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A+ 전자회로설계실습_Voltage Regulator 설계2025.01.211. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 전파정류회로는 입력 주파수의 1/2배인 출력 주파수를 가지며, 이를 이용하여 출력 전압의 리플 전압을 최소화하도록 설계합니다. 2. 전원 설계 5 KΩ의 부하(RL)에 걸리는 직류전압의 최대치(Vp)가 4.4 V이며, 리플(Vr)이 0.9 V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터(C)의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0.7 KΩ으...2025.01.21
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공진회로(Resonant Circuit)와 대역여파기 설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. 공진회로(Resonant Circuit) 전자전기 장비에서 많이 사용되는 RLC 공진 회로를 이용하여 Bandpass filter, Bandstop filter를 설계하였다. bandpass filter의 Q-factor가 1, 10일 때 각각 공진주파수, 반전력 주파수, 대역폭, Q-factor의 이론치와 실험치를 비교하였다. 또한 bandstop filter를 구성하고 Q-factor가 1일 때 공진주파수, 반전력 주파수, 대역폭, Q-factor의 이론치와 실험치를 비교하였다. 두 과정에서 오차를 구해 얼마나 실험이 잘 ...2025.04.25
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.291. Op Amp를 이용한 Amplifier 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습 예비보고서 1에 대한 내용입니다. 주요 내용은 Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계입니다. 구체적으로는 센서의 출력신호를 증폭하기 위한 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것입니다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구하고, 이를 바탕으로 각 Amplifier 회로를 설계하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 주파수 특성을 분석하였습니다. 또한 실제...2025.04.29
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 3. Voltage Regulator 설계2025.04.291. 전파정류회로 전파정류회로는 브리지 방식 정류회로로, 다이오드로 인한 전압강하가 2번 발생합니다. 따라서 부하저항 Rl의 2배를 사용하여 식을 변형하였습니다. 전파정류회로의 방전 주기는 반주기(T/2)이므로, 교재의 반파정류회로 수식을 변형하여 사용하였습니다. 2. 직류전압 공급기 설계 문제에서 제시된 조건을 만족시키기 위해 입력전원의 크기와 주파수, 커패시터의 크기를 계산하였습니다. 입력전원은 진폭 5.632V, 주파수 4.889kHz 이상의 정현파를 사용하고, 커패시터는 0.1uF을 사용하면 문제의 조건을 모두 만족시킬 수 ...2025.04.29
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중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifier 설계2025.04.291. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50 Ω, Rc = 5 kΩ, Vcc = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Ic가 kΩ단위이고 amplifier gain(Vout/Vin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect 무시, 최대전력 전달을 위한 부하저항 결정, 증폭기 이득 계산, 바이어스 전압 및 저항 값 도출 등의 내용이 포함되어 있...2025.04.29
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 3. Voltage Regulator 설계2025.04.301. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC Power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 전파정류회로에서는 양의 주기와 음의 주기 모두에서 2개의 다이오드가 동작하여 전압 분배가 발생한다. 따라서 입력 전압에서 다이오드 2개의 전압만큼 빼준 값이 부하에 출력되는 전압이 된다. 2. 리플 전압 전파정류회로에서 발생하는 리플 전압은 입력 주파수와 평활 커패시터 값에 따라 결정된다. 설계에서는 리플 전압이 0.9V 이하가 되도록 커패시터 값을 10uF로 설계하였다....2025.04.30
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.04.301. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하여 릴레이 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 내용을 다루고 있습니다. BJT 2N3904를 사용하여 LED를 구동하는 회로를 설계하고, BJT가 포화 영역에서 동작하도록 회로 파라미터를 설정하는 방법을 설명합니다. 또한 MOSFET 2N7000을 이용한 LED 구동 회로를 설계하고, MOSFET의 트라이오드 영역에서의 동작 특성을 활용하여 ...2025.04.30
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifer 설계2025.04.301. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자전기공학부의 전자회로설계실습 예비보고서 6번 과제인 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 이 과제의 목적은 NPN BJT를 사용하여 입력저항 50Ω, 부하저항 5kΩ, 전원전압 12V인 경우에 증폭기 이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정 및 평가하는 것입니다. 이를 위해 Early effect를 무시하고 이론적인 계산을 통해 emitter 저항, 바이어스 전...2025.04.30
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