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아주대학교 A+전자회로실험 실험7 결과보고서2025.05.091. Class-A 증폭기 Class-A 증폭기는 적당한 바이어스가 걸릴 때 신호의 최대 진폭에서 항상 모든 트랜지스터가 작동한다. 신호 파형의 distortion이 가장 작지만, 입력신호에 상관없이 항상 전류가 흐르기에 전력 효율이 낮다. 실험 결과를 토대로 이를 확인할 수 있다. DC bias의 측정값들이 실험 2, 3과 비교하면 큰 것을 알 수 있다. 이는 class-A 증폭기는 항상 bias 전류가 걸려 있기 때문이다. 따라서 전력 효율이 좋지 않다. 출력파형은 입력과 마찬가지로 삼각파인데, (+), (-) 신호의 반전이 생...2025.05.09
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이미터 공통 증폭기 예비보고2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 바이폴라 트랜지스터 증폭기 중에서 전력 이득이 크고 가장 널리 사용되는 회로이다. 이 보고서에서는 이미터 공통 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하고자 한다. 이론적 배경으로 전압 증폭기 모델과 이미터 공통 증폭기의 특성을 설명하고, 실험을 통해 동작점 측정, 전압 이득 및 입출력 저항 측정, 출력 파형 왜곡 현상 관찰 등을 수행하였다. 실험 결과를 이론값 및 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교 분석하였다. 1. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 트랜지스터 증폭기 회로...2025.01.02
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공통 에미터 트랜지스터 증폭기 실험2025.11.161. 공통 에미터 증폭기 회로 공통 에미터 증폭기는 높은 전압 이득을 제공하는 회로로, 입력 임피던스는 공통 베이스보다 크고 공통 콜렉터보다 작으며, 출력 임피던스는 공통 콜렉터보다 크고 공통 베이스보다 작다. 따라서 다른 증폭기들에 비해 중간 특성을 가지고 있으며, 일반적으로 10~100의 전압 이득을 제공한다. 2. 전압 이득 및 임피던스 계산 직류 바이어스에서 임피던스는 re = 26(mV)/IEQ(mA)로 구하고, 교류 전압 이득은 Av = -RC/(RE+re)로 계산된다. 주파수가 높을 경우 리액턴스가 0이 되어 RE=0이...2025.11.16
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JFET 특성 및 바이어스 회로 실험2025.11.161. JFET 포화전류 및 핀치오프 전압 JFET의 기본 특성을 측정하는 실험으로, 포화전류(IDSS)는 9mA, 핀치오프 전압(VP)은 -4V로 측정되었다. VGS가 -3.5V 이상일 때 핀치오프 상태가 발생하며, 이 상태에서는 드레인 전류(ID)가 0에 가까워진다. 핀치오프는 게이트-소스 간 역방향 바이어스가 증가하면서 채널이 차단되는 현상이다. 2. JFET 전달특성 및 출력특성 VGS 값의 변화에 따른 ID의 변화를 측정한 전달특성과 VDS 변화에 따른 ID의 변화를 측정한 출력특성을 분석했다. VGS=0V일 때 ID는 최대...2025.11.16
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전기전자공학실험-다이오드의 특성2025.04.301. 다이오드의 특성 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성 곡선을 계산하고, 비교하며, 측정한다. 다이오드를 포함하는 회로의 직류 응답을 얻기 위해 PSpice를 이용하여 DC Sweep을 수행하고, 온도 해석의 Spice 모의실험을 수행한다. 2. 저항 전류가 흐르는 것을 막는 작용을 하는 소자로, 단위는 옴(Ω)이며 옴의 법칙에 따라 저항, 전류, 전압 간의 관계를 설명한다. 저항의 값은 색 띠로 표시되며, 4색 또는 5색 띠로 구성된다. 3. 다이오드 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자로, 정류와 발광 등의 특성...2025.04.30
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반도체 다이오드의 전기적 특성 평가2025.01.021. P-N 접합 반도체 P형 반도체와 N형 반도체가 접합되어 형성되는 P-N 접합 반도체에 대해 설명하고 있습니다. 접합 부위에서 확산에 의해 재결합이 일어나며, 이로 인해 공핍층이 형성됩니다. P-N 접합은 다이오드와 트랜지스터 등 반도체 소자의 기본 구성 원리가 됩니다. 2. 다이오드의 원리와 특성 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 반도체 소자입니다. 정류 다이오드는 교류를 직류로 변환하는 데 사용되며, 제너 다이오드는 역방향 전압이 일정 수준 이상 걸리면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드의 ...2025.01.02
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 7장 연습문제 풀이2025.01.091. JFET 바이어스 JFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 차단 상태와 도통 상태가 결정됩니다. Vgs가 음의 값이면 JFET은 차단 상태가 되어 드레인 전류(Id)가 흐르지 않습니다. Vgs가 양의 값이면 JFET은 도통 상태가 되어 Id가 흐르게 됩니다. 따라서 JFET의 동작 상태는 Vgs에 의해 결정됩니다. 2. MOSFET 바이어스 MOSFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 동작 상태가 결정됩니다. Vgs가 문턱 전압(Vth) 이상이면 MOSFET이 도통되어 드레인 전류(Id)가 흐르게 됩니다. Vgs가 Vt...2025.01.09
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건국대학교 전기전자기초실험2 트랜지스터2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 트랜지스터 증폭 회로 종류 양극성 트랜지스터 증폭 회로는 고전압 신호와 전류를 증폭할 때 사용되며, 공통 증폭 회로는 이미터, 베이스, 컬렉터 중 하나가 공통으로 연결된다. 스위치 증폭 회로는 트랜지스터를 스위치로 사용하여 디지털 신호를 증폭한다. 2. 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로의 바이어스 방법 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로에서는 베이스-이미터 접합에 양의 전압(VBE)을 가하고, 바이어스 전압을 조절하여 베이스 전류를 원하는 값으로 설정한다. 그 후 컬렉터 전압을 VBE보다 크게 설정하고, 저항을 이용하여 트랜...2025.01.29
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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양극성 접합 트랜지스터(BJT)의 특성 및 제어2025.11.181. 역포화 전류(Reverse Saturation Current) 역포화 전류 I0는 pn 접합에서 전자와 정공이 이동할 때 발생하는 매우 작은 값입니다. 소수 캐리어의 농도를 증가시키면 I0가 증가하며, 이는 접합 주변의 전자-정공 쌍(EHP) 생성률이 I0를 결정하기 때문입니다. 밴드갭보다 큰 에너지의 빛을 주입하거나 소수 캐리어를 도입하여 I0를 증가시킬 수 있습니다. 2. 컬렉터 전류(Collector Current) 제어 p-n-p 트랜지스터에서 VEB에 순방향 바이어스를 적용하고 VCB에 역방향 바이어스를 적용하면 에미...2025.11.18
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