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중앙대 전기회로설계실습 6차 예비보고서2025.04.271. DMM을 이용한 접지 전압 측정 DMM을 교류전압측정모드(ACV)로 세팅하고, DMM의 한 단자를 220V 교류전원 power outlet(소켓) 접지에, 나머지 단자를 또 다른 220V 교류전원 접지에 연결하여 두 콘센트 사이의 전압을 측정하는 방법을 설계하였습니다. 2. 계측기의 입력 저항 및 주파수 특성 Function Generator의 출력저항은 50Ω이며, DMM의 입력저항은 보통 10MΩ, 오실로스코프의 입력저항은 보통 1MΩ입니다. 주파수에 따른 DMM의 측정값과 오실로스코프의 최대전압 측정값의 관계를 그래프로 ...2025.04.27
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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서4 (보고서 1등)2025.05.101. Thevenin 등가회로 설계 이 보고서는 Thevenin 등가회로 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 브리지 회로의 Thevenin 등가회로를 이론 및 실험으로 구하고 비교하는 과정을 설명하고 있습니다. 구체적으로 브리지 회로에서 전압과 전류를 계산하고, Thevenin 등가회로를 이론적으로 구하는 방법, 실험적으로 구하는 방법, 그리고 부하가 포함된 Thevenin 등가회로를 구하는 방법 등을 다루고 있습니다. 1. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin 등가회로 설계는 전기 회로 분석에 있어 매우 중...2025.05.10
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RLC 회로 실험2025.05.101. RLC 회로 RLC 회로는 저항 R, 인덕터 L, 축전기 C로 구성된 직렬 회로에 교류 전원을 연결한 것이다. 이 회로에서 각 소자에 걸리는 전압과 전류의 관계, 임피던스와 위상차 등을 이론적으로 설명하고 있다. 실험에서는 각 소자의 값을 측정하고 주파수를 변화시키면서 전압과 전류를 측정하여 RLC 회로의 특성을 확인한다. 2. 임피던스 RLC 회로의 임피던스 Z는 R, XL, XC의 합성 저항으로 표현된다. 임피던스 Z와 전원 전압 ε, 전류 I의 관계는 옴의 법칙과 유사한 형태로 나타낼 수 있다. 또한 전압과 전류의 위상차...2025.05.10
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전기회로설계실습 예비보고서62025.05.151. DMM을 이용한 접지 전압 측정 DMM을 저항 측정 모드로 설정하고 DMM의 한 단자를 110V 교류전원 접지에, 다른 단자를 220V 교류전원 접지에 연결하여 두 콘센트 사이의 저항을 측정할 수 있다. 2. 계측기의 입력 저항 및 주파수 특성 Function Generator의 출력 저항은 50Ω이며, DMM의 입력 저항은 수백Ω~수백kΩ, 오실로스코프의 입력 저항은 1MΩ이다. DMM은 교류전압의 실효치를 표시하고, 오실로스코프는 전압의 피크값을 표시하므로 Vs=1/Vm의 관계가 있다. 3. 직렬 저항 회로 분석 Funct...2025.05.15
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계측장비 및 교류전원의 접지상태의 측정방법설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. 계측장비 및 교류전원의 접지상태 측정 실험을 통해 DMM, 오실로스코프, Function generator의 접지상태와 내부 연결 상태, 입력 저항을 유추하였고 이를 이용하여 계측장비의 정확한 사용법을 익혔습니다. DMM은 고주파에서 정확한 측정이 어려워 오실로스코프의 측정값이 더 신뢰성 있다는 것을 확인하였습니다. 오실로스코프의 External trigger 기능은 관측 신호의 크기가 변할 때 기준 신호로부터 trigger를 추출하는데 유용하다는 것을 알 수 있었습니다. 또한 계측장비와 전원선의 접지 상태 측정을 통해 배선도...2025.04.25
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[기초전자실험 with pspice] 08 테브난의 정리 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 테브난의 정리 이번 실험에서는 테브난의 정리를 확인하기 위해 기본 회로와 테브난 등가회로를 구성하고 측정한 결과를 비교하였다. 기본 회로에서 부하저항에 걸린 전압과 테브난 등가회로의 전압이 거의 비슷하였고, 부하저항에 흐르는 전류도 약간의 오차가 있지만 매우 유사하였다. 따라서 테브난의 정리를 신뢰성 있게 확인할 수 있었다. 이번 실험을 통해 브레드보드를 이용한 회로 구성과 측정 방법에 대한 자신감도 얻게 되었다. 1. 테브난의 정리 테브난의 정리는 수학 분야에서 매우 중요한 정리입니다. 이 정리는 복소수 평면에서 해석 함수의...2025.04.28
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전기회로설계실습 예비보고서82025.05.151. RL 회로의 과도응답(Transient Response) 이 실습의 목적은 주어진 시정수를 갖는 RL 회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설계하는 것입니다. 실험에 필요한 기본 장비와 부품이 제시되어 있으며, 3.0에서 time constant가 10 μs인 RL 직렬회로를 설계하는 방법이 설명되어 있습니다. 3.1에서는 회로의 저항 값을 계산하고, 사각파 주파수를 결정하며, 저항과 인덕터의 예상 전압 파형을 그래프로 제시하고 있습니다. 3.2에서는 오실로스코프 설정에 대해 설명하고 있으며, 3.3과 3.4에서는 저항 전압 ...2025.05.15
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아주대학교 기초전기실험 A+ 결과보고서 Ch. 15 (DC)2025.05.031. IEEE 윤리헌장 IEEE 윤리헌장의 정신에 입각하여 보고서를 작성하였음을 서약하고 있습니다. 이 헌장은 IEEE 회원들이 기술이 삶의 질에 미치는 중요성을 인식하고, 전문직으로서의 의무와 책임을 받아들이는 것을 담고 있습니다. 2. RC 회로 특성 분석 RC 회로에서 저항과 커패시터의 특성을 분석하였습니다. 회로 구성, 전압 측정, 시간 상수 계산 등을 통해 RC 회로의 동작을 이해하고 실험 결과와 이론값을 비교하였습니다. 일부 오차가 발생한 것은 저항에서의 열 손실과 전압 측정 시 사람의 반응 시간 등이 원인으로 분석되었습...2025.05.03
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[결과보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. MOSFET Current Mirror 이번 실험에서는 Cascade Current Mirror를 구현 및 측정을 하였다. 크기가 같은 mosfet 이용하여 기존 전 류와 같은 출력전류를 얻을 수 있고, 단일 current mirror보다 출력 저항을 증가시킬 수 있 는 장점을 가지고 있다. Mosfet의 Drain, Source, Gate에 대한 전압, 전류 값을 통해 이들의 차이 값을 이용하여 저 항 값을 확인할 수 있다. 2. 전류 전원회로 설계 특정 전류(Reference current)가 흐를 수 있도록 하는 단일 c...2025.05.10
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_결과보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하였습니다. 회로를 구현하고 LED 구동 및 측정을 통해 전압, 전류, 소비전력 등을 분석하였습니다. BJT 회로에서는 약 15%의 오차가 발생했지만, MOSFET 회로에서는 오차가 더 작은 측정값을 얻을 수 있었습니다. 전반적으로 실습이 잘 진행되었다고 볼 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 BJT(Bipol...2025.01.22
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