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저항의 종류 및 측정_결과레포트2024.12.311. 전자전기공학도의 윤리 강령 전자공학도로서 전자공학이 전 세계 인류의 삶에 끼치는 영향을 인식하고 최고의 윤리적, 전문적 행위를 수행할 것을 다짐하고 있습니다. 공중의 안전, 건강, 복리에 대한 책임, 이해 상충 배제, 정직성, 뇌물 수수 금지, 기술의 영향력 이해, 자기계발 및 책무성, 솔직한 비평, 차별 금지, 도덕성, 동료애 등 10가지 윤리 강령을 준수하겠다고 밝히고 있습니다. 2. 저항의 종류 및 측정 이 실험에서는 4개의 다른 색상의 저항을 사용하여 저항값의 범위와 실제 측정 결과를 확인하였습니다. 저항의 색띠 코드를...2024.12.31
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신호발생기와 오실로스코프 사용법_결과레포트2024.12.311. 신호발생기 신호발생기는 전자 신호를 생성하는 모든 장치로, 다양한 목적과 응용을 가진 많은 다른 종류가 있다. 함수 발생기, 임의 파형 발생기 및 벡터 신호 발생기는 특수 신호 발생기의 일반적인 유형이다. 이번 실험에서는 함수 발생기를 사용하였는데, 함수 발생기는 전자 신호인 파형을 발생시키는 장치이다. 함수 발생기가 발생시키는 가장 일반적인 파형으로는 사인파(sine), 방형파(square), 삼각파(triangular), 톱니파(sawtooth) 등이 있으며, 보통 주기적 신호를 만들어 내는데 사용한다. 2. 오실로스코프 ...2024.12.31
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R, L, C 소자의 특성_예비레포트2024.12.311. 저항 회로 저항만을 가지는 이상적 저항기를 통하여 정현파 전류가 흐를 때 저항기 양단의 전압은 옴의 법칙으로부터 표현할 수 있다. 전압과 전류의 최댓값 사이의 관계는 V = IR이며, 실효값은 V = IR 또는 I = V/R로 표현할 수 있다. 저항만의 교류 회로에서 전압과 전류는 동일 주파수이며, 동상의 정현파이다. 2. 인덕터 회로 인덕터에 정현 전류가 흐를 때 전류의 방향으로 생기는 전압 강하는 V = -Ldi/dt로 나타낼 수 있다. 전압과 전류의 최댓값 사이의 관계는 V = IXL이며, 실효값은 V = IXL 또는 I...2024.12.31
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 실험 절차 및 결과 실험회로 1에서 VBB 값이 1.5V, RBB 저항값이 4kΩ, RC는 vo의 DC 값이 6V가 되도록 하는 저항값으로 둔다. 컬렉터 전압이 ...2025.01.15
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전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하기 위해 각 단자들의 전압을 측정하고 분석하였다. VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역, VGS>Vth이면서 VDS<VGS-Vth인 경우에는 트라이오드, VGS<Vth이여서 전류가 흐르지 않을 때는 차단 영...2025.01.15
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전자공학실험 13장 공통 게이트 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 실험 결과 공통 게이트 증폭기의 실제 실험을 통해 측정한 전압 이득은 90으로 공통 소스 증폭기의 전압 이득에 뒤지지 않고 1보다 크기 때문에 증폭의 역할도 가능하지만, 전압 버퍼의 역할도 수행할 수 없고 입력 임피던스가 작아 전압을 받아들이기 보다는 전류를 받아들이는 용도로 많이 사용되어 증폭기로는 적합하지 ...2025.01.15
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전자공학실험 15장 다단 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였습니다. 실험회로 1에서는 공통 소오스 증폭기로 구성된 2단 증폭기 회로를 구성하고, 실험회로 2에서는 공통 소오스 증폭기 2단과 소오스 팔로워로 구성된 3단 증폭기 회로를 구성하였습니다. 각 회로에서 MOSFET의 동작 영역을 확인하고, 소신호 파라미터를 구하여 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 또한 실험을 통해 실제 전압 이득을 측정하고, 부하 저항 RL을 변경하여 그 영향을 확인하였습니다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서는...2025.01.15
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[A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트,회로이론응용및실험,Capacitor 및 Inductor의 특성2025.01.151. Capacitor 커패시터는 내부에 있는 전기장에 에너지를 축적하는 전자부품이다. 서로 평행하게 보고 있는 두 개의 전극 판 사이에 생기는 공간에 유전체가 들어있고 전하를 저장하기도 하는 부품이다. 커패시터는 재질과 구조에 따라서 다양한 종류를 가지고 있으며, 실험에 따라서 특성을 잘 사용할 수 있도록 적절하게 종류를 선택해서 사용하는 것이 중요하다. 커패시터는 크게 극성의 유무로 인해서 분류할 수 있으며, 극성이 있는 커패시터는 전해 커패시터와 탄탈 커패시터가 있고, 극성이 없는 커패시터는 필름 커패시터, 세라믹 커패시터, ...2025.01.15
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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마이크로프로세서 아두이노 우노 외 종류 중 2가지 이상 조사하여 이름 및 구조를 서술하시오2025.01.121. 아두이노 우노 아두이노 우노는 개발자와 학습자 사이에서 가장 널리 사용되는 오픈 소스 마이크로컨트롤러 보드입니다. 이 보드는 사용자 친화적인 프로그래밍 환경과 다양한 전자 부품과의 호환성을 제공하여, 복잡한 전자 프로젝트와 임베디드 시스템 개발을 단순화시켜 줍니다. 아두이노 우노의 핵심은 ATMega328P 마이크로컨트롤러로, 이는 디지털 입출력 핀, 아날로그 입력 핀, UART 포트, SPI 및 I2C 통신을 지원합니다. 또한 USB 연결을 통해 프로그램을 손쉽게 업로드할 수 있고, 외부 전원 공급장치를 활용하여 독립적으로 ...2025.01.12
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