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[전자공학응용실험]3주차_1차실험_실험11 공통 소오스 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기의 동작 원리와 특성을 설명하고 있습니다. 입력 전압에 따른 MOSFET의 동작 영역(차단, 포화, 트라이오드)과 각 영역에서의 드레인 전류 및 출력 전압 특성을 수식으로 표현하고 있습니다. 또한 MOSFET의 소신호 등가회로를 이용하여 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하는 방법을 설명하고 있습니다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET을 선형적인 증폭기로 동작시키기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호 전압을 동시에 인가하는 방법을 설명하고 있습니다. 이를 통해 MOSFET의 소신호 ...2025.01.29
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[전자공학응용실험]11주차_7차실험_실험 18 증폭기의 주파수 응답 특성_예비레포트_A+2025.01.291. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 [실험 17]에서 구현한 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하고자 한다. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가회로를 분석하여 주파수 응답 특성을 나타내는 보드 선도를 그리고, 3dB 주파수와 이득 대역폭 곱을 계산한다. 또한 이득 대역폭 곱을 증가시키는 방안을 제시한다. 2. MOSFET의 고주파 모델 MOSFET의 고주파 동작을 설명하기 위해 게이트-소스 커패시턴스(Cgs)와 게이트-드레인 커패시턴스(Cgd...2025.01.29
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다단 증폭기 실험 보고서2025.01.021. 2단 증폭기 실험회로 1에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6을 고정하고 회로를 구성한 후, 공통 소스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정했습니다. 이 경우 M1의 각 단자들의 전압(VDS, VGS, VBS) 및 전류(ID, IG, IS)를 구하고, MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인했습니다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M1의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 Rout을 구하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 계산했습니다. 입력에 10kHz의 0.01...2025.01.02
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 14 캐스코드 증폭기)2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 고주파 증폭에서 자주 사용되는 구조로, 출력 저항을 증가시키고 고주파 특성을 개선하는 데 효과적이다. 이 회로는 두 개의 MOSFET을 사용하여, 첫 번째 트랜지스터가 신호를 증폭하고, 두 번째 트랜지스터가 출력을 처리하는 방식으로 동작한다. 캐스코드 증폭기의 전압 이득은 대략적으로 A_v = g_m * R_D로 나타낼 수 있으며, 캐스코드 구조 덕분에 매우 크게 나타날 수 있다. 캐스코드 증폭기는 주로 고주파 증폭기와 대역폭이 중요한 회로에서 자주 사용되며, 신호 왜곡이 적고 안정적인 성능을...2025.01.29
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[전자공학응용실험]3주차_2차실험_공통 소오스 증폭기_결과레포트_A+2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 이번 실험을 통하여 공통 소오스 증폭기의 VTC와 소신호 등가회로 및 파라미터들을 알아보았으며 전압이득이 위상이 반대로 나와 (-) 부호가 붙게 된다는 것을 실험으로 알게 되었다. 실험회로 1에서 입력 전압(VGG)에 따른 출력 전압(VO)의 변화를 측정하여 공통 소오스 증폭기의 동작 영역을 확인하였고, 소신호 파라미터인 전압이득(AV), 트랜스컨덕턴스(gm), 출력 저항(ro) 등을 계산하였다. 실험회로 2에서는 입력-출력 전압 파형을 관찰하여 전압이득을 측정하였다. 실험 과정에서 전압 강하 문제로 인해 ...2025.01.29
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