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RC 정현파 발진 회로 실험 결과보고서2025.01.041. RC 정현파 발진 회로 이번 실험의 목표는 윈브릿지 발진기 회로의 특성을 이용하여 RC 발진회로의 개념을 이해하고 발진기의 공진주파수를 알아보는 것입니다. 실험 결과, 정귀환 루프에서 Z1 = R4+XC, 1/Z2 = 1/R3 + 1/XC 관계식을 통해 V+/VO = {R3sC}/(R4sC + R4R3(sC)2 + 1 + sCR3 + sCR3)를 도출할 수 있었습니다. 이론적으로 계산한 공진주파수는 1.176kHz였지만, 실험 결과 1.078kHz로 약 100Hz 정도의 차이가 있었습니다. 이는 저항과 커패시터 값의 오차, 브...2025.01.04
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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아주대 전자회로실험 A+ 실험1 결과보고서2025.05.091. 반전 연산 증폭기 실험1에서는 반전 연산 증폭기의 전압 이득에 따라 출력 전압이 작아지고 전압 이득 역시 작아지는 것을 확인하였다. 실험 결과 gain의 오차는 대부분 1% 이하로 작은 편이었지만, 전압 이득이 20000일 때는 1.5%의 오차가 발생하였다. 이는 저항 값의 오차 때문인 것으로 분석되었다. 2. 위상차 이론적으로 반전 연산 증폭기에서 입력 전압과 출력 전압의 위상 차이는 180°가 된다. 실험 결과 위상의 이론, simulation값과 실제 값과의 상대오차는 1% 미만으로 매우 작아, 위상차가 180°인 것을 ...2025.05.09
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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7-segment LED와 Decoder 회로 설계2025.01.091. 7-segment LED 7-segment LED는 숫자를 표시하는 7개의 LED와 소수점을 나타내는 1개의 LED로 구성되어 있으며, common cathode type과 common anode type이 있다. common cathode type에서는 공통단자에 High voltage를 연결하여 선택적으로 LED를 점등하고, common anode type에서는 공통단자에 High voltage를 연결하고 점등하고자 하는 segment에만 Low voltage를 연결하여 선택적으로 LED를 점등한다. 2. Decoder 디...2025.01.09
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MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험 보고서는 MOSFET 바이어스 회로에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험을 통해 게이트 바이어스 회로와 리미팅 회로의 전류 측정 결과를 확인하였으며, PSpice 시뮬레이션 결과와 실험 결과 간의 차이에 대해 고찰하였습니다. 실험 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들, 예를 들어 브레드보드, 도선, MOSFET, 저항 등의 내부 저항 특성으로 인한 차이가 실험 결과와 시뮬레이션 결과의 차이를 발생시킨 것으로 분석되었습니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-S...2025.01.02
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아주대학교 A+전자회로실험 실험3 결과보고서2025.05.091. 미분기 회로 실험 1에서는 미분기 회로의 특성을 알아보고, 회로를 구성한 후 측정한 출력 값을 이론, 시뮬레이션 값과 비교하여 입/출력 전압 관계식을 검증하였다. 실험 결과 이론, 시뮬레이션 값과 비교했을 때 오차가 3%~7%정도로 크지 않았으며, 미분기의 입출력 관계식이 V_o = -R_F C dV_i/dt와 같음을 확인할 수 있었다. 또한 미분기가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것도 관찰할 수 있었다. 2. 반전증폭기 실험 결과에서 미분기 회로가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것을 확...2025.05.09
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[전자회로실험] 연산증폭기의 비이상적 특성 결과보고서2025.04.261. 옵셋 전압 실험 결과 입력 옵셋 전압이 매우 작기 때문에 출력 옵셋 전압에 1000을 나누는 식으로 입력 옵셋 전압을 구했다. 출력 옵셋 전압을 측정할 때도 값이 큰 폭으로 널뛰어서 측정에 많은 주의를 기울여야 했다. 직접 측정한 출력 옵셋 전압에 1000을 나눈 값은 각각 –1.867mV와 –1.787mV로, opamp 제작사에서 배포한 입력 오프셋 전압인 0~6mV 범위 안에 포함된다. 2. 입력 바이어스 및 옵셋 전류 입력 전류는 저항을 크게 설정해도 직접 측정하기 어려울 정도로 작아서, 출력 전압에 저항 값 200k Ω...2025.04.26
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[기초전자실험 with pspice] 18 RC 및 RL 병렬회로 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. RC 병렬회로 RC 병렬회로에서는 전압에 위상차가 없지만, 저항과 커패시터를 흐르는 전류 사이에 위상차가 발생한다. 커패시터에서 흐르는 전류는 전압보다 90도 앞선다. 전체 전류는 저항과 커패시터를 흐르는 전류의 벡터합으로 나타낼 수 있으며, 옴의 법칙을 이용하여 임피던스를 계산할 수 있다. 2. RL 병렬회로 RL 병렬회로에서는 전압에 위상차가 없지만, 저항과 인덕터를 흐르는 전류 사이에 위상차가 발생한다. 인덕터에서 흐르는 전류는 전압보다 90도 앞선다. 전체 전류는 저항과 인덕터를 흐르는 전류의 벡터합으로 나타낼 수 있으...2025.04.28
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중앙대학교 전자회로설계실습 결과보고서 3 - Voltage Regulator 설계2025.01.241. 전자회로 설계 이 보고서는 중앙대학교에서 진행된 전자회로 설계 실습 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 브리지 방식 정류회로 설계, 정류 현상 관찰, 다이오드와 커패시터 특성 이해, Voltage Regulator를 통한 AC-DC 변환 및 정전압 유지 등입니다. 실험 과정에서 발생한 오차 요인 분석과 개선 방안도 제시되어 있습니다. 2. 브리지 정류회로 보고서에서는 4개의 다이오드를 사용하는 브리지 방식 정류회로를 설계하고 제작하였습니다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하여 실제 사용된 변압기의 비율이 1:1.27임을 확인하...2025.01.24
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