총 145개
-
실험 08_공통 베이스 증폭기 예비보고서2025.04.271. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. 공통 베이스 증폭기의 전압 이득 공통 베이스 증폭기의 전압 이득은 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있으며, 크기는 공통 이미터 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다. 3. 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스는 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있...2025.04.27
-
실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. NMOS와 PMOS의 구조와 동작 원리가 서로 반대이지만 기본적인 동작 원리는 동일하다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET에는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지...2025.04.27
-
[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 3. Voltage Regulator 설계2025.04.291. 전파정류회로 전파정류회로는 브리지 방식 정류회로로, 다이오드로 인한 전압강하가 2번 발생합니다. 따라서 부하저항 Rl의 2배를 사용하여 식을 변형하였습니다. 전파정류회로의 방전 주기는 반주기(T/2)이므로, 교재의 반파정류회로 수식을 변형하여 사용하였습니다. 2. 직류전압 공급기 설계 문제에서 제시된 조건을 만족시키기 위해 입력전원의 크기와 주파수, 커패시터의 크기를 계산하였습니다. 입력전원은 진폭 5.632V, 주파수 4.889kHz 이상의 정현파를 사용하고, 커패시터는 0.1uF을 사용하면 문제의 조건을 모두 만족시킬 수 ...2025.04.29
-
(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.301. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호를 측정하고 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 설명하였습니다. 센서의 출력전압이 200mV이고 부하에 걸리는 전압이 100mV일 때, 센서의 Thevenin 등가회로를 구하였습니다. 또한 Function generator의 출력을 100mV로 설정하여 센서의 등가회로를 구현하는 방법을 제시하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결과를...2025.04.30
-
(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 3. Voltage Regulator 설계2025.04.301. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC Power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 전파정류회로에서는 양의 주기와 음의 주기 모두에서 2개의 다이오드가 동작하여 전압 분배가 발생한다. 따라서 입력 전압에서 다이오드 2개의 전압만큼 빼준 값이 부하에 출력되는 전압이 된다. 2. 리플 전압 전파정류회로에서 발생하는 리플 전압은 입력 주파수와 평활 커패시터 값에 따라 결정된다. 설계에서는 리플 전압이 0.9V 이하가 되도록 커패시터 값을 10uF로 설계하였다....2025.04.30
-
(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 6. Common Emitter Amplifier 설계2025.04.301. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 BJT(2N3904)를 사용하여 Common Emitter Amplifier를 설계하고 회로 구성 및 측정 결과를 분석하였습니다. DC Power Supply를 이용하여 DC Bias parameter를 설정하고 Function Generator를 통해 AC parameter인 output voltage와 gain 값을 측정하였습니다. 측정 결과는 시뮬레이션 결과와 약 10% 이내의 오차를 보였습니다. 다만 일부 측정값이 예상보다 크게 나와 coupling capa...2025.04.30
-
중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 1_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.111. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200㎷이었고, 센서의 부하로 10㏀ 저항을 연결한 후 10㏀ 저항에 걸리는 전압을 측정하여 peak to peak 전압이 100㎷이었다. 이를 바탕으로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였다. 또한 Function generator와 저항으로 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 제시하였다. 2. Inverting ...2025.01.11
-
[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
-
[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정값과 데이터시트 값 비교, 포화 영역에서의 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 중 하나입니다. MOSF...2025.05.10
-
중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서62025.01.201. 위상 검출기 설계실습 계획서6-3-3에서는 XOR를 이용한 위상 검출기의 특성을 PSpice 시뮬레이션을 통해 파악하고, V1과 V2의 위상 차이 변화에 따른 Vout 전압의 평균값 특성을 확인하였습니다. 입력 A, B에 대해 위상차가 0, 0이 아닌 값, 180도일 때의 출력 Y를 분석하여 XOR 게이트가 정상적으로 동작하는 것을 확인하였습니다. 2. 위상 고정 루프 설계 설계실습 계획서6-3-4에서는 그림 6-2의 위상 고정 루프 회로를 PSpice로 설계하고, VCO, phase detector, loop filter 각...2025.01.20
4 / 15
