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아주대학교 A+전자회로실험 실험6 예비보고서2025.05.091. 삼각파 발생회로 실험 목적은 연산 증폭기를 사용한 슈미트 트리거 회로와 적분기를 연결하여 삼각파 및 구형파 발생 회로의 동작 원리를 배우고, 실제 실험을 통해 회로를 구현하여 발진 주파수 f_o를 측정하고 계산식으로 구한 값과 비교하여 이론식을 증명하는 것입니다. 삼각파 발생 회로는 슈미트 트리거 회로와 적분회로로 구성되며, 전원을 인가하면 A1의 출력 전압은 +- V_0,sat 크기의 구형파가 되고, A2는 적분 회로이자 부궤환 회로이므로 삼각파 특성을 갖게 됩니다. 이론적으로 주기는 T_0 = 4RC(R_2/R_1)이고 주...2025.05.09
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[기초전자실험 with pspice] 12 오실로스코프와 파형발생기 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 오실로스코프 오실로스코프는 전기 신호의 파형을 관찰하고 측정하는 데 사용되는 전자 계측기입니다. 이번 실험에서는 오실로스코프를 사용하여 파형발생기의 출력 신호를 관찰하고 측정하였습니다. 실험 결과, 오실로스코프로 측정한 첨두치, 주파수, 주기 값이 파형발생기의 정격 출력과 유사한 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 주파수와 주기의 관계 f = 1/T 가 실험 결과에서도 잘 나타났습니다. 2. 파형발생기 파형발생기는 다양한 형태의 전기 신호를 생성하는 장치입니다. 이번 실험에서는 파형발생기를 사용하여 오실로스코프로 관찰할 수 있는...2025.04.28
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 피드백 증폭기(Feedback Amplifier)2025.05.101. Series-Series 피드백 증폭기 이번 실험에서는 Series-Series 피드백 증폭기를 구현 및 측정하였다. 오직 입력전압의 변화로 출력 전류가 결정된다. 실험 4.2 (A)에서는 입력저항 1kΩ, (B)에서는 입력저항 10 kΩ으로 같은 입력전압을 가질 때, (A)와 (B)의 출력전압을 비교하였다. 이 같은 경우 둘의 출력전압이 같게 측정이 되었기 때문에 출력전류도 같음을 알 수 있다. 이론대로 실험 결과가 나왔음을 확인할 수 있다. 또한 LED전류가 Rf에 흐르는 전류와 같은데 입력전압을 늘릴수록 LED의 밝기가 ...2025.05.10
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A+받은 에미터 공통 증폭기 전압이득 결과레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기 회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기 회로의 전압이득 특성을 확인하였습니다. PSPICE 시뮬레이션 결과와 실험 결과를 비교하여 분석하였으며, 입력전압과 출력전압의 위상 차이, 전압이득 등을 확인하였습니다. 실험에 사용된 소자와 시뮬레이션에 사용된 소자의 특성 차이로 인해 약간의 오차가 있었지만, 에미터 공통 증폭기 회로의 기본적인 동작 원리를 이해할 수 있었습니다. 1. 에미터 공통 증폭기 회로 에미터 공통 증폭기 회로는 트랜지스터를 이용한 기본적인 증폭 회로 중 하나입니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하...2025.05.10
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전자회로실험_1주차 보고서2025.01.211. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 P형 반도체는 억셉터(3가 불순물)가 도핑된 반도체이고 N형 반도체(5가 불순물)는 도너가 도핑된 반도체이다. P형 영역에 연결된 전극을 애노드(anode), N형 영역에 연결된 전극을 캐소드(cathode)라고 한다. PN접합 다이오드의 전류(ID)와 전압(VD) 사이의 관계는 다음과 같다. VD>VΓ인 순방향 전압이 인가되면, 다이오드 전류는 지수함수적으로 급격히 증가한다. VD<VΓ인 역방향 전압이 인가되면, 다이오드에는 매우 작은 역방향 포화전류 ID≒-IS가 흐른다. VΓ는 다이오...2025.01.21
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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아주대학교 A+전자회로실험 실험3 결과보고서2025.05.091. 미분기 회로 실험 1에서는 미분기 회로의 특성을 알아보고, 회로를 구성한 후 측정한 출력 값을 이론, 시뮬레이션 값과 비교하여 입/출력 전압 관계식을 검증하였다. 실험 결과 이론, 시뮬레이션 값과 비교했을 때 오차가 3%~7%정도로 크지 않았으며, 미분기의 입출력 관계식이 V_o = -R_F C dV_i/dt와 같음을 확인할 수 있었다. 또한 미분기가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것도 관찰할 수 있었다. 2. 반전증폭기 실험 결과에서 미분기 회로가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것을 확...2025.05.09
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[기초전자실험 with pspice] 06 키르히호프의법칙 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 키르히호프의 전압 법칙 실험 결과에 따르면 키르히호프의 전압 법칙이 잘 성립하였다. 전체 저항의 이론값과 측정값이 매우 유사하였고, 병렬 저항의 이론값과 측정값도 거의 비슷하였다. 또한 출력전압 5V와 10V를 인가했을 때 각 소자에 걸린 전압의 합이 공급된 전압과 매우 유사한 것으로 나타났다. 이는 키르히호프 전압 법칙에 따라 폐회로에서 전원장치가 공급한 전압은 각 소자에 걸린 전압의 합과 같다는 것을 보여준다. 2. 키르히호프의 전류 법칙 실험 결과에 따르면 키르히호프의 전류 법칙도 잘 성립하였다. 접속점 a와 b를 기준으...2025.04.28
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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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