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전자회로설계 및 실습7_설계 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가합니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형, 전압, 전류, 이득 등을 분석하고 주파수 특성 그래프를 작성합니다. RE와 커패시터 변경에 따른 주파수 특성 변화도 확인합니다. 2. RE 변화에 따른 주파수 특성 RE를 ±10% 변경했을 때 overall voltage gain의 최대값, 3dB bandwidth, unity...2025.01.22
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실험 08_공통 베이스 증폭기 예비보고서2025.04.271. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. 공통 베이스 증폭기의 전압 이득 공통 베이스 증폭기의 전압 이득은 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있으며, 크기는 공통 이미터 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다. 3. 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스는 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있...2025.04.27
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서10_Oscillator 설계2025.01.111. Oscillator 설계 설계실습 10. Oscillator 설계에서는 R1=R2=1kΩ, R=957Ω (설계값은 968.34Ω), C=0.47uF으로 Oscillator를 설계하고 이에 나타나는 VO, V+, V-의 파형을 확인하고 T1, T2, VTH, VTL을 측정하였으며 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교해보았다. R1의 값을 1/2배, 2배로 감소, 증가시켜보며 즉, β값을 감소(β=0.333), 증가(β=0.666)시켜보며 나타나는 변화를 확인해 보았고 β가 감소, 증가함에 따라 T1, T2, VTH, VTL 또한 ...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 7_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과회로에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10uF으로 하고 CE 증폭기에 100㎑, 20mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하였다. 출력전압의 최대값은 152mV, 최솟값은 -137mV이다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 10㎒까지 변할 때 CE amplifier의 주파수 특성을 PSPICE로 simulation하여 그래프로 그렸다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 Unit gain frequency까지 변...2025.01.11
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: - MOSFET의 문턱 전압(V_T), 전류 계수(k_n), 전압 이득(g_m)을 데이터시트를 이용하여 계산하는 방법 - OrCAD PSPICE를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계하고 i_D-v_GS 특성곡선을 시뮬레이션하는 과정 - 시뮬레이션 결과를 이용하여 MOSFET의 특성 파라미터를 구하고...2025.05.14
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.301. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호를 측정하고 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 설명하였습니다. 센서의 출력전압이 200mV이고 부하에 걸리는 전압이 100mV일 때, 센서의 Thevenin 등가회로를 구하였습니다. 또한 Function generator의 출력을 100mV로 설정하여 센서의 등가회로를 구현하는 방법을 제시하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결과를...2025.04.30
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전자회로 설계 및 실습 예비보고서 3: Voltage Regulator 설계2025.05.141. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC Power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 2. 직류전압 공급기 설계 5 kΩ의 부하(R_L)에 걸리는 직류전압의 최대치(V_P)가 4.4 V이며, ripple(V_r)이 0.9 V 이하가 되도록 교류입력전원의 크기를 결정하고 커패시터(C)의 크기를 설계한다. 다이오드의 저항은 0.7 kΩ으로 가정한다. 3. PSPICE 시뮬레이션 PSPICE로 회로를 그리고 분석하여 부하에 걸리는 파형을 제출한다. 최대 전압 V...2025.05.14
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전자회로설계실습 6차 예비보고서2025.05.101. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β = 100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(vo/vin)이 –100 V/V이며 emitter 저항 사용한 Commom Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 2. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier에서 Rsig = 50 ...2025.05.10
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifer 설계2025.04.301. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자전기공학부의 전자회로설계실습 예비보고서 6번 과제인 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 이 과제의 목적은 NPN BJT를 사용하여 입력저항 50Ω, 부하저항 5kΩ, 전원전압 12V인 경우에 증폭기 이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정 및 평가하는 것입니다. 이를 위해 Early effect를 무시하고 이론적인 계산을 통해 emitter 저항, 바이어스 전...2025.04.30
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