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반도체 다이오드의 전기적 특성 평가2025.01.021. P-N 접합 반도체 P형 반도체와 N형 반도체가 접합되어 형성되는 P-N 접합 반도체에 대해 설명하고 있습니다. 접합 부위에서 확산에 의해 재결합이 일어나며, 이로 인해 공핍층이 형성됩니다. P-N 접합은 다이오드와 트랜지스터 등 반도체 소자의 기본 구성 원리가 됩니다. 2. 다이오드의 원리와 특성 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 반도체 소자입니다. 정류 다이오드는 교류를 직류로 변환하는 데 사용되며, 제너 다이오드는 역방향 전압이 일정 수준 이상 걸리면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드의 ...2025.01.02
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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건국대학교 전기전자기초실험2 트랜지스터2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 트랜지스터 증폭 회로 종류 양극성 트랜지스터 증폭 회로는 고전압 신호와 전류를 증폭할 때 사용되며, 공통 증폭 회로는 이미터, 베이스, 컬렉터 중 하나가 공통으로 연결된다. 스위치 증폭 회로는 트랜지스터를 스위치로 사용하여 디지털 신호를 증폭한다. 2. 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로의 바이어스 방법 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로에서는 베이스-이미터 접합에 양의 전압(VBE)을 가하고, 바이어스 전압을 조절하여 베이스 전류를 원하는 값으로 설정한다. 그 후 컬렉터 전압을 VBE보다 크게 설정하고, 저항을 이용하여 트랜...2025.01.29
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 7장 연습문제 풀이2025.01.091. JFET 바이어스 JFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 차단 상태와 도통 상태가 결정됩니다. Vgs가 음의 값이면 JFET은 차단 상태가 되어 드레인 전류(Id)가 흐르지 않습니다. Vgs가 양의 값이면 JFET은 도통 상태가 되어 Id가 흐르게 됩니다. 따라서 JFET의 동작 상태는 Vgs에 의해 결정됩니다. 2. MOSFET 바이어스 MOSFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 동작 상태가 결정됩니다. Vgs가 문턱 전압(Vth) 이상이면 MOSFET이 도통되어 드레인 전류(Id)가 흐르게 됩니다. Vgs가 Vt...2025.01.09
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이미터 공통 증폭기 예비보고2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 바이폴라 트랜지스터 증폭기 중에서 전력 이득이 크고 가장 널리 사용되는 회로이다. 이 보고서에서는 이미터 공통 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하고자 한다. 이론적 배경으로 전압 증폭기 모델과 이미터 공통 증폭기의 특성을 설명하고, 실험을 통해 동작점 측정, 전압 이득 및 입출력 저항 측정, 출력 파형 왜곡 현상 관찰 등을 수행하였다. 실험 결과를 이론값 및 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교 분석하였다. 1. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 트랜지스터 증폭기 회로...2025.01.02