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[전자공학실험2] MOSFET 증폭기의 주파수 응답2025.04.271. MOSFET 증폭기의 주파수 응답 실험을 통해 MOSFET의 small signal 등가 회로를 사용하여 common source 증폭기의 저주파 및 고주파 차단 특성을 이해하고, common source 증폭기를 구성하여 주파수 응답 특성을 해석하고 측정하였습니다. 실험 결과 저주파 대역에서는 magnitude response가 fitting line보다 조금 높게 나타났는데, 이는 41.8 Hz의 zero frequency를 가지기 때문에 생기는 현상이었습니다. 고주파 대역에서는 fitting line보다 조금 낮게 나타났...2025.04.27
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전자공학실험 8장 공통 베이스 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 적기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 공통 베이스 증폭기의 전압 이득은 g_m R_C로 표현할 수 있으며, 입력 임피던스는 1/g_m으로 구할 수 있다. 공통 베이스 증폭기는 임피던스가 수십 ohm 정도로 매우 작으므로, 전압을 받아들이는 용도보다는 전류를 받아들이는 용도로 많이 사용된다. 2. 공통 베이스 증폭기 회로 분석 실험회로...2025.01.13
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울산대학교 전기전자실험 15. 증폭기의 주파수 응답2025.01.121. 증폭기의 주파수 응답 이번 실험에서는 주파수 변화에 따른 증폭기의 이득과 위상 변화를 관찰하였습니다. 저주파 영역에서는 주파수가 증가함에 따라 전압 이득과 위상 차이가 증가하였고, 고주파 영역에서는 전압 이득과 위상이 감소하는 것을 확인할 수 있었습니다. 이러한 관계를 나타내는 그래프를 Bode plot이라고 하며, 이는 증폭기의 주파수 특성을 이해하는 데 중요한 도구입니다. 또한 이론값과 측정값 사이에 오차가 발생한 이유는 그래프를 통해 정확한 주파수를 구하기 어려웠고, 주파수 구간 사이의 값을 알 수 없었기 때문입니다. 1...2025.01.12
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서강대학교 22년도 전자회로실험 9주차 결과레포트2025.01.131. MOSFET 특성 및 바이어스 회로 MOSFET은 p-type substrate 위에 n+의 source, drain단자를 구성하고, 채널과 oxide로 분리되어있는 Gate를 이용해 channel에 전류가 흐르는 것을 조절하는 3 terminal device이다. NMOS의 ID – VDC 특성에서 VG가 threshold voltage Vth보다 크다면, n-channel이 형성되어 드레인과 소스 사이에 전류가 흐를 수 있다. 이때 VDS에 따라 MOS의 동작 영역이 triode region과 saturation regio...2025.01.13
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전자회로설계실습 1번 예비보고서2025.01.201. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 이 보고서는 출력저항이 큰 센서의 출력신호를 증폭하는 Inverting, Non-Inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구하고, 이를 바탕으로 각 증폭기 회로를 설계하고 PSPICE 시뮬레이션을 수행하였습니다. 또한 실제 측정을 통해 증폭기의 특성을 분석하고 비교하였습니다. 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 Op Amp(Operational Ampli...2025.01.20
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AM Radio Receiver 실험설계 결과보고서2025.01.041. AM 복조 회로 AM 복조는 Envelope Detector, Buffer Amp, Attenuator, Push-Pull Amp로 구성됩니다. Envelope Detector는 수신 신호의 포락선을 검출하는 복조 방식으로, 수신 신호를 정류하고 저역 필터를 통해 포락선을 재생합니다. Buffer Amp는 각 회로 간 신호 레벨을 맞추기 위한 증폭기이며, Attenuator는 입력 신호를 원하는 레벨로 낮추는 역할을 합니다. Push-Pull Amp는 상보형 구조로 구성되어 전체 주기의 신호를 얻을 수 있습니다. 2. 증폭기 ...2025.01.04
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중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 결과보고서12025.05.141. Function generator 특성 및 voltage division 첫 번째 실험에서는 Function generator의 자체 특성과 voltage division에 의해 output resistance에 걸리는 전압이 어떻게 변하는지를 관측하였고, 정확하게 측정되었다. 2. Inverting amplifier 설계 및 특성 두 번째 실험에서는 inverting amplifier를 사용하였다. 예비보고서와 최대한 비슷하게 설계를 하였고, 센서의 내부저항을 고려하여 amplifier gain이 -10배가 되도록 설계하였다...2025.05.14
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 6장 연습문제 풀이2025.01.021. 포화점과 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압 계산 포화점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압, 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압을 계산하기 위해서는 베이스 전류와 베이스-에미터 전압이 필요하다. 이를 통해 컬렉터 전류와 에미터 전압을 구할 수 있다. 2. 증폭기의 최대 효율 증폭기의 최대 효율은 17%이다. 이는 증폭기의 동작 특성을 나타내는 중요한 지표이다. 3. 직류 및 교류 부하선 분석 직류 부하선과 교류 부하선을 분석하여 증폭기의 동작점과 출력 전압의 스윙 값을 구할 수 있다. 이를 통해 증폭기의 성능을 평가할 수...2025.01.02
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공통 게이트 증폭기 실험 결과 보고서2025.01.021. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 낮은 입력 저항으로 인해 매우 제한적인 응용을 갖게 된다. 때문에 공통 게이트 증폭기는 낮은 입력 임피던스를 높은 출력 임피던스로 증폭, 혹은 낮은 저항을 가지는 신호원에서 발생하는 고주파 신호를 증폭시키는 데 주로 사용된다. 전압 이득이 크지만 전압 증폭기로 널리 사용되지 않는 이유는 낮은 입력 임피던스 때문이다. 1. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 전자 회로 설계에서 중요한 역할을 합니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 기능을 수행합니다. 공통 게...2025.01.02
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Push-Pull Amplifier 설계2025.05.101. Classic Push-Pull Amplifier 특성 Push-Pull 증폭기는 NPN, PNP 2개의 BJT로 구성되어 Dead zone이라는 구간이 발생한다. 입력전압 -Vbe 인 경우 두 BJT 모두 꺼진 상태로 동작하여 출력전압은 입력 전압에 상관없이 0이 되기 때문이다. 2. Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pull Amplifier 특성 Push-Pull amplifier 출력단자를 OP-Amp (-)입력단자로 feedback시킨 것만으로 입출력 관계 전달특성곡선의 dead zone이 제거...2025.05.10
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