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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.101. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200 mV였고, 10K 저항을 연결한 후 측정한 전압이 100 mV였다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Function generator와 저항으로 이를 구현할 때 Function generator의 출력을 100 mV로 설정해야 한다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 2 KHz의 센서 출력을 증폭하여 출력이 1 V인 Inverting Amplifier를 설계하였다....2025.05.10
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A+받은 에미터 공통 증폭기 전압이득 결과레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기 회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기 회로의 전압이득 특성을 확인하였습니다. PSPICE 시뮬레이션 결과와 실험 결과를 비교하여 분석하였으며, 입력전압과 출력전압의 위상 차이, 전압이득 등을 확인하였습니다. 실험에 사용된 소자와 시뮬레이션에 사용된 소자의 특성 차이로 인해 약간의 오차가 있었지만, 에미터 공통 증폭기 회로의 기본적인 동작 원리를 이해할 수 있었습니다. 1. 에미터 공통 증폭기 회로 에미터 공통 증폭기 회로는 트랜지스터를 이용한 기본적인 증폭 회로 중 하나입니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하...2025.05.10
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중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서62025.01.201. 위상 검출기 설계실습 계획서6-3-3에서는 XOR를 이용한 위상 검출기의 특성을 PSpice 시뮬레이션을 통해 파악하고, V1과 V2의 위상 차이 변화에 따른 Vout 전압의 평균값 특성을 확인하였습니다. 입력 A, B에 대해 위상차가 0, 0이 아닌 값, 180도일 때의 출력 Y를 분석하여 XOR 게이트가 정상적으로 동작하는 것을 확인하였습니다. 2. 위상 고정 루프 설계 설계실습 계획서6-3-4에서는 그림 6-2의 위상 고정 루프 회로를 PSpice로 설계하고, VCO, phase detector, loop filter 각...2025.01.20
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전자회로설계실습 3번 예비보고서2025.01.201. 전자회로설계실습 전자회로설계실습 과정에서 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다룹니다. 이를 위해 필요한 실습준비물과 설계실습 계획서를 포함하고 있습니다. 2. 전파정류회로 전파정류회로는 교류전원을 직류전압으로 변환하는 회로입니다. 이 보고서에서는 Bridge 방식 전파정류회로에 커패시터와 부하저항을 병렬로 연결한 회로를 설계하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 전압강하, 리플 전압 등의 특성을 계산하고 PSPI...2025.01.20
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A+ 전자회로설계실습_Oscillator 설계2025.01.211. OP-Amp를 이용한 Oscillator 설계 이 실습에서는 OP-Amp를 이용한 Oscillator(신호발생기)를 설계하고 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형을 학습합니다. 주어진 조건에서 T1=T2=0.5ms가 되도록 Oscillator 회로를 설계하고, PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 전압(vo), 반전 입력 전압(v-), 비반전 입력 전압(v+)의 파형을 확인합니다. 또한 T1, T2, 문턱 전압 VTH, VTL의 값을 측정합니다. 설계...2025.01.21
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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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실험 05_BJT 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로는 가장 기본적인 바이어스 회로로, 저항 R_B1 또는 R_B2의 변화에 따라 V_BE 전압과 I_C의 변화가 심...2025.04.27
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[기초전자실험 with pspice] 09 노턴의 정리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 노턴의 정리 노턴의 정리는 '전원이 포함된 회로망은 하나의 등가전류원 및 병렬로 연결된 등가저항으로 바꿀 수 있다'로 정의됩니다. 이렇게 만들어진 회로를 노턴 등가회로라 합니다. 노턴 등가회로는 전류원과 저항을 병렬로 연결되게 만드는데, 이는 전류분배법칙은 병렬연결에서 사용되기 때문에 병렬로 등가회로를 만들면 전류분배공식으로 외부에 연결되는 저항에 흐르는 전류의 크기를 구할 수 있기 때문입니다. 2. 노턴 등가회로 구하는 과정 노턴 등가회로를 구하는 과정은 다음과 같습니다: (1) 부하저항을 제거하고, 단락된 단자 a와 b를 ...2025.04.28
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전자회로 설계 및 실습 예비보고서 3: Voltage Regulator 설계2025.05.141. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC Power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 2. 직류전압 공급기 설계 5 kΩ의 부하(R_L)에 걸리는 직류전압의 최대치(V_P)가 4.4 V이며, ripple(V_r)이 0.9 V 이하가 되도록 교류입력전원의 크기를 결정하고 커패시터(C)의 크기를 설계한다. 다이오드의 저항은 0.7 kΩ으로 가정한다. 3. PSPICE 시뮬레이션 PSPICE로 회로를 그리고 분석하여 부하에 걸리는 파형을 제출한다. 최대 전압 V...2025.05.14
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