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전자공학응용실험 7주차 5차 실험 공통 소오스 증폭기 결과 레포트2025.01.291. 다단 증폭기의 입력단과 출력단 조건 다단 증폭기의 입력단에서는 입력 임피던스가 커야 입력 전압이 많이 걸려 신호가 다음 단으로 잘 넘어간다. 출력단에서는 출력 임피던스가 부하 저항보다 매우 작아야 부하에 전압이 많이 걸리면서 출력 전압이 커지게 된다. 2. 다단 증폭기의 전압 이득 감소 이유 각 단의 출력 전압은 다음 증폭기에 연결될 때 다음 단의 저항에 의해 전압 분배가 일어나게 되어 최종 단의 전압 이득이 각 단마다 전압 분배가 된만큼 감소하여 나타나게 된다. 3. 실험 회로 변경 이유 처음 50kΩ 저항으로 진행하였을 때...2025.01.29
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전자공학응용실험 ch20 차동증폭기 기초실험 예비레포트2025.05.051. 차동 증폭기 기초 실험 차동 증폭 회로는 출력이 단일한 단일 증폭 회로에 비하여 노이즈와 간섭에 의한 영향이 적고, 바이패스 및 커플링 커패시터를 사용하지 않고도 증폭 회로를 바이어싱 하거나 다단 증폭기의 각 단을 용이하게 커플링 할 수 있으므로, 집적회로의 제작 공정이 좀 더 용이하여 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다. ...2025.05.05
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중앙대학교 전자회로설계실습 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.101. BJT 특성 및 동작 원리 이번 실험을 통해 BJT의 특성과 동작원리를 이해할 수 있었다. LED를 구동하는 회로를 이용해 BJT의 베이스-이미터 전압을 어떻게 인가하느냐에 따라서 이미터, 컬렉터의 전류의 흐름이 영향을 받는 것을 알 수 있었다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 LED 부하를 이미터 쪽에 달아줌으로써 동작을 관찰하고 인버터쪽에 달아줌으로써 동작에 어떤 차이가 있는지 비교할 수 있었다. 이론에서 계산한 전압, 전류 값을 측정한 값과 비교함으로써 실험을 진행했다. 3. MOSFET을 이용한 LED 구동 회로...2025.05.10
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.04.301. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하여 릴레이 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 내용을 다루고 있습니다. BJT 2N3904를 사용하여 LED를 구동하는 회로를 설계하고, BJT가 포화 영역에서 동작하도록 회로 파라미터를 설정하는 방법을 설명합니다. 또한 MOSFET 2N7000을 이용한 LED 구동 회로를 설계하고, MOSFET의 트라이오드 영역에서의 동작 특성을 활용하여 ...2025.04.30
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MOSFET 소자 특성 측정2025.05.141. MOSFET 특성 측정 실험을 통해 MOSFET의 Threshold voltage, k_n, g_m 등의 특성을 측정하였다. Threshold voltage는 2.0V와 2.1V 사이의 값을 가지는 것으로 확인되었고, k_n은 0.222A/V^2, g_m은 0.133S로 측정되었다. 또한 drain-source 전압에 따른 drain 전류의 변화를 관찰하여 triode 영역과 saturation 영역에서의 MOSFET 동작 특성을 확인하였다. 다만 전류 측정의 정확도 한계로 인해 k_n과 g_m 값에서 오차가 발생하였고, 출력...2025.05.14
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서52025.01.121. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 보고서는 전자회로 설계실습 과정에서 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 릴레이 또는 LED를 구동하여 각각의 동작을 측정하는 내용을 다루고 있습니다. 실습에서는 부하가 emitter에 연결된 LED 구동 회로, BJT Inverter에 연결된 LED 구동 회로, MOSFET을 이용한 LED 구동 회로 등을 구현하고 측정 결과를 분석하였습니다. 실험 과정에서 발생한 오차는 전원 공급 및 가변저항 사용의 한...2025.01.12
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET은 전자전기공학에서 중요한 소자로, 증폭 기능과 스위치 기능을 가지고 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 전기적 특성을 실험적으로 이해하고자 하였다. 실험 결과, source는 ground, Vds=5V로 고정하고 Vgs를 증가시키면서 drain current Id를 측정하였다. Vgs가 2.2V일 때 약 1mA의 전류가 측정되어 이를 threshold voltage Vth로 확인하였다. 측정값들을 Id-Vgs 특성곡선으로 나타내었고, Vgs가 증가함에 따라 Id도 증가하는 것을 확인하여...2025.04.30
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 설계 이 자료는 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch) 회로 설계에 대해 설명하고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. BJT를 사용한 LED 구동 회로 설계: BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 방법을 설명합니다. 이때 BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하도록 하기 위한 조건을 제시합니다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동 회로 설계: 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B453...2025.01.27
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자에 저항 R_S를 추가함으로써, R_G1과 R_G2의 변화에 따른 V_GS전압과 I_D 전류의 변화를 줄일 수 있다. 회로의 각 노드의 전압과 전류를 구하면 I_D와 V_GS를 안정적으로 유지할 수 있다. 이 회로는 전류 제어가 용이하고, 트랜지스터가 포화 영역에서 증폭기로 안정적으로 동작하는 데 적합하다. 2. 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로는 피드백...2025.01.29
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MOSFET, MOSCAP 측정 실험 Report2025.01.121. MOSFET MOSFET은 전압 제어용 소자로 Gate, Source, Drain의 3 단자로 구성되어 있습니다. Gate에 인가되는 전압으로 Source와 Drain의 전류 흐름을 제어할 수 있으며, 제작 방식에 따라 증가형 MOSFET과 공핍형 MOSFET으로 구분할 수 있습니다. 본 실험에서는 Keithley 4200-SCS를 이용하여 MOSFET의 I-V 특성을 분석하였고, On-off ratio, Threshold Voltage, Subthreshold swing, Mobility, DIBL 현상 등을 확인하였습니다....2025.01.12
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