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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험 보고서는 MOSFET 바이어스 회로에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험을 통해 게이트 바이어스 회로와 리미팅 회로의 전류 측정 결과를 확인하였으며, PSpice 시뮬레이션 결과와 실험 결과 간의 차이에 대해 고찰하였습니다. 실험 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들, 예를 들어 브레드보드, 도선, MOSFET, 저항 등의 내부 저항 특성으로 인한 차이가 실험 결과와 시뮬레이션 결과의 차이를 발생시킨 것으로 분석되었습니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-S...2025.01.02
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전자회로실험_A+레포트_Diode Clamper & Filter2025.01.131. 다이오드 클램퍼 회로 다이오드 클램퍼 회로는 입력 신호 파형을 변화시키지 않고 일정한 레벨로 고정시키는 회로이다. 다이오드, 캐패시터, 저항이 회로에 필요하며, 캐패시터 양단의 전압이 최댓값으로 유지될 수 있도록 충분한 충전시간이 필요하다. 양의 클램퍼는 입력신호 전압에 직류 전압을 더하여 그 레벨에 고정하고, 음의 클램퍼 회로는 캐패시터 양단에 Vp(in)-0.7V만큼이 충전된다. 2. 바이어스 클램퍼 회로 바이어스 클램퍼 회로는 다이오드 클램퍼 회로에 DC 전압이 추가된 회로이다. 다이오드 방향을 바꾸어 주면서 DC 전압을...2025.01.13
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서강대학교 22년도 전자회로실험 10주차 결과레포트2025.01.131. MOSFET 소스 팔로워 소스 팔로어의 이론적인 전압이득은 1/gm이 작은 값이기에, 거의 1에 가까운 이득을 보인다. 바이어스가 포함된 소스 팔로어의 경우도, 소신호 등가회로를 이용해 전압이득을 계산할 수 있다. 실험 결과, 소스 팔로어의 전압이득을 측정해본 결과, 0.93이 나왔고, 이론값과 3.9%의 오차만 있어 소스 팔로어로서 잘 동작하고 있다고 할 수 있다. 2. 1단 증폭기 1단 증폭기는 등가회로로 생각할 수 있고, 이때 전압이득은 쉽게 구할 수 있다. 실험 결과, 1단 증폭기의 전압이득은 이론값 3.955와 측정값...2025.01.13
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[기초전자실험 with pspice] 18 RC 및 RL 병렬회로 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. RC 병렬회로 RC 병렬회로에서는 전압에 위상차가 없지만, 저항과 커패시터를 흐르는 전류 사이에 위상차가 발생한다. 커패시터에서 흐르는 전류는 전압보다 90도 앞선다. 전체 전류는 저항과 커패시터를 흐르는 전류의 벡터합으로 나타낼 수 있으며, 옴의 법칙을 이용하여 임피던스를 계산할 수 있다. 2. RL 병렬회로 RL 병렬회로에서는 전압에 위상차가 없지만, 저항과 인덕터를 흐르는 전류 사이에 위상차가 발생한다. 인덕터에서 흐르는 전류는 전압보다 90도 앞선다. 전체 전류는 저항과 인덕터를 흐르는 전류의 벡터합으로 나타낼 수 있으...2025.04.28
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.111. Op Amp의 특성 측정 이 실험에서는 Op Amp의 특성을 측정하고 분석하였습니다. Offset Voltage, Offset Current와 같은 Op Amp의 한계를 이해하고, Integrator 회로에서 발생하는 Slew-rate 현상을 실험적으로 측정하였습니다. 실험 결과를 이론값과 비교 분석하여 Op Amp의 내부 구조와 작동 원리에 대해 이해할 수 있었습니다. 2. Integrator 회로 설계 Integrator 회로를 설계하고 실험하였습니다. RF 값에 따른 출력 파형의 변화를 관찰하고, PSPICE 시뮬레이션 ...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 9주차 Feedback Amplifier 설계2025.01.121. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 변화시키며 출력전압을 측정하였다. 입력저항과 부하저항을 변경하여 출력전압을 비교 분석하였다. 전원전압이 출력전압의 최대값에만 영향을 주는 것을 확인하였다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 변화시키며 출력전류를 측정하였다. 피드백 저항 값을 변경하여 출력전류를 비교 분석하였다. 피드백 저항 값 변화에 따라 출력전류가 변화하는 것을 확인하였다. 3. 구...2025.01.12
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단순 교류 회로 실험2025.01.031. 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성 이 실험에서는 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성을 부하를 걸었을 때와 걸지 않았을 때 각각 검사하여 비교합니다. 또한 교류 신호에 대한 저항 회로에서 옴의 법칙과 키르히호프 법칙의 유효성을 확인합니다. 2. 교류 신호와 커패시터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 커패시터 사이의 관계를 확인합니다. 커패시터 양단의 전압과 커패시터를 통해 흐르는 전류 사이의 관계도 함께 살펴봅니다. 3. 교류 신호와 인덕터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 인덕터 사이의 관계를 이해합니다. 인덕터 양단...2025.01.03
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전자회로실험_1주차 보고서2025.01.211. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 P형 반도체는 억셉터(3가 불순물)가 도핑된 반도체이고 N형 반도체(5가 불순물)는 도너가 도핑된 반도체이다. P형 영역에 연결된 전극을 애노드(anode), N형 영역에 연결된 전극을 캐소드(cathode)라고 한다. PN접합 다이오드의 전류(ID)와 전압(VD) 사이의 관계는 다음과 같다. VD>VΓ인 순방향 전압이 인가되면, 다이오드 전류는 지수함수적으로 급격히 증가한다. VD<VΓ인 역방향 전압이 인가되면, 다이오드에는 매우 작은 역방향 포화전류 ID≒-IS가 흐른다. VΓ는 다이오...2025.01.21
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중앙대학교 전자회로설계실습 결과보고서 3 - Voltage Regulator 설계2025.01.241. 전자회로 설계 이 보고서는 중앙대학교에서 진행된 전자회로 설계 실습 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 브리지 방식 정류회로 설계, 정류 현상 관찰, 다이오드와 커패시터 특성 이해, Voltage Regulator를 통한 AC-DC 변환 및 정전압 유지 등입니다. 실험 과정에서 발생한 오차 요인 분석과 개선 방안도 제시되어 있습니다. 2. 브리지 정류회로 보고서에서는 4개의 다이오드를 사용하는 브리지 방식 정류회로를 설계하고 제작하였습니다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하여 실제 사용된 변압기의 비율이 1:1.27임을 확인하...2025.01.24
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