총 104개
-
중앙대 전자회로설계실습 결과보고서52025.01.121. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 보고서는 전자회로 설계실습 과정에서 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 릴레이 또는 LED를 구동하여 각각의 동작을 측정하는 내용을 다루고 있습니다. 실습에서는 부하가 emitter에 연결된 LED 구동 회로, BJT Inverter에 연결된 LED 구동 회로, MOSFET을 이용한 LED 구동 회로 등을 구현하고 측정 결과를 분석하였습니다. 실험 과정에서 발생한 오차는 전원 공급 및 가변저항 사용의 한...2025.01.12
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 설계 이 자료는 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch) 회로 설계에 대해 설명하고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. BJT를 사용한 LED 구동 회로 설계: BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 방법을 설명합니다. 이때 BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하도록 하기 위한 조건을 제시합니다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동 회로 설계: 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B453...2025.01.27
-
중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
-
전자회로설계실습 실습 7 결과보고서2025.01.041. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 실습을 통해 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 관찰하였습니다. 주파수를 변화시키면서 입력, 출력 전압과 전압 이득을 측정하였고, 커패시터 값을 변경하여 주파수 응답 특성의 변화를 확인하였습니다. 저주파 영역에서는 측정값과 시뮬레이션 값의 오차가 크게 나타났는데, 이는 저주파 신호에 고주파 노이즈가 섞여 정확한 측정이 어려웠기 때문입니다. 하지만 대역폭 영역에서는 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것을 확인할 수 있었습니다. 1. Common Em...2025.01.04
-
전자회로설계실습 9차 예비보고서2025.05.101. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기의 동작을 이해하고 시뮬레이션을 통해 입출력 특성을 분석했습니다. 입력 저항과 부하 저항 값을 변경하여 출력 전압의 변화를 확인했으며, 전원 전압 변화에 따른 출력 전압 특성도 분석했습니다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기의 동작을 이해하고 시뮬레이션을 통해 입출력 특성을 분석했습니다. LED 구동을 위한 최소 저항 값을 계산하고, 입력 저항과 피드백 저항 값 변경에 따른 출력 전류 변화를 확인했습니다....2025.05.10
-
[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Voltage Regulator 설계2025.05.101. 전자회로 설계 및 실습 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 5 K의 부하에 걸리는 직류전압의 최대치가 4.4 V이며, ripple이 0.9 V 이하가 되도록 교류입력전원의 크기를 결정하고 커패시터의 크기를 설계하는 과정을 설명하고 있습니다. 또한 PSPICE를 사용하여 회로를 구현하고 분석한 결과도 제시하고 있습니다. 1. 전자회로 설계 및 실습 전자회로 설계 및 실습은 전자공학 분야에서 매우 중요한 부분입니다. 전자회로 설계는 전자 기...2025.05.10
-
전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
-
[결과보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. MOSFET Current Mirror 이번 실험에서는 Cascade Current Mirror를 구현 및 측정을 하였다. 크기가 같은 mosfet 이용하여 기존 전 류와 같은 출력전류를 얻을 수 있고, 단일 current mirror보다 출력 저항을 증가시킬 수 있 는 장점을 가지고 있다. Mosfet의 Drain, Source, Gate에 대한 전압, 전류 값을 통해 이들의 차이 값을 이용하여 저 항 값을 확인할 수 있다. 2. 전류 전원회로 설계 특정 전류(Reference current)가 흐를 수 있도록 하는 단일 c...2025.05.10
-
[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: - MOSFET의 문턱 전압(V_T), 전류 계수(k_n), 전압 이득(g_m)을 데이터시트를 이용하여 계산하는 방법 - OrCAD PSPICE를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계하고 i_D-v_GS 특성곡선을 시뮬레이션하는 과정 - 시뮬레이션 결과를 이용하여 MOSFET의 특성 파라미터를 구하고...2025.05.14
-
[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 예비보고서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하고 그 동작을 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 구체적으로 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고, MOSFET 2N7000을 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 각 회로의 동작 원리와 설계 과정, 측정 결과 등이 자세히 기술되어 있습니다. 1. BJ...2025.05.14
4 / 11
