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실험 21_차동 증폭기 심화 실험 예비보고서2025.04.281. 차동 증폭기 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성하여, 전압 이득과 CMRR을 측정하고자 한다. 차동 증폭기는 공통 모드 제거비(CMRR)가 중요한 특성이며, 이를 위해 부하 저항과 트랜지스터의 매칭이 중요하다. 능동 부하를 사용하면 저항 부하에 비해 공정 변화에 강하고 추가 비용이 들지 않는 장점이 있다. 2. 공통 모드 제거비(CMRR) 공통 모드 제거비(CMRR)는 차동 증폭기의 중요한 특성으로, 차동 입력과 공통 모드 입력에 대한 이득 비율을 나타낸다. CMRR...2025.04.28
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공통 소오스 증폭기 실험 결과 보고서2025.01.021. 공통 소오스 증폭기 이번 실험에서는 공통 소오스 증폭기 회로를 구현하고 실험을 진행했습니다. 실험 과정에서 이상과 현실의 차이, 장비의 한계 등으로 인해 교재의 실험 절차와 다른 방식으로 실험을 진행했습니다. 입력 전압을 변화시키면서 출력 전압을 측정하여 전압 이득을 계산했고, 입출력 임피던스도 구했습니다. 실험 결과, 약 10.6배의 전압 이득이 발생했으며, 입출력 임피던스 계산 시 약 20%의 오차가 발생했습니다. 이는 AC 전압 인가 시 전류 측정의 어려움 때문인 것으로 보입니다. 또한 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스...2025.01.02
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소오스 팔로워 실험 결과 보고서2025.01.021. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 전압 이득이 1에 가까운 버퍼 증폭기로 사용됩니다. 이는 입력 임피던스에 비해 매우 낮은 출력 임피던스를 가지고 있어, 신호 전달 시 손실이 거의 발생하지 않아 버퍼 이득이 크다는 장점이 있습니다. 또한 소자의 개수를 줄일 수 있어 비용 절감 효과도 있습니다. 이러한 장점들로 인해 소오스 팔로워가 전압 증폭기로 사용됩니다. 1. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하고 부하에 대한 영향을 최소화하여 출력 ...2025.01.02
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공통 게이트 증폭기 실험 예비보고서2025.01.021. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 실험을 통해 MOSFET의 동작 특성과 증폭기 회로의 특성을 분석하였습니다. 실험 절차에 따라 입력 전압, 출력 전압, 전류 등을 측정하고 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하였습니다. 또한 트랜스 컨덕턴스, 출력 저항 등을 구하여 소신호 등가회로를 작성하고 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 마지막으로 입력 전압과 출력 전압의 크기를 측정하여 전압 이득을 구하고, 입력 및 출력 파형을 확인하였습니다. 1. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 전자 회로 설계에서 중요한 역...2025.01.02
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부산대 응전실1 LPF HPF 결과보고서2025.01.111. LPF(Low-Pass Filter) 실험 LPF 회로를 구성하여 100Hz, 차단주파수(1539Hz), 5000Hz를 인가하고 오실로스코프로 측정한 결과, Pspice로 측정한 이론값과 매우 유사하게 나타났다. 차단주파수 이후 5000Hz에서 약간의 노이즈가 발생하여 이론값과 다소 차이가 있었는데, 이는 회로 내에 미약한 전류가 흐르면서 노이즈가 발생했기 때문으로 보인다. 2. HPF(High-Pass Filter) 실험 HPF 회로를 구성하여 10kHz, 차단주파수(3386Hz), 1000Hz를 인가하고 오실로스코프로 측정...2025.01.11
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다단 증폭기 실험 보고서2025.01.021. 2단 증폭기 실험회로 1에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6을 고정하고 회로를 구성한 후, 공통 소스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정했습니다. 이 경우 M1의 각 단자들의 전압(VDS, VGS, VBS) 및 전류(ID, IG, IS)를 구하고, MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인했습니다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M1의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 Rout을 구하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 계산했습니다. 입력에 10kHz의 0.01...2025.01.02
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실험 22_연산 증폭기 특성 결과보고서2025.04.281. 연산 증폭기의 전압 이득 실험을 통해 연산 증폭기의 전압 이득을 측정하였다. 입력 전압의 크기가 증가함에 따라 출력 전압의 크기도 증가하는 모습을 보였다. 이를 통해 연산 증폭기의 전압 이득 특성을 확인할 수 있었다. 2. 연산 증폭기의 입력 및 출력 스윙 레벨 실험을 통해 연산 증폭기의 입력 및 출력 스윙 레벨을 측정하였다. 입력 전압의 크기가 증가함에 따라 출력 전압의 크기도 증가하는 모습을 보였다. 이를 통해 연산 증폭기의 입력 및 출력 스윙 레벨 특성을 확인할 수 있었다. 3. 연산 증폭기의 공통 모드 전압 이득 실험을...2025.04.28
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실험 24_연산 증폭기 응용 회로 2 결과보고서2025.04.281. 적분기 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 적분기 회로를 구성하고, 입력 주파수에 따른 출력의 크기를 측정하였다. 실험 결과, 입력 주파수가 증가함에 따라 출력의 크기가 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 이는 적분기 회로의 이론적인 특성과 일치하는 결과이다. 또한 보드 선도를 통해 적분기 회로의 주파수 특성을 확인할 수 있었다. 2. 미분기 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 미분기 회로를 구성하고, 입력 주파수에 따른 출력의 크기를 측정하였다. 실험 결과, 입력 주파수가 증가함에 따라 출력의 크기가 증가하는 것을 확인할 수 ...2025.04.28
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[A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성(문턱전압 VT, 전류계수 kn, 전압이득 gm)을 데이터시트를 이용하여 구하고, 회로를 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실험에 사용된 MOSFET은 2N7000 모델이며, 데이터시트 정보를 활용하여 VT와 kn을 계산하고, kn을 이용해 VOV=0.4V일 때의 gm 값을 구했습니다. 또한 OrCAD PS...2025.05.10
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실험 11. 공통 이미터 접지 증폭기 회로의 특성 실험2025.05.111. 공통 이미터 증폭기 회로 공통 이미터 증폭기 회로의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전류 이득, 전압 이득, 위상반전 특성을 이해할 수 있다. 이미터 접지 증폭기에서 교류전원 쪽에서 바라다본 저항은 이미터 다이오드와 병렬로 연결된 바이어스 저항들이며, 베이스 쪽으로 들여다본 저항은 입력 임피던스로 표시된다. 증폭기의 출력 쪽에서 발생되는 현상을 알아보기 위해 테브닌 회로를 구성하여 테브닌 전압과 테브닌 임피던스를 구할 수 있다. 2. 저항비와 전압비 공통 이미터 증폭기에서 저항비와 전압비가 같은 이유는 옴의 법칙에 의해 이미터...2025.05.11
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