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옴의 법칙과 키르히호프 전압 및 전류 법칙_결과 보고서2024.12.311. 옴의 법칙 옴의 법칙 실험에서 저항의 측정값과 계산값 간의 오차는 0.50%와 0.10%로 나타났습니다. 이는 주변 온도 변화, 저항 자체의 내부 오차, 실험 장치의 오류 등이 원인으로 분석됩니다. 더 정밀한 실험을 위해서는 저항 값 측정의 정확성 향상, 온도 유지, 회로 구성의 최적화 등이 필요할 것으로 보입니다. 2. 키르히호프 전압 법칙 키르히호프 전압 법칙 실험에서 0.25%의 오차가 발생했습니다. 이는 옴의 법칙 실험에서 발생한 오차, 회로 내 저항, 온도 변화 등이 원인으로 분석됩니다. 더 정밀한 실험을 위해서는 저...2024.12.31
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[부산대 이학전자실험] 9. AD633 IC를 이용한 mulitiplier 회로2025.01.021. AD633 IC를 이용한 multiplier 회로 AD633은 기능적으로 완벽한 4 사분면 – 아날로그 배수기이다. High 임피던스, 차동 X 및 Y 입력, High 임피던스 합산 입력(Z)을 포함한다. Low 임피던스 출력 전압은 내장된 Zener에 의해 제공되는 10 full scale 이다. AD633은 full scale 의 2%로 보장 된 전체 정확도로 보정된다. Z 입력은 출력 버퍼 증폭기에 대한 액세스를 제공해 사용자가 두 개 이상의 곱셈기의 츨력을 합산하고, 승수 이득, 출력전압을 전류로 변환, 다양한 응용 프...2025.01.02
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전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 실험회로 1에서 VGG값이 4V, RD는 4kΩ으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 RS, R1,...2025.01.15
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Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.05.011. Offset Voltage Offset Voltage는 이상적인 Op Amp에서는 0V이지만 실제 Op Amp에서는 내부적으로 Offset Voltage가 존재하여 출력 전압이 0V가 되지 않는다. Offset Voltage를 측정하는 방법으로는 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier를 설계하고 출력 전압을 측정하는 방법이 있지만, 실제 Op Amp의 Open Loop Gain이 유한하기 때문에 이 방법으로는 정확한 Offset Voltage를 측정할 수 없다. 대신 Op Amp의 두 입력단자를 접...2025.05.01
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. [그림 10-1]은 가장 기본적인 전...2025.01.13
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전자공학실험 18장 증폭기의 주파수 응답 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 분석하여 대역폭(bandwidth)의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 어느 주파수 대역까지 증폭기의 전압 이득이 유지되는지를 알아야 한다. 또한 증폭기의 전류나 면적이 제한되어 있을 때 증폭기 전압 이득과 대역폭의 곱은 일정한 관계가 성립하는데, 실험을 통해 이러한 관계를 이해하고자 한다. 2. 공통 소스 증폭...2025.01.13
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연산증폭기 예비보고서(고찰포함)A+2025.01.131. 연산증폭기 연산증폭기는 덧셈, 뺄셈, 곱셈, 나눗셈, 미분, 적분 등의 수학적 연산 기능을 수행할 수 있는 전압 이득이 매우 큰 증폭기입니다. 연산증폭기는 5개의 단자로 구성되어 있으며, 양의 전압과 음의 전압을 받아들여 출력값을 만들어냅니다. 연산증폭기는 두 입력 전압의 차이를 증폭하여 출력 전압을 생성합니다. 반전 증폭기와 비반전 증폭기는 연산증폭기의 대표적인 회로 구성 방식입니다. 2. 반전 증폭기 반전 증폭기는 연산증폭기의 두 입력 단자로 들어가는 전류가 0A이고, 두 입력 단자 사이의 전압차도 0V입니다. 따라서 저항...2025.01.13
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전기회로설계실습 예비보고서72025.05.151. RC 회로의 시정수 측정 이 보고서는 RC 회로의 시정수를 측정하는 방법을 설계하는 것을 목적으로 합니다. 주요 내용은 DMM의 내부 저항 측정, RC 시정수 측정 방법 설계, 10μs의 시정수를 갖는 RC 회로 설계 및 전압 파형 예측, 오실로스코프 연결 및 설정, 그리고 RC 회로의 전압 파형 예측 등입니다. 1. RC 회로의 시정수 측정 RC 회로의 시정수 측정은 전자 회로 분석에 매우 중요한 개념입니다. 시정수는 RC 회로에서 전압이나 전류가 초기값의 약 63.2%까지 변화하는 데 걸리는 시간을 나타냅니다. 이 값은 저...2025.05.15
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설계실습 3. 분압기(Voltage Divider) 설계 예비보고서2025.05.161. 분압기(Voltage Divider) 설계 이 보고서는 부하효과(Loading Effect)를 고려한 분압기(Voltage Divider) 설계 및 제작, 그리고 설계와 실험값 비교 분석을 목적으로 합니다. 분압기 설계 시 준비물, 설계 목표, 잘못된 설계와 현실적 설계 등을 다루고 있습니다. 1. 분압기(Voltage Divider) 설계 분압기는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 두 개의 저항을 직렬로 연결하여 입력 전압을 원하는 출력 전압으로 변환할 수 있습니다. 분압기 설계 시 고려해야 할 사항은 다음과 같습니...2025.05.16
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