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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
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[예비보고서] 5.전압 제어 발진기 (VCO)2025.04.251. 슈미츠 회로의 특성 본 실습에서 IC로 UA741 Op amp를 이용한다. 목적은 전압제어 발진기(VCO: Voltage Controlled Oscillator)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 확인하는 것이다. 이 때 적분기 회로에 인가되는 전압의 크기에 따라 출력 전압이 일정한 값에 도달하는 시간이 변하는 것을 이용하여 주파수를 제어한다. Large signal voltage gain 로 주어진 UA741의 반전 및 비반전 입력 단자를 virtual short로 간주할 수 있어 일반적인 적분기 회로의 구성에 ...2025.04.25
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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중앙대 전자회로설계실습 결과1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 A+2025.01.271. Op Amp를 이용한 Amplifier 설계 본 실험에서는 Op Amp를 이용하여 다양한 Amplifier 회로를 설계하고 분석하였다. 먼저 센서 구현을 위해 Function generator를 이용하여 정현파를 생성하고 오실로스코프로 측정하였다. 다음으로 Inverting Amplifier 회로를 설계하여 이득을 측정하고 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교하였다. 또한 입력 범위와 주파수 응답 특성을 분석하였으며, 입력 임피던스 변화에 따른 출력 전압 변화를 관찰하였다. 실험 결과를 토대로 설계 목표와의 오차 원인을 분석하고...2025.01.27
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Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.011. 센서의 Thevenin 등가회로 구현 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하였을 때 200 [mVpp]로 측정되었고, 센서의 부하로 10 [kΩ] 저항을 연결한 후 10 [kΩ] 저항에 걸리는 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 100 [mVpp]로 측정되었다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로의 Vth는 200 [mVpp], Rth는 10 [kΩ]임을 알 수 있다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 Thevenin 등가회로를 (-) 입력단자에 연결하고, 출력단자와 (-) 입력단...2025.05.01
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 8 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.011. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계에서는 그림 1의 Current Source 회로를 이용하여 IREF = 10 mA인 전류원을 설계하는 것이 목표입니다. 이를 위해 (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 활용하여 (1/2)kn'(W/L)을 구하고, (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 M2의 VGS와 R1 값을 계산합니다. (C) M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 구하고, (D) OrCAD로 IO = ...2025.05.01
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전자공학응용실험 ch17 능동부하가 있는 공통 소오스 증폭기 예비레포트2025.05.031. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 정전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 전류 전원 및 전류 미러 집적 회로 설계의 바이어싱은 일정한 전류 전원을 이용한다. 전류 미러는 바이어싱에 사용될 뿐만 아니라, 때때로 전류 증폭기로도 쓰인다. 전류 전원과 전류 미러는 유한한 ...2025.05.03
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아주대학교 A+전자회로실험 실험5 예비보고서2025.05.091. 능동 필터 회로 실험 목적은 능동 필터 회로를 사용하여 1차 저역 통과 필터, 2차 저역 통과 필터, 2차 고역 통과 필터를 구성하고 차단 주파수와 전압 이득, 데시벨 이득을 알아보는 것입니다. 수동 필터와 능동 저역 통과 필터, 2차 능동 저역 통과 필터, 2차 능동 고역 통과 필터에 대한 이론을 설명하고 있습니다. 실험 과정, 이론에 따른 파형 및 결과 예상, Pspice 시뮬레이션 결과, 이론과 시뮬레이션 결과 비교 및 오차 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. 능동 필터 회로 능동 필터 회로는 수동 필터 회로에 비해 더 ...2025.05.09
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전자회로설계실습 6차 예비보고서2025.05.101. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β = 100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(vo/vin)이 –100 V/V이며 emitter 저항 사용한 Commom Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 2. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier에서 Rsig = 50 ...2025.05.10
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