로의 시간 응답2025.04.271. RC 회로의 충전 특성 실험을 통해 RC 회로의 충전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 충전 시간이 길어지는 것을 관찰할 수 있었다. 이는 시상수 τ = RC의 관계에 따른 것으로, 저항이 증가하면 시상수가 커져 충전 시간이 길어지게 된다. 또한 실험 결과와 이론값을 비교하여 약 ±10% 내의 오차를 확인하였다. 이러한 오차는 측정 시 시간 동기화의 어려움과 커패시터의 내부 저항(ESR) 등에 의한 것으로 추정된다. 2. RC 회로의 방전 특성 실험을 통해 RC 회로의 방전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 방전...2025.04.27
-
BJT 바이어스 회로 설계2025.04.301. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 베이스 저항을 전압원에 직접 연결하지 않고 컬렉터로 피드백을 시킨 구조입니다. 이를 통해 베이스 전압에 대한 영향을 줄여 매우 안정된 동작점을 얻을 수 있습니다. 이미터 전류가 증가하면 컬렉터 전압이 증가하고 베이스 전류가 감소하며, 베이스 전류가 증가하면 안정도가 감소하게 됩니다. 2. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 양과 음의 두 전압원을 이용하여 트랜지스터가 활성 영역에 동작하도록 하는 방법입니다. 이미터 바이어스 회로는 이미터에 저항을 사용하기 때문에 ...2025.04.30
1 / 2
