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A+받은 에미터 공통 증폭기 전압이득 결과레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기 회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기 회로의 전압이득 특성을 확인하였습니다. PSPICE 시뮬레이션 결과와 실험 결과를 비교하여 분석하였으며, 입력전압과 출력전압의 위상 차이, 전압이득 등을 확인하였습니다. 실험에 사용된 소자와 시뮬레이션에 사용된 소자의 특성 차이로 인해 약간의 오차가 있었지만, 에미터 공통 증폭기 회로의 기본적인 동작 원리를 이해할 수 있었습니다. 1. 에미터 공통 증폭기 회로 에미터 공통 증폭기 회로는 트랜지스터를 이용한 기본적인 증폭 회로 중 하나입니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하...2025.05.10
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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아주대학교 A+전자회로실험 실험3 결과보고서2025.05.091. 미분기 회로 실험 1에서는 미분기 회로의 특성을 알아보고, 회로를 구성한 후 측정한 출력 값을 이론, 시뮬레이션 값과 비교하여 입/출력 전압 관계식을 검증하였다. 실험 결과 이론, 시뮬레이션 값과 비교했을 때 오차가 3%~7%정도로 크지 않았으며, 미분기의 입출력 관계식이 V_o = -R_F C dV_i/dt와 같음을 확인할 수 있었다. 또한 미분기가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것도 관찰할 수 있었다. 2. 반전증폭기 실험 결과에서 미분기 회로가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것을 확...2025.05.09
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[기초전자실험 with pspice] 06 키르히호프의법칙 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 키르히호프의 전압 법칙 실험 결과에 따르면 키르히호프의 전압 법칙이 잘 성립하였다. 전체 저항의 이론값과 측정값이 매우 유사하였고, 병렬 저항의 이론값과 측정값도 거의 비슷하였다. 또한 출력전압 5V와 10V를 인가했을 때 각 소자에 걸린 전압의 합이 공급된 전압과 매우 유사한 것으로 나타났다. 이는 키르히호프 전압 법칙에 따라 폐회로에서 전원장치가 공급한 전압은 각 소자에 걸린 전압의 합과 같다는 것을 보여준다. 2. 키르히호프의 전류 법칙 실험 결과에 따르면 키르히호프의 전류 법칙도 잘 성립하였다. 접속점 a와 b를 기준으...2025.04.28
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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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증폭기의 주파수 응답 특성2025.01.021. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기의 입력-출력에 원하는 DC 전압 및 전압 이득이 나오게 하기 위해 DC 전류와 전류를 결정하여 회로를 구성했습니다. 입력 신호의 주파수를 변화시키면서 전압 이득의 변화를 측정하여 보드 선도를 그렸고, 이를 통해 3dB 대역폭을 구했습니다. 또한 이득 대역폭 곱을 계산하고, 이를 증가시키기 위한 방안으로 회로를 closed loop로 만드는 것을 제안했습니다. 2. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가 모델 그림 [18-5]의 실험회로를 소신호 등가 모델을 사용하여 등가회로로 표...2025.01.02
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단순 교류 회로 실험2025.01.031. 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성 이 실험에서는 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성을 부하를 걸었을 때와 걸지 않았을 때 각각 검사하여 비교합니다. 또한 교류 신호에 대한 저항 회로에서 옴의 법칙과 키르히호프 법칙의 유효성을 확인합니다. 2. 교류 신호와 커패시터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 커패시터 사이의 관계를 확인합니다. 커패시터 양단의 전압과 커패시터를 통해 흐르는 전류 사이의 관계도 함께 살펴봅니다. 3. 교류 신호와 인덕터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 인덕터 사이의 관계를 이해합니다. 인덕터 양단...2025.01.03
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기초전자실험 - 24장 전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터로, 유니폴라 소자이며 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하여 전류량이 0A가 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상...2025.04.30
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MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험 보고서는 MOSFET 바이어스 회로에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험을 통해 게이트 바이어스 회로와 리미팅 회로의 전류 측정 결과를 확인하였으며, PSpice 시뮬레이션 결과와 실험 결과 간의 차이에 대해 고찰하였습니다. 실험 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들, 예를 들어 브레드보드, 도선, MOSFET, 저항 등의 내부 저항 특성으로 인한 차이가 실험 결과와 시뮬레이션 결과의 차이를 발생시킨 것으로 분석되었습니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-S...2025.01.02
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OP-AMP를 이용한 복합 증폭 실험 결과 보고서2025.01.051. 가산 증폭 회로 가산 증폭 회로는 반전 증폭 회로의 한 종류로, 입력단자를 하나 더 추가한 회로입니다. 이 회로에서 출력전압 Vo는 입력전압 V1, V2, V3의 합에 비례하여 증가합니다. 실험을 통해 가산 증폭 회로의 동작을 확인하고, 이론값과 측정값의 오차율을 계산하였습니다. 2. OP-AMP 특성 및 활용 이번 실험에서는 OP-AMP의 다양한 증폭 기능을 확인하였습니다. 741 모델과 158 모델의 차이점을 비교하였고, 반전 증폭과 비반전 증폭 파형을 측정하였습니다. 실험 결과 OP-AMP의 특성을 잘 이해할 수 있었고,...2025.01.05
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