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실험 24_연산 증폭기 응용 회로 2 예비보고서2025.04.281. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 미분기 및 적분기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 적분기 회로 입력에서 저항 R을 통해 음의 단자쪽으로 흐르는 전류 i_1이 피드백 커패시터 C를 통과하면서 출력 전압 v_o가 형성된다. 입력과 출력 사이의 전달 함수가 주파수 축에서 저대역 통과 필터의 특성을 보인다. 3. 미분기 회로 입력에서 커패시터 C를 통해 음의 단...2025.04.28
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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 5. 전압제어 발진기2025.04.291. 슈미츠 회로의 특성 실험에 사용될 IC의 datasheet를 참조하여 중요한 전기적 특성을 확인하였습니다. 슈미츠 회로의 특성을 이해하고 PSPICE를 이용하여 슈미츠 트리거 회로를 설계하였습니다. 이를 통해 출력 파형의 특성을 확인하였습니다. 2. 전압제어 발진기의 설계 전압제어 발진기를 설계하고 출력 파형을 관찰하였습니다. 입력 전압 Vc의 변화에 따른 출력 주파수의 변화를 확인하였고, 이를 그래프로 나타내었습니다. 또한 중심 주파수가 2kHz가 되도록 회로의 C1 값을 설계하였습니다. 3. 슈미츠 회로의 저항비와 Capa...2025.04.29
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소오스 팔로워 전자회로 실험 예비보고서2025.01.021. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 MOSFET을 이용한 전압 증폭 회로로, 입력 전압과 출력 전압이 거의 같은 특성을 가집니다. 이번 실험에서는 소오스 팔로워 회로의 동작 원리와 특성을 확인하기 위해 다양한 실험을 진행했습니다. 실험 결과를 통해 MOSFET의 동작 영역, 전압 이득, 입력 및 출력 임피던스 등을 확인하고 이론적인 계산 결과와 비교했습니다. 또한 Pspice 시뮬레이션을 통해 실험 결과를 검증하고 입력-출력 전달 특성 곡선을 도출했습니다. 1. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 전자 회로 설계에서...2025.01.02
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서62025.01.111. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50Ω, 5kΩ, 12V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 이 kΩ 단위이고 amplifier gain(Av)이 -100V/V인 증폭기를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early Effect를 무시하고 이론부의 Overall Voltage Gain 식을 사용하여 부하저항 RL에 최대전력이 전달되도록 하는 방법을 설명하고 있습니다. 또한 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 설계...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 A+2025.01.271. Thevenin 등가회로 구현 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였습니다. Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 무부하 상태에서 단자 사이의 전압을 측정하여 Vth를 구하고, 10kΩ 저항을 연결했을 때 전압이 줄어든 것을 이용하여 Rth를 계산하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 주파수가 2kHz인 센서의 출력을 증폭하여 1Vpp의 출력을 내는 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 회로, PSPICE 출력파형...2025.01.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비6. Common Emitter Amplifier 설계 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자회로설계실습 과정에서 작성된 예비 6번째 실습 보고서입니다. 이 보고서에서는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 이론적 계산을 통한 회로 설계, PSPICE 시뮬레이션 결과 분석, 실제 측정 및 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭...2025.01.27
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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 72025.01.041. Common Emitter Amplifier의 주파수특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가합니다. 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 시뮬레이션하여 모든 노드의 전압과 브랜치의 전류가 나타난 회로도와 출력파형을 제출합니다. 출력전압의 최대값, 최소값, 피크-피크 값을 확인하고 주파수 특성을 분석합니다. 1. Common Emitter Amplifier의 주파수특성 Comm...2025.01.04
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 1_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.111. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200㎷이었고, 센서의 부하로 10㏀ 저항을 연결한 후 10㏀ 저항에 걸리는 전압을 측정하여 peak to peak 전압이 100㎷이었다. 이를 바탕으로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였다. 또한 Function generator와 저항으로 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 제시하였다. 2. Inverting ...2025.01.11
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