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A+ 전자회로설계실습_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.211. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호가 주파수 2 KHz의 정현파이고, 오실로스코프로 직접 측정한 결과 peak to peak 전압이 200 ㎷이었다. 센서의 부하로 10 KΩ 저항을 연결한 후 10 KΩ 저항에 걸리는 전압을 측정하였더니 peak to peak 전압이 100 mV이었다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Thevenin 전압은 200mV, 내부저항은 10kΩ임을 알 수 있다. 따라서 센서의 Thevenin 등가회로를 Function generator와 저항으로 구현하려면 Func...2025.01.21
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중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.04.291. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가했습니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 전압의 최대값, 최소값, 증폭기 이득, 전체 전압 이득 등을 구했습니다. 또한 입력 신호 주파수 변화에 따른 주파수 특성을 분석하여 unity gain frequency와 3dB frequency를 확인했습니다. 이후 emitter 저항과 커패시터 값을 변경했을 때의 주파수 특성 ...2025.04.29
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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 5. 전압제어 발진기2025.04.291. 슈미츠 회로의 특성 실험에 사용될 IC의 datasheet를 참조하여 중요한 전기적 특성을 확인하였습니다. 슈미츠 회로의 특성을 이해하고 PSPICE를 이용하여 슈미츠 트리거 회로를 설계하였습니다. 이를 통해 출력 파형의 특성을 확인하였습니다. 2. 전압제어 발진기의 설계 전압제어 발진기를 설계하고 출력 파형을 관찰하였습니다. 입력 전압 Vc의 변화에 따른 출력 주파수의 변화를 확인하였고, 이를 그래프로 나타내었습니다. 또한 중심 주파수가 2kHz가 되도록 회로의 C1 값을 설계하였습니다. 3. 슈미츠 회로의 저항비와 Capa...2025.04.29
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. 가장 기본적인 전압분배 바이어스 회로는 저항 RB1 또는 R...2025.01.13
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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서10_Oscillator 설계2025.01.111. Oscillator 설계 설계실습 10. Oscillator 설계에서는 R1=R2=1kΩ, R=957Ω (설계값은 968.34Ω), C=0.47uF으로 Oscillator를 설계하고 이에 나타나는 VO, V+, V-의 파형을 확인하고 T1, T2, VTH, VTL을 측정하였으며 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교해보았다. R1의 값을 1/2배, 2배로 감소, 증가시켜보며 즉, β값을 감소(β=0.333), 증가(β=0.666)시켜보며 나타나는 변화를 확인해 보았고 β가 감소, 증가함에 따라 T1, T2, VTH, VTL 또한 ...2025.01.11
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Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 R_{sig} =50 ohm, R_{L} =5k ohm, V_{CC} =12V 인 경우, B=100인 NPN BJT를 사용하여 R_{in}이 k ohm 단위이고 amplifier gain(v_{o} /v_{in})이 -100V/V이며 emitter 저항 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에는 회로 설계, 시뮬레이션, 측정 및 특성 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. Common ...2025.04.27
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Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 예비보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 보고서의 목적은 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가하는 것입니다. 보고서에는 PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 주파수 특성 그래프 작성, 3dB 주파수와 unity gain 주파수 측정 등의 내용이 포함되어 있습니다. 또한 증폭기 이득, 전압 이득 등의 특성 변화를 분석하고 그 이유를 설명하고 있습니다. 1. Common Emitter Amp...2025.04.27
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 그림 [10-1]은 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소오스 단자에...2025.04.27
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[기초전자실험 with pspice] 06 키르히호프의법칙 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 키르히호프의 전압 법칙 키르히호프의 전압 법칙은 '폐회로(전류가 흐를 수 있도록 연결된 회로)에서 전원장치가 공급한 전압은 각 소자에 걸린 전압의 합과 같다'로 표현된다. 이에 따라 V = V1 + V2 + V3가 성립한다. 또한, '폐회로에서 전압상승과 전압강하의 합은 0이다'라고도 표현 할 수 있는데, 식 V + (-V1) + (-V2) + (-V3) = 0가 이를 나타낸다. 키르히호프의 전압 법칙은 전하 보존과 에너지 보존에 의한 결과이다. 2. 키르히호프의 전류 법칙 키르히호프의 전류법칙은 '회로의 접속점으로 들어오는 ...2025.04.28
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