총 52개
-
[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
-
전자공학실험 20장 연산 증폭기 응용 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 비반전 증폭기, 반전 증폭기, 아날로그 전압 덧셈기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 반전 증폭기 실험회로 1과 같이 반전 증폭기를 구성하고, 입력 전압의 크기를 변화시키면서 출력 전압과 전압 이득을 측정한다. 이상적인 연산 증폭기와 실제 연산 증폭기의 경우 입력과 출력 사이의 전달 함수를 구하고, PSpice 시뮬레이션을 통...2025.01.13
-
연산증폭기의 특성 예비보고서2025.01.061. 슬루율 슬루율은 계단 파형 전압이 인가되었을 때 출력전압의 시간에 따른 최대변화율을 나타내는 지표입니다. 슬루율이 높을수록 증폭기의 주파수 응답이 좋습니다. 실험에서는 PSPICE 시뮬레이션과 실험을 통해 uA741 연산증폭기의 슬루율을 측정하고, 데이터시트 값과 비교하였습니다. 2. 공통모드 제거비 공통모드 제거비(CMRR)는 연산증폭기 회로 설계에서 중요한 지표입니다. 입력단자에 같은 신호가 인가되는 공통모드 상황에서 증폭기의 출력전압이 0이 되어야 하지만, 실제로는 완벽하지 않기 때문에 공통모드 이득이 발생합니다. CMR...2025.01.06
-
이미터 공통 증폭기 예비보고2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 바이폴라 트랜지스터 증폭기 중에서 전력 이득이 크고 가장 널리 사용되는 회로이다. 이 보고서에서는 이미터 공통 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하고자 한다. 이론적 배경으로 전압 증폭기 모델과 이미터 공통 증폭기의 특성을 설명하고, 실험을 통해 동작점 측정, 전압 이득 및 입출력 저항 측정, 출력 파형 왜곡 현상 관찰 등을 수행하였다. 실험 결과를 이론값 및 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교 분석하였다. 1. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 트랜지스터 증폭기 회로...2025.01.02
-
전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 2 정류회로)2025.01.291. 정류회로 정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 중요한 회로이다. 반파 정류회로, 전파 정류회로, 브리지 정류회로 등 다양한 정류회로 구조가 있으며, 각각의 동작 원리와 입출력 특성이 다르다. 반파 정류회로는 한 주기의 절반만 정류하지만 구조가 간단하고, 전파 정류회로와 브리지 정류회로는 전체 주기를 정류하여 효율이 높다. 또한 필터 커패시터를 추가하면 리플이 감소하는 피크 정류회로를 구현할 수 있다. 이러한 정류회로의 특성을 이해하고 실험을 통해 확인하는 것이 중요하다. 1. 정류회로 정류회로는 교류 전압을 직류 전압...2025.01.29
-
전자회로설계 및 실습6_설계 실습6. Common Emitter Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig = 1 Ω, RL = 2 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β = 100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(Av)이 -100 V/V인 emitter 저항사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain Gv 식을 사용하여 RC를 결정하고, Rin, IC, IB, IE, VC, VE, VB, RE, ...2025.01.22
-
전자회로설계 및 실습7_설계 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가합니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형, 전압, 전류, 이득 등을 분석하고 주파수 특성 그래프를 작성합니다. RE와 커패시터 변경에 따른 주파수 특성 변화도 확인합니다. 2. RE 변화에 따른 주파수 특성 RE를 ±10% 변경했을 때 overall voltage gain의 최대값, 3dB bandwidth, unity...2025.01.22
-
전자회로설계실습 6번 예비보고서2025.01.201. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 NPN BJT를 사용하여 emitter 저항이 있는 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하저항 결정, 바이어스 전압 계산, 입력저항 산출, PSPICE 시뮬레이션 결과 분석, 측정 및 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 2. Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 설계 이 문서에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifi...2025.01.20
-
A+ 전자회로설계실습_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.211. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호가 주파수 2 KHz의 정현파이고, 오실로스코프로 직접 측정한 결과 peak to peak 전압이 200 ㎷이었다. 센서의 부하로 10 KΩ 저항을 연결한 후 10 KΩ 저항에 걸리는 전압을 측정하였더니 peak to peak 전압이 100 mV이었다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Thevenin 전압은 200mV, 내부저항은 10kΩ임을 알 수 있다. 따라서 센서의 Thevenin 등가회로를 Function generator와 저항으로 구현하려면 Func...2025.01.21
-
A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.211. Common Emitter Amplifier 설계 이 프레젠테이션에서는 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain(υo/υsig) Gv에 대한 식을 사용하여 ...2025.01.21
4 / 6
