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디지털시스템설계 2주차 과제2025.05.041. Verilog 프로그래밍 이번 과제에서는 Verilog 프로그래밍을 통해 1-Bit Full Adder와 8-to-1 MUX를 구현하는 것이었습니다. 학생은 Verilog 문법을 처음 다루어 어려움이 있었지만, 실습 예제를 복습하면서 모듈, 포트 선언, 벡터 형식 등 Verilog 기본 개념을 익혀나갔습니다. 특히 s[2], s[1], s[0]를 잘못 입력하여 결과가 올바르지 않았던 경험을 통해 Verilog 코드 작성 시 주의해야 할 점을 배웠습니다. 2. 1-Bit Full Adder 이번 과제에서는 1-Bit Full A...2025.05.04
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[논리회로실험] 실험5. Decoder&Encoder 결과보고서2025.05.051. Decoder 실험 1에서는 2x4 Decoder의 회로를 구성하고 동작을 확인했습니다. Decoder는 출력보다 작은 입력을 가지며 2x4 Decoder의 경우 2비트의 입력을 가하면 4비트의 출력값이 나오게 동작합니다. 실험 결과 2비트 입력 00, 01, 10, 11이 4비트 출력 0001, 0010, 0100, 1000로 예상결과 truth table과 일치했습니다. 실험 2에서는 BCD to Decimal Decoder를 확인했는데, 이진수를 입력하면 십진수 값으로 출력해주는 역할을 합니다. 2. Encoder 실험 ...2025.05.05
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 13 휘트스톤 브리지2025.05.131. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로에 대한 테브낭 등가회로를 구하고, 테브낭 회로가 원래 회로와 비교해볼 때 부하에 대해 같은 결과를 갖는다는 것을 실험을 통해 증명하였습니다. 또한 휘트스톤 브리지를 평형 시키고 평형브리지에 대한 테브낭 회로를 구하였습니다. 2. 테브낭 등가회로 불평형 휘트스톤 브리지에서 테브낭 저항값과 테브낭 전압을 계산하고 측정하여 오차율을 확인하였습니다. 평형 휘트스톤 브리지에서는 미지의 저항값을 찾고 테브낭 등가회로를 구하였습니다. 1. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로는 저항 측정을 ...2025.05.13
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[전자공학응용실험]2주차_1차실험_MOSFET 기본특성 및 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아 주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인한다. 1. MOSFET 기본 특성 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 반도체 소자 중 하나로, 전자 기기에 널리 사용되는 핵심 부품입니다. MOSFET의 기본 특성은 다음과 같습...2025.01.29
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전자공학응용실험 7주차 5차 실험 공통 소오스 증폭기 결과 레포트2025.01.291. 다단 증폭기의 입력단과 출력단 조건 다단 증폭기의 입력단에서는 입력 임피던스가 커야 입력 전압이 많이 걸려 신호가 다음 단으로 잘 넘어간다. 출력단에서는 출력 임피던스가 부하 저항보다 매우 작아야 부하에 전압이 많이 걸리면서 출력 전압이 커지게 된다. 2. 다단 증폭기의 전압 이득 감소 이유 각 단의 출력 전압은 다음 증폭기에 연결될 때 다음 단의 저항에 의해 전압 분배가 일어나게 되어 최종 단의 전압 이득이 각 단마다 전압 분배가 된만큼 감소하여 나타나게 된다. 3. 실험 회로 변경 이유 처음 50kΩ 저항으로 진행하였을 때...2025.01.29
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분압기(Voltage Divider) 설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. 분압기 설계 어떤 장비의 전원으로서 건전지나 고정 전압안정 직류전원을 사용할 때 그 출력전압보다 낮은 전압이 필요할 경우에 쓰이는 분압기를 설계하고 제작하였다. 부하저항을 고려한 무부하 분압기와 유부하 분압기를 설계목표에 맞게 설계하고 값을 측정하여 무부하 분압기는 실제로 사용이 어렵다는 것을 알았다. 2. 전압 분배 회로 분압기에 부하가 연결될 경우 그 영향을 파악하여 실용적인 분압기의 설계방법을 익혔다. 전압 분배 법칙을 이용하여 이상적인 회로와 실제 저항 측정값에 기반한 회로를 설계하고 비교하였다. 3. 회로 설계 및 실...2025.04.25
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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마이크로프로세서 아두이노 우노 외 종류 중 2가지 이상 조사하여 이름 및 구조를 서술하시오2025.01.121. 아두이노 우노 아두이노 우노는 개발자와 학습자 사이에서 가장 널리 사용되는 오픈 소스 마이크로컨트롤러 보드입니다. 이 보드는 사용자 친화적인 프로그래밍 환경과 다양한 전자 부품과의 호환성을 제공하여, 복잡한 전자 프로젝트와 임베디드 시스템 개발을 단순화시켜 줍니다. 아두이노 우노의 핵심은 ATMega328P 마이크로컨트롤러로, 이는 디지털 입출력 핀, 아날로그 입력 핀, UART 포트, SPI 및 I2C 통신을 지원합니다. 또한 USB 연결을 통해 프로그램을 손쉽게 업로드할 수 있고, 외부 전원 공급장치를 활용하여 독립적으로 ...2025.01.12
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서32025.01.121. 전자회로설계실습 이 보고서는 전자회로설계실습 3번째 실습인 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실습에서는 브리지 방식의 정류회로를 구성하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기를 설계하였습니다. 실험 결과를 오실로스코프로 확인하고 이론값과 비교하여 오차 원인을 분석하였습니다. 또한 부하저항 변화에 따른 출력 파형의 변화를 관찰하여 부하저항과 출력전압의 관계를 도출하였습니다. 2. 브리지 정류회로 이 실습에서는 브리지 방식의 정류회로를 구성하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 ...2025.01.12
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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