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[A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트,회로이론응용및실험,Active Filter2025.01.151. 이상적 OP Amp OP amp는 연산 증폭기라고도 하며, 트랜지스터들로 구성된 차동 선형 증폭기입니다. OP amp는 적분, 가산, 미분과 같은 수학적인 연산을 회로에 적용할 수 있으며, 생활속에서는 오디오 증폭기, 비디오 등에 많이 사용되고 있습니다. 이상적인 OP amp의 특성은 전압 이득이 무한대이고, 입력 저항이 무한대, 출력 저항이 0입니다. 2. 실제(real) OP Amp 실제로 실험에서 사용하는 OP amp의 특성과 이상적인 OPamp의 특성은 다른 부분이 있지만, 비슷한 특성을 가지고 있습니다. 실제 OP a...2025.01.15
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 14 캐스코드 증폭기)2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 고주파 증폭에서 자주 사용되는 구조로, 출력 저항을 증가시키고 고주파 특성을 개선하는 데 효과적이다. 이 회로는 두 개의 MOSFET을 사용하여, 첫 번째 트랜지스터가 신호를 증폭하고, 두 번째 트랜지스터가 출력을 처리하는 방식으로 동작한다. 캐스코드 증폭기의 전압 이득은 대략적으로 A_v = g_m * R_D로 나타낼 수 있으며, 캐스코드 구조 덕분에 매우 크게 나타날 수 있다. 캐스코드 증폭기는 주로 고주파 증폭기와 대역폭이 중요한 회로에서 자주 사용되며, 신호 왜곡이 적고 안정적인 성능을...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 전압 이득을 구하는 것이 목적이다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 일반 저항 대신 MOSFET을 부하로 사용하여 출력 임피던스를 크게 만들고, 높은 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 고성능이 요구되는 증폭 회로에서 사용되며, 작은 입력 변화에도 큰 출력 증폭을 가능하게 하는 장점이 있다. 2...2025.01.29
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[전자공학응용실험] 능동부하가 있는 공통 소스증폭기-예비레포트2025.04.261. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 이 실험에서는 정전류원 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선 입력에 따라서 M1에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, 이를 통해 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선을 구할 수 있다. 3. 공통 소...2025.04.26
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MOSFET 소자 특성 측정 실습 결과 보고서2025.01.041. MOSFET 회로 제작 및 측정 실험에서 MOSFET 회로를 제작하고 게이트 전압(VG)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하였다. 이를 통해 MOSFET의 ID-VGS 특성 곡선을 구할 수 있었다. 또한 문헌에서 확인한 MOSFET의 문턱 전압(VT)과 실험 결과를 비교하여 일치함을 확인하였다. 2. MOSFET 특성 곡선 측정 실험에서 드레인 전압(VD)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하여 MOSFET의 ID-VDS 특성 곡선을 구하였다. 이를 통해 MOSFET이 Triode 영역에서 Saturation 영역으로...2025.01.04
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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실험 08_공통 베이스 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 베이스 증폭기 이번 실험은 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 공통 베이스 증폭기에 대한 실험이다. 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. DC 조건 측정 실험 절차 1에서는 공통 베이스 증폭기의 DC 조건을 측정하였다. 예비 보고서와 저항값을 다르게 사용하였으나, 1kΩ일 때 값을 예비 보고서와 비교하여 보면 오차가 조금 발생하긴 했지...2025.04.28
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실험 16_전류원 및 전류 거울 결과보고서(실험절차 책이랑 다르니 참고하시고 구매하세요)2025.04.281. 전류원 및 전류 거울 이 실험에서는 아날로그 증폭기에서 부하로서 널리 사용되고 있는 정전류원 및 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load) 회로를 구성하고, 이를 실제로 구현함으로써 정전류원 및 전류 거울의 특성을 정확하게 파악하고자 하였다. 실험 절차에 따라 M1 트랜지스터의 gm을 결정하고, Vpbias 전압과 IREF 전류를 생성하였다. 또한 전류 거울에 의해 결정되는 Vpbias, IREF와 I1 전류를 측정하였다. 이를 바탕으로 공통 소스 증폭기의 입력-출력 DC 전압 레벨을 확인하였다. 2. 전류 오차 분...2025.04.28
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아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 결과 보고서2025.01.061. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 단일 Current Mirror를 직접 설계한 뒤, DMM을 사용하여 설계한 회로의 전압, 전류 등을 측정하고 기록하였다. 실험 결과, 단일 Current Mirror의 출력 전류는 10mA에 근접하여 추가 조절이 필요하지 않았으며, 출력 저항 Ro는 약 2.46kΩ으로 측정되었다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 Cascode Current Mirror를 직접 설계한 뒤, DMM을 사용하여 설계한 회로의 전압, ...2025.01.06
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