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전자회로설계 및 실습11_설계 실습11. Puch-Pull Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. Classic Push-Pull Amplifier 특성 Push-Pull 증폭기의 Dead Zone과 Crossover distortion 현상을 파악하고 이를 제거하는 방법에 대해 실험한다. PSpice 시뮬레이션을 통해 입출력 transfer characteristic curve와 입출력 파형을 확인하여 Dead Zone과 Crossover distortion 현상을 이해한다. 2. Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pull Amplifier 특성 Push-Pull 증폭기 출력을 OP Amp의 (-)...2025.01.22
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중앙대학교 전자회로설계실습 7주차 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.121. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 보고서는 중앙대학교 전자회로설계실습 7주차에 진행된 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성에 대한 내용을 다루고 있습니다. 보고서에는 PSPICE 시뮬레이션을 통해 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석한 결과가 제시되어 있습니다. 구체적으로 입력 신호 주파수 변화에 따른 출력 전압의 최대값, 최소값, 전압 이득 등의 변화를 확인하였고, RE 및 CE 커패시터 값 변화에 따른 주파수 응답 특성의 변화도 분석하였습니다. ...2025.01.12
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실험 12_소오스 팔로워 예비 보고서2025.04.271. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 입력 신호가 게이트에 인가되고 출력 신호가 소오스에서 감지되는 공통 드레인 증폭기이다. 출력 신호가 입력 신호를 따라가기 때문에 '소오스 팔로워'라고 불린다. 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작아 작은 부하를 구동하는데 유리하고 전압 버퍼로 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워 회로의 동작 원리와 특성을 확인하였다. 2. 소오스 팔로워의 전압 이득 소오스 팔로워의 전압 이득은 1에 가까운 값을 가진다. 저항 부하와 전류원 부하가 있는 경우 각각 식 (12.1)과 (12.2)와 같이...2025.04.27
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전자회로에서 발생하는 병목 현상에 대해 기술하시오2025.05.091. 전자회로 병목 현상 전자 회로에서 발생하는 병목 현상은 특정 구간에서 전기 신호의 흐름이 차단되어 신호의 전송이 느리거나 차단되는 현상을 말한다. 이는 전기 저항, 전기 용량, 증폭기 특성, 회로 크기 등의 요인으로 인해 발생할 수 있다. 전자 회로를 설계할 때는 이러한 병목 현상을 고려하여 최적의 회로를 구성해야 한다. 2. 전기 저항과 병목 현상 전기 저항은 전기 신호의 전송 속도를 늦추는 주요 요인 중 하나이다. 전기 신호는 전기 저항의 존재로 인해 전송 속도가 느려지기 때문에, 전자 회로에서 전기 저항을 최소화하는 것이...2025.05.09
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[전자회로응용] Two stage CS amplifier circuit 결과레포트 (만점)2025.01.281. Two stage CS amplifier circuit 이 실험에서는 Two stage CS amplifier circuit을 구현하고 이론적으로 계산한 전압이득과 시뮬레이션 및 측정값을 비교하는 것이 목표입니다. 1단 CS 증폭기의 전압이득은 -gm*RL/(1+gm*RL)이고, 2단 CS 증폭기의 전압이득은 -gm*RL/(1+gm*RL)입니다. 따라서 전체 전압이득은 1단과 2단의 전압이득을 곱한 값이 됩니다. Multisim과 MyDAQ을 사용하여 회로를 구성하고 Oscilloscope로 입출력 파형을 확인하여 이론값과 비...2025.01.28
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[전자공학응용실험]2주차_1차실험_MOSFET 기본특성 및 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아 주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인한다. 1. MOSFET 기본 특성 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 반도체 소자 중 하나로, 전자 기기에 널리 사용되는 핵심 부품입니다. MOSFET의 기본 특성은 다음과 같습...2025.01.29
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전자공학응용실험 7주차 5차 실험 공통 소오스 증폭기 결과 레포트2025.01.291. 다단 증폭기의 입력단과 출력단 조건 다단 증폭기의 입력단에서는 입력 임피던스가 커야 입력 전압이 많이 걸려 신호가 다음 단으로 잘 넘어간다. 출력단에서는 출력 임피던스가 부하 저항보다 매우 작아야 부하에 전압이 많이 걸리면서 출력 전압이 커지게 된다. 2. 다단 증폭기의 전압 이득 감소 이유 각 단의 출력 전압은 다음 증폭기에 연결될 때 다음 단의 저항에 의해 전압 분배가 일어나게 되어 최종 단의 전압 이득이 각 단마다 전압 분배가 된만큼 감소하여 나타나게 된다. 3. 실험 회로 변경 이유 처음 50kΩ 저항으로 진행하였을 때...2025.01.29
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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서강대학교 22년도 전자회로실험 5주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 바이폴라 트랜지스터 BJT 바이폴라 트랜지스터는 두개의 pn 접합이 연결된 구조로, 세개의 단자 베이스, 이미터, 콜렉터가 있다. 바이폴라 트랜지스터의 전압-전류 특성은 IC와 IB의 비를 β라고 하며, 보통 100~200의 큰 값을 가진다. 하지만 IE와 IC의 비인 α는 1에 매우 가까운 수치가 된다. BJT는 VCE, VBE에 따라 동작 영역이 바뀌게 되는데, 일반적으로 가장 많이 BJT를 활용할 수 있는 영역은 능동영역으로, VCE가 VCEsat (=0.4V) 이상이고, VBE는 다이오드의 턴온전압과 비슷한 0.7V 이...2025.01.12
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전자공학실험 18장 증폭기의 주파수 응답 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 분석하여 대역폭(bandwidth)의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 어느 주파수 대역까지 증폭기의 전압 이득이 유지되는지를 알아야 한다. 또한 증폭기의 전류나 면적이 제한되어 있을 때 증폭기 전압 이득과 대역폭의 곱은 일정한 관계가 성립하는데, 실험을 통해 이러한 관계를 이해하고자 한다. 2. 공통 소스 증폭...2025.01.13
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