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[전자회로응용] Integrator 결과레포트 (만점)2025.01.281. Integrator Integrator는 전자회로에서 사용되는 중요한 회로 중 하나입니다. Integrator의 동작 원리는 입력 신호를 적분하여 출력 신호를 생성하는 것입니다. Schmitt Trigger는 입력 신호의 크기에 따라 출력 신호의 상태를 변경하는 회로입니다. 이 두 가지 회로의 동작 원리를 이해하고 실습 회로를 통해 이론 값과 측정 값을 비교하는 것이 이 실험의 목표입니다. 또한 Integrator 회로에서 B2 저항의 사용 이유에 대해서도 설명하고 있습니다. 1. Integrator Integrators ar...2025.01.28
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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교류및전자회로실험 실험1_아두이노 복습 결과보고서2025.01.201. 아두이노 복습 이번 실험은 아두이노를 복습하는 내용이었다. 디지털 입출력을 다루는 것부터 풀다운회로 구성, 시리얼 모니터에 결과를 출력하기 등을 수행했다. 예제코드실행 실험단계에서 저항과 LED를 직렬로 연결해 점등시킬 때, 출력되는 전류를 직접 측정해보지 못한 것과, 사용하는 LED의 데이터시트를 정확히 참조하지 못해 적절한 범위의 저항값을 사용한 것인지를 정확히 확인할 수 없었다. 멀티미터로 회로 내에 전류계를 구성해 전류를 측정해보고, LED의 정확한 데이터시트를 참조하였다면 더 정확한 실험 분석이 가능했을 것이다. 1....2025.01.20
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울산대학교 전기전자실험 12. JFET 특성 및 바이어스 회로2025.01.121. JFET 특성 및 바이어스 회로 이번 실험은 JFET의 바이어스에 따른 값들의 변화를 관찰하는 것이 목적입니다. 고정 바이어스 회로를 통해 I_DSS, V_P 값을 구하고, V_DS에 따른 I_D 값을 측정함으로써 특성곡선을 그리고, 전자회로 수업에서 배운 특성곡선과 비슷하게 그려진다는 것을 확인할 수 있었습니다. 다음 실험인 self-bias 회로에서는 V_G 값이 0이 되고 사용하는 부품의 개수가 적어 회로를 해석하는데 용이하다는 장점이 있습니다. voltage divider bias 회로에서는 R_1R_2에 전압이 분배되...2025.01.12
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대학물리및실험2-실험2-전압과 전류 측정법2025.01.151. 전류계 전류계는 회로 내의 전류를 측정하기 위해 직렬로 연결해야 한다. 이상적인 전류계의 저항은 0이어야 하며, 측정하려는 전류를 알지 못하는 경우 최대 전류 레인지에서 시작하여 점차 낮은 레인지로 내려가며 측정한다. 2. 전압계 전압계는 두 지점 사이의 전위차를 측정하기 위해 회로에 병렬로 연결한다. 이상적인 전압계의 저항은 무한대이어야 한다. 측정할 때는 다이얼 스위치를 DC V로 옮기고, 측정 범위를 알 경우 해당 범위로 설정하며, 모르는 경우 가장 큰 범위로 시작한다. 3. 브레드보드 브레드보드는 전자 회로의 시제품을 ...2025.01.15
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전자회로설계실습 실습 11 결과보고서2025.01.041. Push-Pull 증폭기 본 설계 실습에서는 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover Distortion 현상을 파악하고 이를 amplifier을 이용하여 제거하는 실험을 하였다. 실험결과 4.1에서 구성한 Push-Pull amplifier에서는 dead zone이 BJT 구동 전압인 |Vbe|보다 작아 발생하지 않았음을 확인하였다. 2. 오실로스코프 활용 실습3.1에서 시뮬레이션으로 입·출력 transfer characteristic curve을 쉽게 확인할 수 있지만, 실제 실험에서...2025.01.04
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핵심이 보이는 전자회로 실험 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성2025.05.161. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 실험 측정 결과를 비교하여 다이오드의 커트-인 전압 값을 확인하였습니다. 시뮬레이션 결과에서는 커트-인 전압이 400mV, 실험 측정 결과에서는 350mV로 나타났습니다. 이를 통해 다이오드의 전류-전압 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 PN 접합 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반도체 소자입니다. 다이오드의 전류-전압 특성은 다이오드의 동작 원리와 성능을 이해...2025.05.16
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제너 다이오드 응용회로 예비레포트2024.12.311. 제너 다이오드의 전류-전압 특성 제너 다이오드의 전류-전압 특성 결과를 보면 6V 근처에서 제너 항복이 발생하여 전압이 5.6V로 유지되는 것을 볼 수 있다. 인가 전압에 따른 전류를 나타낸 그래프와 달리 3V 이상의 전압이 인가되었을 때부터 인가 전압이 증가함에 따라 전류가 증가하는 모습을 보이고 있다. 제너 다이오드의 특성에 따라 제너 항복이 발생하면 전압은 거의 일정한 값으로 유지되고 전류만 급격하게 증가한다. 2. 제너 다이오드를 이용한 정전압 회로의 특성 제너 다이오드를 통해 정전압 회로를 구성하고 인가 전압을 10V...2024.12.31
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RC filter, RLC filter 실험2025.01.021. RC filter RC 회로의 충전과 방전 과정을 이해하고, 이를 통해 RC filter의 동작 원리를 설명할 수 있다. RC filter는 저역 통과 필터(low-pass filter)와 고역 통과 필터(high-pass filter)로 구분되며, 각각의 동작 특성을 실험을 통해 확인하였다. 저역 통과 필터는 저주파 신호를 통과시키고 고주파 신호를 차단하며, 고역 통과 필터는 그 반대의 특성을 가진다. 이를 통해 RC filter의 차단 주파수(cut-off frequency)를 이론값과 실험값을 비교하여 확인하였다. 2. ...2025.01.02
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MOSFET 기본 특성2025.01.021. NMOS 동작 원리 NMOS의 기본적인 동작 원리는 소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어하는 것입니다. NMOS는 스위치와 같이 작동하며, MOS 커패시터를 기반으로 합니다. 소스와 드레인 단자 사이에 위치한 산화층 아래의 반도체 표면은 게이트 전압을 인가함으로써 P형에서 N형으로 반전될 수 있습니다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 각 영역에서 소스-드레인 전압, 게이트-소스 전압, 드레인 전류 사이의 관계가 다릅니다. 3. PMO...2025.01.02
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