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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서 2. Switching Mode Power Supply (SMPS)2025.04.291. SMPS(Switching Mode Power Supply) SMPS는 반도체 스위치 소자의 on-off 시간을 조절하여 출력을 안정화시킨 직류 안정화 전원 장치입니다. 고효율, 소형 및 경량화가 가능하여 다수의 전자기기 및 장비 등에 사용되는 중요한 장치입니다. DC-DC 컨버터에 있어 부품의 기생 요소에 의해 출력전압의 저하가 발생하면 안정화 전원으로서의 응용이 곤란하므로 PWM 방식을 채택한 제어 회로를 이용하여 출력전압을 안정화시켜줍니다. 2. PWM 제어 회로 PWM 제어 회로를 구성하여 톱니 파형과 출력 파형을 확인...2025.04.29
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전자회로설계실습 6차 예비보고서2025.05.101. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β = 100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(vo/vin)이 –100 V/V이며 emitter 저항 사용한 Commom Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 2. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier에서 Rsig = 50 ...2025.05.10
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.211. BJT 구동 회로 설계 BJT를 이용하여 LED 구동 회로를 설계하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 경우와 inverter에 연결된 경우에 대해 각각 IB, IE, IC, VB, VC, R1, R2를 계산하고 총 소비전력을 구하였습니다. 또한 구동 신호 VIN이 5V(High)일 때와 0V(Low)일 때의 동작을 분석하였습니다. 2. MOSFET 구동 회로 설계 MOSFET을 이용한 LED 구동 회로를 설계하였습니다. MOSFET의 datasheet를 참고하여 적절한 RD(ON)을 선정하고, MOSFET의 Triode ...2025.01.21
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전자회로설계 및 실습1_설계 실습1. OP Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호가 주파수 2kHz의 정현파이고 peak to peak 전압이 200mV인 것을 확인했다. 센서의 부하로 10KΩ 저항을 연결했을 때 peak to peak 전압이 100mV로 감소했다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Function generator와 저항으로 이를 구현할 수 있다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계했다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결...2025.01.22
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Oscillator 설계2025.05.101. Oscillator 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Oscillator 회로를 OrCAD PSPICE를 사용하여 설계하고 분석하였습니다. 주어진 조건에 맞게 Oscillator 회로를 설계하고, 피드백 계수(β)와 피드백 저항(R)의 영향을 분석하였습니다. 설계한 Oscillator의 동작 원리와 시뮬레이션 결과를 제시하였습니다. 1. Oscillator 설계 오실레이터 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니다. 오실레이터는 주기적인 신호를 생성하여 다양한 전자 장치에서 사용되며, 그 성능은 전체 시스템의 ...2025.05.10
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기초전자실험 - 19장 공통 이미터 증폭기 설계2025.04.301. 공통 이미터 증폭기 설계 공통 이미터 증폭기를 설계, 구성하고 시험하였다. 직류 바이어스와 교류 증폭값을 계산하고 측정하였다. 설계 과정에서 트랜지스터 규격과 회로의 동작 조건을 상세히 정의하였다. 실제 회로를 구성하기 전에 컴퓨터를 이용한 설계를 수행하고 테스트하였다. 2N3904 트랜지스터를 사용하였으며, 회로는 VCC = 10V, Av = 100 (최소값), Zi = 1kΩ (최소값), Zo = 10kΩ (최대값), 교류 출력 전압 스윙 = 3Vp-p (최대값), 부하 저항 RL = 10kΩ (최소값)의 특성을 가져야 한...2025.04.30
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A+ 전자회로설계실습_Voltage Regulator 설계2025.01.211. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 전파정류회로는 입력 주파수의 1/2배인 출력 주파수를 가지며, 이를 이용하여 출력 전압의 리플 전압을 최소화하도록 설계합니다. 2. 전원 설계 5 KΩ의 부하(RL)에 걸리는 직류전압의 최대치(Vp)가 4.4 V이며, 리플(Vr)이 0.9 V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터(C)의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0.7 KΩ으...2025.01.21
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전자회로 설계 및 실습 결과보고서: MOSFET Current Mirror 설계2025.05.141. Current Mirror Current Mirror는 트랜지스터를 전류원으로 이용하여 같은 크기의 전류를 계속해서 만들어내는 회로입니다. 이번 실험에서는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 그 특성을 확인하였습니다. 2. 단일 Current Mirror 첫 번째 실험에서는 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정하였습니다. 실험 결과 MOSFET을 이용해 회로를 설계하면 동일한 전류(Io)가 흐르는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 ΔVo ≡ Io·ΔRo...2025.05.14
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: - MOSFET의 문턱 전압(V_T), 전류 계수(k_n), 전압 이득(g_m)을 데이터시트를 이용하여 계산하는 방법 - OrCAD PSPICE를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계하고 i_D-v_GS 특성곡선을 시뮬레이션하는 과정 - 시뮬레이션 결과를 이용하여 MOSFET의 특성 파라미터를 구하고...2025.05.14
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