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울산대학교 전기전자실험 11. LC 회로의 리액턴스 측정 및 RLC 직병렬 회로의 임피던스 측정2025.01.121. RC 회로의 리액턴스 측정 및 전압 위상 변화 RC 회로에 5Vpp 1kHZ의 정현파를 인가했을 때 리액턴스 측정과 전압의 위상 변화를 확인하는 것이 목적이다. 리액턴스는 Xc = 1/(2πfC)를 통해 구했을 때 1591.55Ω의 값을 구할 수 있었고 1434의 측정값을 얻을 수 있었다. 전압의 위상을 관찰하기 위해 θ = tan^-1((Xc)/R)를 통해 구했을 때 -35.88의 값을 구할 수 있었고, 측정값을 통해 구했을 때는 -33.10의 값을 구했다. 리액턴스값이 약 10% 차이가 나는 것은 커패시터 용량 측정값 또한...2025.01.12
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[한기대 A+] 기전력 측정(전위차계)2025.05.111. 비저항 비저항은 단위 길이당의 전기 저항으로, 고유저항 또는 저항률이라고 한다. 도선의 저항 R은 도선 길이 l에 비례하고 단면적 s에 반비례한다. 비저항은 길이가 1m이고, 단면적이 1m^2인 도선의 전기저항에 해당하며, 단위는 Ω·m이다. 도선의 온도가 달라지면 도선의 저항값은 변하며, 이때 저항 온도 계수 α를 사용한다. 2. 기전력 기전력은 전지나 발전기와 같이 두 단자의 전위차를 일정하게 유지시키는 능력으로, 단위는 V로 나타낸다. 전지나 발전기는 내부의 양(+)전하를 낮은 전위에서 높은 전위쪽으로 계속해서 옮겨주며,...2025.05.11
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다이오드 브리지 정류 회로 실험 결과보고서2025.01.041. 다이오드 브리지 정류 회로 이번 실험의 목표는 다이오드의 역할과 브릿지 정류회로에서 출력값은 어떻게 나타나며, 커패시터를 추가했을 경우 출력전압은 어떻게 나타나는지 알아보는 것이었습니다. 실험 결과, 이론값과 측정값이 상당히 다르게 나타났습니다. 첫 번째 실험에서 다이오드의 전위장벽으로 인한 전압강하를 알아보는 실험이었는데, 이론값보다 높은 값이 측정되었습니다. 두 번째 실험은 다이오드 브릿지 회로를 실험하는 것이었는데, 이론값보다 높은 첨두값이 측정되었습니다. 세 번째 실험은 커패시터를 연결하여 전압값을 측정하는 것으로, 그...2025.01.04
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중첩의 원리 실험2025.05.161. 선형성(Linearity) 선형성(Linearity)은 비례성(homogeneity property)과 가산성(additivity property)으로 구성됩니다. 선형회로에서만 적용 가능한 중첩(Superposition)의 원리는 하나 이상의 독립 전원이 있을 때, 전체 회로의 동작이 모든 독립 전원이 하나씩 동작할 때의 결과를 합친 것과 같다는 것을 의미합니다. 2. 중첩의 원리 적용 중첩의 원리를 적용하기 위해서는 하나의 소스를 제외하고 모든 독립전원을 끄고, 각각 다른 독립전원에 1의 내용을 반복한 뒤 독립전원에 의한 ...2025.05.16
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서2_전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계(보고서 1등)2025.05.101. 건전지 내부 저항 측정 설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계요약 건전지의 내부 저항을 측정하기 위해 회로를 구성하고 직접 측정해 보았다. 실습 계획서에 0~1Ω으로 작은 저항 값이 나올 것이라고 예측했고, 실제 측정값은 약 1.05Ω으로, 실제 결과 값과 유사하게 예상했다고 할 수 있다. 2. DC Power Supply 사용법 익히기 DC Power Supply의 사용법을 익히고 각 단자 간의 관계를 알아보기 위해 크게 두 가지 실험을 진행했다. 첫째는 DC Power Supply의 최대 공급전류를...2025.05.10
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.05.021. RC회로의 시정수 측정 이 보고서는 RC회로의 시정수를 측정하는 회로와 방법을 설계하는 것을 다룹니다. 주요 내용은 다음과 같습니다. 1) V와 R의 값을 측정하고 DMM을 저항과 전압에 직렬로 연결하여 전압 V0를 측정한 후 이를 이용해 Rin을 계산합니다. 2) DMM을 전류 측정 모드로 설정하고 스위치를 1번에 연결하면 초기 전류 I가 흐르고, 시간이 지남에 따라 전류 Ic가 감소하는데 이때 Ic가 초기 전류의 36.8%가 되는 시간이 RC 시정수입니다. 3) RC 시정수가 10μs이고 커패시터 용량이 10nF일 때 저항...2025.05.02
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전기회로설계실습 실습1 예비 보고서2025.01.201. 저항 측정 DMM을 이용하여 10k, 1/4, 5% 저항 30개를 측정하는 방법을 설명했습니다. DMM 연결 방법, 측정 범위 설정, 측정 오차 예상 분포도 등을 다루었습니다. 2. 직류 전압 측정 6V 건전지와 DC 전원 공급기의 전압을 DMM으로 측정하는 방법을 설명했습니다. DMM 연결 방법과 내부 저항으로 인한 전압 강하 등을 다루었습니다. 3. 전류 측정 회로에 직렬로 DMM을 연결하여 전류를 측정하는 방법을 설명했습니다. 전류 측정 시 DMM의 측정 범위를 초과하지 않도록 주의해야 한다는 점을 다루었습니다. 1. 저...2025.01.20
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전기회로설계실습 4장 예비보고서2025.01.201. Thevenin 등가회로 설계 이 보고서는 Thevenin 등가회로를 설계, 제작, 측정하여 원본 회로 및 이론값과 비교하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에는 브리지 회로에서 부하 저항 RL에 걸리는 전압과 흐르는 전류를 구하는 내용, Thevenin 등가회로의 이론적 설계와 실험적 구현 방법, 부하가 포함된 Thevenin 등가회로 및 측정 회로 등이 포함되어 있습니다. 1. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin 등가회로 설계는 복잡한 전기 회로를 간단한 등가 회로로 변환하는 기술입니다. 이를 통해 회로 분석을 단순...2025.01.20
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전자회로설계실습 5번 결과보고서2025.01.201. BJT와 MOSFET을 사용한 구동회로 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨이 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 LED구동회로, 부하가 BJTd 인버터에 연결된 LED구동회로, MOSFET를 이용한 LED구동회로 등 3가지 회로를 구현하고 각 회로의 동작을 분석하였습니다. 회로 구현 과정에서 발생한 오차와 그 원인을 분석하였으며, MOSFET의 동작 원리와 RG의 역할 등을...2025.01.20
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기초 회로 실험 결과 레포트2025.01.211. 저항의 직렬 및 병렬 연결 저항기의 직렬 및 병렬 연결에 대해 설명하고 있습니다. 직렬 연결의 경우 등가저항은 각 저항의 합이 되고, 병렬 연결의 경우 등가저항은 각 저항의 역수의 합의 역수가 됩니다. 2. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 분기점 법칙과 고리 법칙에 대해 설명하고 있습니다. 분기점 법칙은 모든 분기점에서 전류의 합이 0이 되어야 하고, 고리 법칙은 모든 닫힌 회로에서 전위차의 합이 0이 되어야 한다는 내용입니다. 3. 휘트스톤 브릿지 휘트스톤 브릿지 회로에 대해 설명하고 있습니다. 이 회로는 미지의 저항값을 매우...2025.01.21
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