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중앙대 전기회로설계실습 4. Thevenin 등가회로 설계 예비보고서2025.01.171. Thevenin 등가회로 Thevenin 등가회로를 설계, 제작, 측정하여 원본 회로 및 이론값과 비교하는 것이 이 실습의 목적입니다. 이를 위해 Function generator, DC Power Supply, Digital Oscilloscope, Digital Multimeter 등의 기본 장비와 다양한 저항 부품을 준비합니다. 1. Thevenin 등가회로 Thevenin 등가회로는 전기 회로 분석에 매우 유용한 개념입니다. 이 등가회로는 복잡한 회로를 간단한 전압원과 저항으로 대체할 수 있게 해줍니다. 이를 통해 회로...2025.01.17
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.04.291. 저항의 고주파 특성 측정 저항의 고주파 특성을 측정하기 위한 회로는 Digital MultiMeter를 저항의 양단에 연결하여 저항의 값을 측정하고, Function Generator에서 정현파를 입력한 후 주파수를 증가시키며 저항의 값의 변화를 측정한다. 주파수를 증가시키다 보면 저항의 값이 감소하는 주파수를 측정할 수 있다. 이는 실제 저항이 구조상 원치 않는 커패시터와 인덕터 성분을 가지고 있기 때문에 기생 커패시터에 흐르는 전류가 증가하여 저항의 값이 감소하는 것이다. 2. 커패시터의 고주파 특성 측정 커패시터의 고주파...2025.04.29
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 실험 절차 및 결과 실험회로 1에서 VBB 값이 1.5V, RBB 저항값이 4kΩ, RC는 vo의 DC 값이 6V가 되도록 하는 저항값으로 둔다. 컬렉터 전압이 ...2025.01.15
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연산증폭기 기본 회로 예비보고서2025.01.021. 정류 회로 정류 회로는 다이오드를 이용하여 전압의 극성이 교대로 변하는 교류를 한 방향으로만 흐르도록 하여 직류로 변환시킨다. 정류 회로에는 반파 정류 회로와 전파 정류 회로가 있다. 반파 정류 회로는 회로가 간단하지만 리플이 크고, 전파 정류 회로는 리플이 작지만 센터 탭이 있는 변압기가 필요하다. 브리지 정류 회로는 센터 탭이 없는 변압기를 사용할 수 있지만 다이오드가 4개 필요하고 회로가 복잡해진다. 2. 평활 회로 정류된 반파나 전파 정류 파형은 직류로 사용할 수 없다. 전압을 유지하려는 성질을 가진 커패시터를 부하 저...2025.01.02
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Diode의 회로적 특성 실험_결과레포트2025.01.121. Diode의 회로적 특성 실험 실험을 통해 Diode와 Zener Diode의 회로적 특성을 확인하였다. Diode 회로 실험에서는 시뮬레이션 결과와 유사한 파형을 관찰할 수 있었으며, 약 7.0%의 오차율이 발생했다. Zener Diode 회로 실험에서도 시뮬레이션 결과와 유사한 파형을 관찰할 수 있었으며, 약 7.4%의 오차율이 발생했다. 실험 결과를 통해 Diode와 Zener Diode의 동작 원리를 이해할 수 있었다. 1. Diode의 회로적 특성 실험 Diode는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 하는 반도체 소자입...2025.01.12
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전자회로 설계 및 실습 결과보고서: MOSFET Current Mirror 설계2025.05.141. Current Mirror Current Mirror는 트랜지스터를 전류원으로 이용하여 같은 크기의 전류를 계속해서 만들어내는 회로입니다. 이번 실험에서는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 그 특성을 확인하였습니다. 2. 단일 Current Mirror 첫 번째 실험에서는 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정하였습니다. 실험 결과 MOSFET을 이용해 회로를 설계하면 동일한 전류(Io)가 흐르는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 ΔVo ≡ Io·ΔRo...2025.05.14
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 3차 예비보고서2025.01.061. 단극 스텝 모터 (Uni-polar step motor) 단극 스텝 모터의 동작 원리를 이해하고, 스텝 모터를 조종하기 위한 범용 이동 레지스터 (Universal shift register)의 사용 방법을 배웁니다. BJT 트랜지스터와 범용 이동 레지스터를 이용하여 스텝 모터 구동기를 설계하고 그 동작을 확인합니다. 2. 범용 이동 레지스터 74HC194 74HC194 데이터시트를 분석하여 범용 이동 레지스터의 동작을 예상합니다. 레지스터의 S0, S1 입력에 따른 출력 QA~QD의 변화를 이해합니다. 3. ULN2003AN...2025.01.06
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중앙대 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 예비보고서2025.05.051. 구동회로 측정 함수발생기는 예를 들어 5 Vpp square pulse를 선택하면, 부하가 50 Ω일 때 평균이 0 V이고 +2.5 V, -2.5 V의 펄스를 생성한다. 설계한 구동회로에 1Hz, 5 Vdc square pulse (50%)를 인가하려면 함수발생기의 전압(Vpp), OFFSET을 어떻게 조정해야 하는가? 제시문에 따르면 함수발생기는 전면 출력에 5 Vpp square pulse를 선택한 경우 그 절반을 각각 양수 및 음수의 진폭으로 가지는 펄스를 생성한다. 함수발생기의 실제 출력은 전면의 화면에 표시된 Vpp ...2025.05.05
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