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서강대학교 22년도 전자회로실험 12주차 결과레포트2025.01.131. 주파수 응답 실험을 통해 주파수 응답 특성을 확인하였다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 입력 신호의 주파수 변화에 따른 출력 신호의 변화를 관찰하였고, 실제 회로 구성을 통해 측정한 결과와 비교하였다. 저주파 대역 차단 주파수와 고주파 대역 차단 주파수를 측정하고 이론값과 비교하였으며, 오차 발생 원인을 분석하였다. 2. 능동 필터 샐런키 필터 회로를 PSPICE와 브레드보드로 구성하여 실험하였다. 입력 신호의 주파수 변화에 따른 출력 신호의 변화를 관찰하고, 통과 대역 이득과 고주파 대역 차단 주파수를 측정하여 이론값과 비교...2025.01.13
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전자회로실험_A+레포트_BJT Common Emitter, Common Collector2025.01.131. NPN, PNP형 BJT 공통 이미터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 이미터 증폭기의 회로 구성과 동작을 확인하였다. NPN형 BJT 공통 이미터 증폭기에서 동작점 전류는 IBQ 0.05 μA, ICQ 18.60 mA이고, VBEQ 1.960 V, VCEQ 12.98 V로 측정되었다. 전압이득 α는 0.99로 1에 가까운 값이 나왔다. 공통 이미터 증폭기는 부하저항이 높기 때문에 전류 증폭보다는 전압 증폭으로 사용한다. 2. NPN, PNP형 BJT 공통 컬렉터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 컬렉...2025.01.13
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[전자회로실험] 연산증폭기의 비이상적 특성 결과보고서2025.04.261. 옵셋 전압 실험 결과 입력 옵셋 전압이 매우 작기 때문에 출력 옵셋 전압에 1000을 나누는 식으로 입력 옵셋 전압을 구했다. 출력 옵셋 전압을 측정할 때도 값이 큰 폭으로 널뛰어서 측정에 많은 주의를 기울여야 했다. 직접 측정한 출력 옵셋 전압에 1000을 나눈 값은 각각 –1.867mV와 –1.787mV로, opamp 제작사에서 배포한 입력 오프셋 전압인 0~6mV 범위 안에 포함된다. 2. 입력 바이어스 및 옵셋 전류 입력 전류는 저항을 크게 설정해도 직접 측정하기 어려울 정도로 작아서, 출력 전압에 저항 값 200k Ω...2025.04.26
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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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7-segment LED와 Decoder 회로 설계2025.01.091. 7-segment LED 7-segment LED는 숫자를 표시하는 7개의 LED와 소수점을 나타내는 1개의 LED로 구성되어 있으며, common cathode type과 common anode type이 있다. common cathode type에서는 공통단자에 High voltage를 연결하여 선택적으로 LED를 점등하고, common anode type에서는 공통단자에 High voltage를 연결하고 점등하고자 하는 segment에만 Low voltage를 연결하여 선택적으로 LED를 점등한다. 2. Decoder 디...2025.01.09
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 바이어스 회로2025.05.161. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 3. NPN형 BJT의 자기 바이어스 회로 NPN형 BJT의 자기...2025.05.16
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아주대학교 A+전자회로실험 실험3 결과보고서2025.05.091. 미분기 회로 실험 1에서는 미분기 회로의 특성을 알아보고, 회로를 구성한 후 측정한 출력 값을 이론, 시뮬레이션 값과 비교하여 입/출력 전압 관계식을 검증하였다. 실험 결과 이론, 시뮬레이션 값과 비교했을 때 오차가 3%~7%정도로 크지 않았으며, 미분기의 입출력 관계식이 V_o = -R_F C dV_i/dt와 같음을 확인할 수 있었다. 또한 미분기가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것도 관찰할 수 있었다. 2. 반전증폭기 실험 결과에서 미분기 회로가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것을 확...2025.05.09
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A+받은 에미터 공통 증폭기 전압이득 결과레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기 회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기 회로의 전압이득 특성을 확인하였습니다. PSPICE 시뮬레이션 결과와 실험 결과를 비교하여 분석하였으며, 입력전압과 출력전압의 위상 차이, 전압이득 등을 확인하였습니다. 실험에 사용된 소자와 시뮬레이션에 사용된 소자의 특성 차이로 인해 약간의 오차가 있었지만, 에미터 공통 증폭기 회로의 기본적인 동작 원리를 이해할 수 있었습니다. 1. 에미터 공통 증폭기 회로 에미터 공통 증폭기 회로는 트랜지스터를 이용한 기본적인 증폭 회로 중 하나입니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하...2025.05.10
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A+받은 차동증폭기 예비레포트2025.05.101. 차동 증폭기 차동 증폭기는 두 개의 입력을 가진 두 개의 트랜지스터와 두 개의 출력을 가지고, 좌우 대칭이며, 동일한 특성을 갖는 소자를 사용한다. 에미터 저항과 콜렉터 저항은 공통이며, 출력신호는 두 입력신호의 차이에 비례한다. 차동 증폭기는 공통 모드와 차동 모드로 동작할 수 있으며, 공통 모드에서는 출력이 0이 되고 차동 모드에서는 두 입력신호의 차이를 증폭한다. 단일 입력을 갖는 차동 증폭기와 차동 모드 입력을 갖는 차동 증폭기에 대해 설명하고 있다. 2. 차동 증폭기 실험 실험 1에서는 단일 입력을 갖는 차동 증폭기 ...2025.05.10
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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