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전자회로실험_A+레포트_증가형 MOSFET의 바이어스 회로2025.01.131. MOSFET MOSFET는 게이트(Gate), 소오스(Source), 드레인(Drain)의 3개 단자를 갖는다. 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소오스와 드레인 사이의 전류흐름이 제어된다. 소오스는 전류를 운반하는 캐리어를 공급하고, 드레인은 소오스에서 공급된 캐리어가 채널 영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자이다. 2. MOSFET 전압분배 바이어스 회로 저항 R1, R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VGQ=VGSQ를 생성한다. MOSFET가 포화영역에서 동작하도록 바이어스된다면, 드...2025.01.13
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 실습에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석하였습니다. Rsig = 50Ω, RL = 5kΩ, VCC = 12V인 경우, β = 100인 BJT를 사용하여 Rin이 kΩ 단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 100 V/V인 증폭기를 설계하였습니다. 입력 신호로 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 사용하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 회로의 전압, 전류 및 출력 파형을 분석하였습니다...2025.01.27
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 전압 이득을 구하는 것이 목적이다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 일반 저항 대신 MOSFET을 부하로 사용하여 출력 임피던스를 크게 만들고, 높은 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 고성능이 요구되는 증폭 회로에서 사용되며, 작은 입력 변화에도 큰 출력 증폭을 가능하게 하는 장점이 있다. 2...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 12 소오스 팔로워)2025.01.291. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 전압 버퍼로도 불리며, 입력 신호를 증폭하지 않고 동일한 위상의 신호를 출력하지만, 출력 저항을 낮추고 전류를 증폭하는 역할을 한다. 이 회로의 주요 특성은 입력과 출력의 관계, 전압 이득, 출력 저항 감소, 전류 이득 등이다. 2. 소오스 팔로워 회로의 실험 결과 실험을 통해 R_S 값이 MOSFET의 동작 점과 회로의 전류 흐름에 중요한 역할을 한다는 점을 확인할 수 있었다. 또한 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 변화를 측정하여 소오스 팔로워의 전압 이득이 거의 1에 가까운 것을 ...2025.01.29
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 6장 연습문제 풀이2025.01.021. 포화점과 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압 계산 포화점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압, 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압을 계산하기 위해서는 베이스 전류와 베이스-에미터 전압이 필요하다. 이를 통해 컬렉터 전류와 에미터 전압을 구할 수 있다. 2. 증폭기의 최대 효율 증폭기의 최대 효율은 17%이다. 이는 증폭기의 동작 특성을 나타내는 중요한 지표이다. 3. 직류 및 교류 부하선 분석 직류 부하선과 교류 부하선을 분석하여 증폭기의 동작점과 출력 전압의 스윙 값을 구할 수 있다. 이를 통해 증폭기의 성능을 평가할 수...2025.01.02
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신재생에너지 발전 실험, 실습 PPT2025.04.261. 반도체 반도체는 도체와 절연체의 중간 성질을 가진 물질로, 저항률에 따라 도체, 반도체, 부도체로 구분할 수 있다. 반도체는 진성반도체와 불순물 반도체로 나뉘며, 전자현상을 이용하는 2단자 소자인 다이오드가 대표적이다. 2. 다이오드 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체가 접합된 구조로, 순방향과 역방향 전압에 따라 전류가 흐르는 방향이 달라진다. 이를 이용하여 정류 회로, 제너 다이오드, 포토 다이오드, 발광 다이오드 등 다양한 응용 회로를 구현할 수 있다. 3. 트랜지스터 트랜지스터는 전류나 전압의 흐름을 조절하여 증폭, ...2025.04.26
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옴의 법칙 측정값 및 계산2025.04.261. 옴의 법칙 실험을 통해 탄소저항과 다이오드가 옴의 법칙을 만족하는지 확인하였다. 탄소저항은 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 다이오드는 옴의 법칙을 만족하지 않는다는 것을 확인하였다. 특히 발광 다이오드에서는 빛이 나오는 현상을 관측할 수 있었고, 빛이 나오는 시간과 발광 조건에 대해서도 추정할 수 있었다. 2. 탄소저항 실험 1에서 33Ω와 100Ω의 탄소저항을 사용하여 옴의 법칙 만족 여부를 확인하였다. 실험 결과 33Ω의 경우 3.03%의 오차율을 보여 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 100Ω의 경우 5.5%의 오차율을 보여 ...2025.04.26
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[전자회로실험] 다이오드 정류 회로 결과보고서2025.04.261. 반파 정류 회로 실험 1에서는 반파 정류 회로를 구성하고 입력과 출력 파형을 관찰했다. 입력 파형은 정현파이지만 다이오드를 거치면서 (+)값만 남아 있는 파형이 출력되었다. 이는 다이오드의 정류 작용에 의한 현상이다. 또한 출력 파형이 입력 파형에 비해 최대값이 작은 것을 관찰할 수 있는데, 다이오드를 지나며 약 0.7V만큼 감소했기 때문이다. 회로에 커패시터를 병렬로 연결하면 다이오드를 통과한 전압이 커패시터 내부에 충전되고, 최대값에서 다이오드에 전류가 통하지 않을 때에는 커패시터의 전압이 방전된다. 이를 통해 다이오드와 ...2025.04.26
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[전자회로실험] 바이어스 해석 결과보고서2025.04.261. 트랜지스터 동작 영역 실험을 통해 트랜지스터의 동작 영역을 파악하였다. 트랜지스터가 능동 영역에서 동작하기 위한 Vbb의 범위를 구하고, 능동 영역에서의 Ic 값을 구하였다. 또한 트랜지스터가 포화 영역에서 동작할 때의 Vce를 구하고 데이터시트 값과 비교하였다. 2. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로에서 Vb, Vc, Ic 등의 값을 측정하고 계산하였다. 실험값과 이론값, 시뮬레이션 값 사이에 차이가 있었는데, 이는 실험 과정에서의 오류로 인한 것으로 보인다. 3. 저항 분할 바이어스 회로 저항 분할 바이어스 회로에서도...2025.04.26
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