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전자회로설계 및 실습7_설계 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성_결과보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이번 실습에서는 이전에 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성과 커패시터들의 영향을 측정하고 평가하였습니다. 실험 결과, 전압 및 전류 측정에서 평균 2.5% 이하의 오차를 얻을 수 있었고, 1MHz 이하의 주파수 대역에서는 실험 결과와 시뮬레이션 값의 차이가 작았습니다. 하지만 1MHz 이상의 고주파 대역에서는 오차가 크게 나타났습니다. 이는 가변 저항 값의 오차와 입력 전압이 작아 오실로스코프에서 정확한 측정이...2025.01.22
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대학물리및실험2_실험4_R-C 회로실험2025.01.151. 축전기 축전기는 전자회로에서 전하를 충전하거나 방전하는 역할을 한다. 보통 2장의 서로 절연된 금속판 또는 도체판을 전극으로 하고 그 사이에 절연체 또는 유전체를 넣는다. 이상적인 평행판 축전기의 경우, 축전기의 전기용량 C의 크기는 전극의 면적 A에 비례하고, 전극 사이의 거리 d에 반비례한다. 전극 사이의 유전체의 유전율을 ε(엡실론)이라고 하면, 전기용량 C는 가 된다. 따라서 전극의 표면적이 클수록, 간격이 좁을수록, 또 유전체의 유전율이 클수록 전기용량이 커진다. 2. 시상수 축전기에 직류전압을 가하면 전하가 완전히 ...2025.01.15
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[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)2025.01.281. MOSFET의 I-V curve MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하였습니다. triode 영역에서는 드레인 전류가 선형적으로 증가하며, saturation 영역에서는 드레인 전류가 일정한 값을 유지합니다. 이는 MOSFET의 동작 원리와 관련이 있습니다. 2. 2N7000 소자의 I-V 특성 DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V 특성을 확인하였습니다. 이를 통해 MOSFET의 동작 영역과 특성을 이해할 수 있었습니다. 3. 2...2025.01.28
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[A+인증] 회로실험 레포트 모음2025.01.231. 트랜지스터 특성 곡선 측정 이번 실험에서는 NPN형 트랜지스터에서 베이스의 전류에 따라 컬렉터의 전류가 달라짐을 관찰했습니다. 또한, 베이스에 걸리는 전류에 따른 컬렉터와 에미터 사이에 걸린 전류를 나타내는 특성 곡선을 도출했습니다. 실험 결과를 통해 트랜지스터의 증폭 작용은 베이스 전류에 의해 결정된다는 것을 알 수 있었습니다. 다만 일부 오차가 발생한 원인으로는 가변 저항 조정의 어려움, 도선 저항, 발열 현상 등을 들 수 있습니다. 1. 트랜지스터 특성 곡선 측정 트랜지스터 특성 곡선 측정은 전자공학 분야에서 매우 중요한...2025.01.23
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 6 공통 이미터 증폭기)2025.01.291. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 소신호 등가회로 NPN형 BJT의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 동작을 소신호 영역에서 분석하기 위해 사용되는 회로다. 이 회로에서는 BJT의 작동을 저항과 전류원으로 나타내어,...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 전압 이득을 구하는 것이 목적이다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 일반 저항 대신 MOSFET을 부하로 사용하여 출력 임피던스를 크게 만들고, 높은 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 고성능이 요구되는 증폭 회로에서 사용되며, 작은 입력 변화에도 큰 출력 증폭을 가능하게 하는 장점이 있다. 2...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 3 정전압 회로와 리미터)2025.01.291. PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로 PN 접합 다이오드를 직렬로 연결하여 일정한 전압을 출력하는 전압 레귤레이터 회로. 다이오드의 내부 저항과 저항 R의 비율에 따라 라인 레귤레이션 특성이 결정되며, 부하 레귤레이션 성능도 다이오드의 내부 저항에 따라 달라진다. 2. 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로로, 제너 다이오드가 역방향으로 동작하여 일정한 제너 전압에서 전압을 유지한다. 제너 다이오드는 높은 전압에서도 안정적인 전압 레귤레이션이 가능하며, 부품의 수를...2025.01.29
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[전자회로실험] 반전 적분기 결과보고서2025.05.101. 반전 적분기 실험 실험에서는 741 연산 증폭기, 전원 전압 V+ = 15V, V- = -15V, 저항 R = 10kΩ, 커패시터 C = 0.1㎌로 구성된 반전 적분기 회로를 브레드보드에 구현하였다. 입력 신호는 피크간 전압 10V, 평균 전압 0V, 주파수 1kHz의 대칭 구형파를 사용하였다. 입력 신호와 출력 신호를 오실로스코프로 측정하고 이론적 계산 결과와 비교하였다. 또한 커패시터와 병렬로 큰 저항 200kΩ을 연결하여 오프셋 전압 문제를 해결하는 실험을 진행하였다. 2. 주파수 영역 분석 주파수 영역 분석에서는 입력 ...2025.05.10
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건국대학교 전자회로1 SPICE12025.01.291. 전자회로1 SPICE 과제 이 프레젠테이션은 전자회로1 SPICE 과제에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 입력 신호(Vin)와 출력 신호(Vdc)의 파형, 커패시터(C)의 값을 찾는 절차, 그리고 리플 전압(Vpp)을 줄이기 위한 인덕터(L)의 값 계산 과정입니다. 초기에는 10uF의 커패시터를 사용했지만, 원하는 리플 전압 0.07V와 차이가 크게 나서 근사 계산을 통해 약 85.5uF의 인덕터 값을 찾아내었고, 이를 통해 목표 리플 전압에 근접한 결과를 얻을 수 있었습니다. 1. 전자회로1 SPICE 과제 전자회...2025.01.29
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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 10주차2025.05.041. RC 회로 RC 회로에서는 주파수가 커질수록 전압이 작아졌다. 이는 캐패시터의 특성 때문에 주파수가 높아질수록 캐패시터의 임피던스가 낮아져 전압이 감소하는 것으로 이해할 수 있다. 2. RL 회로 RL 회로에서는 주파수가 커질수록 회로에 흐르는 전류의 절대값이 작아졌다. 이는 인덕터의 특성 때문에 주파수가 높아질수록 인덕터의 임피던스가 높아져 전류가 감소하는 것으로 이해할 수 있다. 3. RLC 회로 RLC 회로에서는 공진주파수를 기점으로 전압이 작아졌다. 이는 캐패시터와 인덕터의 임피던스가 서로 상쇄되어 전압이 증폭되다가 공...2025.05.04
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