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전자회로설계 및 실습1_설계 실습1. OP Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호가 주파수 2kHz의 정현파이고 peak to peak 전압이 200mV인 것을 확인했다. 센서의 부하로 10KΩ 저항을 연결했을 때 peak to peak 전압이 100mV로 감소했다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Function generator와 저항으로 이를 구현할 수 있다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계했다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결...2025.01.22
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중앙대학교 전자회로설계실습 3주차 Voltage Regulator 설계2025.01.121. 전해콘덴서 전해콘덴서는 미리 단락해서 방전시킨 후에 충전방향을 예상해서 극성에 맞게 연결하여 회로를 구성한다. 이때 실습계획서에서 설계한 값을 사용한다. 2. 전압 조정 Function generator를 조정하여 A와 B 사이의 전압파형이 실습계획서에서 구한 값이 되도록 한다. 1. 전해콘덴서 전해콘덴서는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 전해콘덴서는 전압 평활화, 바이어스 전압 제공, 결합 및 차단 등의 기능을 수행합니다. 전해콘덴서는 극성이 있어 올바른 극성으로 연결해야 하며, 과전압이나 과전류에 주의해야 합니다...2025.01.12
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[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 결과보고서 3 - Voltage Regulator 설계2025.01.241. 전자회로 설계 이 보고서는 중앙대학교에서 진행된 전자회로 설계 실습 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 브리지 방식 정류회로 설계, 정류 현상 관찰, 다이오드와 커패시터 특성 이해, Voltage Regulator를 통한 AC-DC 변환 및 정전압 유지 등입니다. 실험 과정에서 발생한 오차 요인 분석과 개선 방안도 제시되어 있습니다. 2. 브리지 정류회로 보고서에서는 4개의 다이오드를 사용하는 브리지 방식 정류회로를 설계하고 제작하였습니다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하여 실제 사용된 변압기의 비율이 1:1.27임을 확인하...2025.01.24
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전자회로설계 및 실습2_설계 실습2. OP Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계_예비보고서2025.01.221. Offset Voltage OP Amp의 offset 전압을 측정하는 방법에 대해 설명합니다. 이상적인 OP AMP에서는 두 입력단자를 접지하면 출력전압이 0V가 되지만, 실제 OP AMP에서는 내부에 offset voltage가 존재하여 출력전압이 0V가 아닙니다. 이 offset voltage를 측정하기 위해서는 이득이 100(V/V)와 1000(V/V)인 반전 증폭기를 설계하고, 두 입력단자를 접지한 상태에서 출력전압을 측정하여 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 offset voltage를 최소화하는 방법으로 가변저항을 ...2025.01.22
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서3_Voltage Regulator 설계2025.01.111. DC Power Supply DC Power Supply는 직류전압을 공급하는 회로를 만들 때 중요한 계측기이다. 따라서 DC Power supply를 이해하는 것이 중요하다. 변압기, 다이오드, 커패시터를 이용하여 브리지 방식의 정류회로를 구성하였고 오실로스코프로 교류 성분의 파형을 알아보았다. 2. 정류회로 설계 다이오드를 이용해 브리지 방식의 정류회로 형태의 DC Power supply를 구성하였다. Function generator의 Amplitude를 5 V, Frequency를 10 ㎑의 입력신호를 회로에 공급하였고...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 1_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.111. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200㎷이었고, 센서의 부하로 10㏀ 저항을 연결한 후 10㏀ 저항에 걸리는 전압을 측정하여 peak to peak 전압이 100㎷이었다. 이를 바탕으로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였다. 또한 Function generator와 저항으로 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 제시하였다. 2. Inverting ...2025.01.11
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서62025.01.121. Common Emitter Amplifier 설계 전자회로설계실습 결과보고서설계실습 6에서는 Common Emitter Amplifier 회로를 구현하고 측정하였습니다. 실험 과정에서 이론값과 측정값의 오차가 발생하였는데, 그 원인으로는 가변저항의 값이 이론값과 달랐고, 측정 단위가 작아 측정값의 영향을 많이 받았으며, 측정 장비의 오차가 수식을 통한 계산에 증폭되었기 때문으로 분석되었습니다. 전반적으로는 만족스러운 실험이었지만, 일부 측정값에서 큰 오차가 발생하였기 때문에 개선이 필요한 것으로 보입니다. 다음 실험에서는 가변...2025.01.12
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전자회로 설계 및 실습 예비보고서 3: Voltage Regulator 설계2025.05.141. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC Power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 2. 직류전압 공급기 설계 5 kΩ의 부하(R_L)에 걸리는 직류전압의 최대치(V_P)가 4.4 V이며, ripple(V_r)이 0.9 V 이하가 되도록 교류입력전원의 크기를 결정하고 커패시터(C)의 크기를 설계한다. 다이오드의 저항은 0.7 kΩ으로 가정한다. 3. PSPICE 시뮬레이션 PSPICE로 회로를 그리고 분석하여 부하에 걸리는 파형을 제출한다. 최대 전압 V...2025.05.14
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 9_피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)2025.01.111. Series-Shunt 피드백 회로 설계 PSPICE schematic을 그리고 입력 전압원의 값을 0V에서 +6V까지 0.1V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 입력저항을 10kΩ, 부하저항을 100Ω으로 하고 같은 작업을 반복해서 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 두 경우의 transfer characteris...2025.01.11
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