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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서92025.01.111. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계 Series-Shunt 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험하였습니다. 입력 전압을 0V에서 6V까지 변화시키면서 출력 전압의 변화를 관찰하였습니다. 입력 저항과 부하 저항의 값을 변경하여도 동일한 결과가 나오는 것을 확인하였습니다. 또한 입력 전압을 2V로 고정하고 전원 전압을 변화시켰을 때 출력 전압이 일정 수준 이상에서 더 이상 변하지 않는 것을 확인하였습니다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 설계 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험하였습니...2025.01.11
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BJT 2-Large Signal Analysis 2_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 특성 실험을 통해 BJT 소자의 특성을 이해하고 확인하였습니다. Early Effect(Base width modulation)로 인해 C-B 접합의 Reverse bias 크기 변화에 따라 Collector 전류가 변화하는 것을 확인하였습니다. 이는 이상적인 트랜지스터 동작에서 벗어나는 것으로, 변화된 Base 폭을 고려하여 Gain 값을 다시 계산할 수 있습니다. Early Effect를 고려한 BJT 전류원 Modeling을 통해 실제 BJT의 동작 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. BJT의 I-V 특성 ...2025.01.12
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 7장 연습문제 풀이2025.01.091. JFET 바이어스 JFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 차단 상태와 도통 상태가 결정됩니다. Vgs가 음의 값이면 JFET은 차단 상태가 되어 드레인 전류(Id)가 흐르지 않습니다. Vgs가 양의 값이면 JFET은 도통 상태가 되어 Id가 흐르게 됩니다. 따라서 JFET의 동작 상태는 Vgs에 의해 결정됩니다. 2. MOSFET 바이어스 MOSFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 동작 상태가 결정됩니다. Vgs가 문턱 전압(Vth) 이상이면 MOSFET이 도통되어 드레인 전류(Id)가 흐르게 됩니다. Vgs가 Vt...2025.01.09
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자에 저항 R_S를 추가함으로써, R_G1과 R_G2의 변화에 따른 V_GS전압과 I_D 전류의 변화를 줄일 수 있다. 회로의 각 노드의 전압과 전류를 구하면 I_D와 V_GS를 안정적으로 유지할 수 있다. 이 회로는 전류 제어가 용이하고, 트랜지스터가 포화 영역에서 증폭기로 안정적으로 동작하는 데 적합하다. 2. 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로는 피드백...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 16 전류원 및 전류 거울)2025.01.291. 전류원 (Current Source) 전류원은 회로에 일정한 전류를 공급하는 역할을 한다. MOSFET 기반 전류원은 일반적으로 포화 영역에서 작동하며, 입력 전압의 변화와 관계없이 일정한 전류를 유지할 수 있다. 전류원 회로에서는 기준 저항 R_REF를 통해 기준 전류를 설정하고, 이 값이 MOSFET을 통해 고정된 전류로 공급된다. 2. 전류 거울 (Current Mirror) 전류 거울은 하나의 기준 전류를 복사하여 다른 부분에 동일한 전류를 전달하는 역할을 한다. 전류 거울은 주로 두 개의 MOSFET으로 구성되며, 첫...2025.01.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비9. 피드백 증폭기 (Feedback Amplifier) A+2025.01.271. Series-Shunt 피드백 회로 설계 시뮬레이션을 통해 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 변화를 확인하였습니다. 입력 저항과 부하 저항 값을 변경하여 비교 분석한 결과, 회로의 이득이 동일하여 동일한 transfer characteristic curve를 관찰할 수 있었습니다. 또한 입력 전압을 고정하고 전원 전압을 변화시킬 경우, 특정 전압 이상에서는 출력 전압의 변화가 없는 것을 확인하였습니다. 이는 P-type MOSFET의 특성으로 인해 Drain 전압이 Source 전압보다 높을 수 없기 때문입니다. 2. Seri...2025.01.27