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[기초전자실험 with pspice] 18 RC 및 RL 병렬회로 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. RC 병렬회로 RC 병렬회로에서는 전압에 위상차가 없지만, 저항과 커패시터를 흐르는 전류 사이에 위상차가 발생한다. 커패시터에서 흐르는 전류는 전압보다 90도 앞선다. 전체 전류는 저항과 커패시터를 흐르는 전류의 벡터합으로 나타낼 수 있으며, 옴의 법칙을 이용하여 임피던스를 계산할 수 있다. 2. RL 병렬회로 RL 병렬회로에서는 전압에 위상차가 없지만, 저항과 인덕터를 흐르는 전류 사이에 위상차가 발생한다. 인덕터에서 흐르는 전류는 전압보다 90도 앞선다. 전체 전류는 저항과 인덕터를 흐르는 전류의 벡터합으로 나타낼 수 있으...2025.04.28
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공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02
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중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 10. RLC 회로의 과도응답 및 정상상태응답2025.04.291. RLC 직렬회로의 공진주파수 및 진동주파수 계산 RLC 직렬회로에서 공진주파수(ωo)와 진동주파수(ωd)를 계산하는 방법을 설명하였습니다. R = 500 Ω, L = 10 mH, C = 0.01 μF인 경우 ωo = 15915 Hz, ωd = 15914 Hz로 계산되었습니다. 2. RLC 회로의 과도응답 시뮬레이션 RLC 직렬회로에 0 ~ 1 V, 1 kHz, 듀티 사이클 50%의 사각파 입력을 인가했을 때의 과도응답을 PSpice 시뮬레이션으로 확인하였습니다. 부족감쇠(under-damped) 응답이 나타났습니다. 3. RL...2025.04.29
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.291. Op Amp를 이용한 Amplifier 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습 예비보고서 1에 대한 내용입니다. 주요 내용은 Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계입니다. 구체적으로는 센서의 출력신호를 증폭하기 위한 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것입니다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구하고, 이를 바탕으로 각 Amplifier 회로를 설계하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 주파수 특성을 분석하였습니다. 또한 실제...2025.04.29
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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실험 08_공통 베이스 증폭기 예비보고서2025.04.271. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. 공통 베이스 증폭기의 전압 이득 공통 베이스 증폭기의 전압 이득은 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있으며, 크기는 공통 이미터 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다. 3. 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스는 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있...2025.04.27
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실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. NMOS와 PMOS의 구조와 동작 원리가 서로 반대이지만 기본적인 동작 원리는 동일하다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET에는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지...2025.04.27
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중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifier 설계2025.04.291. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50 Ω, Rc = 5 kΩ, Vcc = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Ic가 kΩ단위이고 amplifier gain(Vout/Vin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect 무시, 최대전력 전달을 위한 부하저항 결정, 증폭기 이득 계산, 바이어스 전압 및 저항 값 도출 등의 내용이 포함되어 있...2025.04.29
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중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.04.291. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가했습니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 전압의 최대값, 최소값, 증폭기 이득, 전체 전압 이득 등을 구했습니다. 또한 입력 신호 주파수 변화에 따른 주파수 특성을 분석하여 unity gain frequency와 3dB frequency를 확인했습니다. 이후 emitter 저항과 커패시터 값을 변경했을 때의 주파수 특성 ...2025.04.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 10. Oscillator 설계2025.04.301. Oscillator 설계 설계실습 10. Oscillator 설계요약: R1=R2=R=1kΩ, C=0.47uF으로 Oscillator를 설계하고 이에 나타나는 VO, V+, V-의 파형을 확인하고 T1, T2, VTH, VTL을 측정하였으며 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교해보았다. R1의 값을 1/2배, 2배로 감소, 증가시켜보며 즉, β값을 감소(β=0.333), 증가(β=0.666)시켜보며 나타나는 변화를 확인해 보았고 β가 감소, 증가함에 따라 T1, T2, VTH, VTL 또한 증가, 감소함을 확인할 수 있었다....2025.04.30
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