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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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A+ 전자회로설계실습_Voltage Regulator 설계2025.01.211. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 전파정류회로는 입력 주파수의 1/2배인 출력 주파수를 가지며, 이를 이용하여 출력 전압의 리플 전압을 최소화하도록 설계합니다. 2. 전원 설계 5 KΩ의 부하(RL)에 걸리는 직류전압의 최대치(Vp)가 4.4 V이며, 리플(Vr)이 0.9 V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터(C)의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0.7 KΩ으...2025.01.21
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.291. Op Amp를 이용한 Amplifier 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습 예비보고서 1에 대한 내용입니다. 주요 내용은 Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계입니다. 구체적으로는 센서의 출력신호를 증폭하기 위한 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것입니다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구하고, 이를 바탕으로 각 Amplifier 회로를 설계하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 주파수 특성을 분석하였습니다. 또한 실제...2025.04.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 1_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.111. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200㎷이었고, 센서의 부하로 10㏀ 저항을 연결한 후 10㏀ 저항에 걸리는 전압을 측정하여 peak to peak 전압이 100㎷이었다. 이를 바탕으로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였다. 또한 Function generator와 저항으로 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 제시하였다. 2. Inverting ...2025.01.11
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전자회로설계실습 4차 결과보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로설계실습의 4차 실험 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 것입니다. 실험에서는 MOSFET 회로를 제작하고 전압과 전류를 측정하여 iD-vGS 및 iD-vDS 특성곡선을 구하였습니다. 측정 결과를 통해 MOSFET의 문턱전압, 트랜스컨덕턴스, 출력저항 등의 특성을 확인하였습니다. 실험 과정에서 측정 장비의 문제로 인한 오차가 발생하였지만, 전반적인 MOSFET 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFE...2025.05.10
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전자회로설계실습 9차 예비보고서2025.05.101. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기의 동작을 이해하고 시뮬레이션을 통해 입출력 특성을 분석했습니다. 입력 저항과 부하 저항 값을 변경하여 출력 전압의 변화를 확인했으며, 전원 전압 변화에 따른 출력 전압 특성도 분석했습니다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기의 동작을 이해하고 시뮬레이션을 통해 입출력 특성을 분석했습니다. LED 구동을 위한 최소 저항 값을 계산하고, 입력 저항과 피드백 저항 값 변경에 따른 출력 전류 변화를 확인했습니다....2025.05.10
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분압기(Voltage Divider) 설계 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. 분압기 설계 이 보고서는 출력전압이 12V로 고정되어 있는 DC power supply를 이용하여 정격전압이 3V±10%, 정격전류가 3mA±10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 부하 효과를 고려하지 않은 잘못된 설계와 부하를 고려한 현실적인 설계를 비교하고 있으며, 등가 부하를 고려하여 설계 목표를 만족하는 분압기 회로를 제시하고 있습니다. 1. 분압기 설계 분압기는 전기 회로에서 중요한 역할을 합니다. 입력 전압을 원하는 출력 전압으로 변환하여 다양한 전자 ...2025.04.25
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LPF와 HPF 설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. LPF 설계 RC 직렬 LPF 회로를 설계하고, 주파수 10kHz, Vpp 1V인 사인파를 인가하여 입력전압, 출력전압, 저항전압의 파형을 측정하였다. 이론값과 실험값의 오차율을 계산하고, 오차 발생 이유를 분석하였다. 또한 입력 주파수를 100kHz까지 변화시켜가며 LPF 출력전압의 최대값을 측정하여 linear-log 그래프로 나타내었다. 2. HPF 설계 RL 직렬 HPF 회로를 설계하고, 주파수 10kHz, Vpp 1V인 사인파를 인가하여 입력전압, 출력전압, 저항전압의 파형을 측정하였다. 이론값과 실험값의 오차율을 계...2025.04.25
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 2. Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.04.291. Op Amp의 Offset Voltage 측정 Op Amp의 offset 전압을 측정하는 방법에 대해 설명하였습니다. 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier를 설계하고, 두 입력 단자를 접지하여 출력전압을 측정하면 Offset Voltage를 구할 수 있습니다. 또한 Op Amp의 Offset Voltage를 최소화하는 방법도 제시하였습니다. 2. Op Amp의 Slew Rate 측정 Op Amp의 Slew Rate를 최소화하는 방법에 대해 설명하였습니다. Slew Rate는 입력 전압의 주파수를 ...2025.04.29
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