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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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OP-AMP를 이용한 기본 증폭 실험 결과 보고서2025.01.051. OP-AMP의 정의와 특성 OP-AMP는 덧셈, 적분 등의 연산 기능을 갖는 고이득 직류 증폭기입니다. 이상적인 OP-AMP는 무한대의 전압 이득, 입력 저항, 주파수 대역폭을 가지며 오프셋 전압과 전류가 0입니다. 실제 OP-AMP는 이상적인 특성과 차이가 있지만 여전히 높은 전압 이득, 입력 저항, 넓은 주파수 대역폭을 가집니다. 2. 가상 접지 이상적인 OP-AMP에서는 입력 저항이 무한대이므로 입력단자 간 전압차가 0이 됩니다. 이를 가상 접지라고 하며, 이 개념은 OP-AMP 회로 해석에 중요한 역할을 합니다. 3. ...2025.01.05
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 전압 이득을 구하는 것이 목적이다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 일반 저항 대신 MOSFET을 부하로 사용하여 출력 임피던스를 크게 만들고, 높은 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 고성능이 요구되는 증폭 회로에서 사용되며, 작은 입력 변화에도 큰 출력 증폭을 가능하게 하는 장점이 있다. 2...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 12 소오스 팔로워)2025.01.291. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 전압 버퍼로도 불리며, 입력 신호를 증폭하지 않고 동일한 위상의 신호를 출력하지만, 출력 저항을 낮추고 전류를 증폭하는 역할을 한다. 이 회로의 주요 특성은 입력과 출력의 관계, 전압 이득, 출력 저항 감소, 전류 이득 등이다. 2. 소오스 팔로워 회로의 실험 결과 실험을 통해 R_S 값이 MOSFET의 동작 점과 회로의 전류 흐름에 중요한 역할을 한다는 점을 확인할 수 있었다. 또한 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 변화를 측정하여 소오스 팔로워의 전압 이득이 거의 1에 가까운 것을 ...2025.01.29
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MOSFET 증폭기 회로 예비보고서2025.01.021. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다. n 채널 MOSFET의 구조와 동작 원리, 동작 영역에 따른 드레인 전류 특성, 소스 공통 증폭기의 구조와 특성 등을 설명하고 있다. 실험을 통해 MOSFET의 특성과 소스 공통 증폭기의 동작을 확인하고자 한다. 1. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 증폭기 회로는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. MOS...2025.01.02
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[전자공학응용실험] 능동부하가 있는 공통 소스증폭기-예비레포트2025.04.261. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 이 실험에서는 정전류원 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선 입력에 따라서 M1에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, 이를 통해 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선을 구할 수 있다. 3. 공통 소...2025.04.26
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[전자공학응용실험] 차동증폭기 기초 실험-예비레포트2025.04.261. 차동 증폭기 기초 실험 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고 특성을 분석한다. 2. 능동 부하와 전류 거울 집적회로를 설계할 때 일정한 전류원이 가장 기본적인 요소가 되는데, 전류원이 필요한 곳마다 저항을 사용하여 회로를 설계하면 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정된다. 따라서 수동 부하 저항을 사용하여 집적회로를 설계하기보다는 능동 부하 회로를 이용하는 것이 좋다...2025.04.26
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[전자공학응용실험] 차동증폭기 심화실험-결과레포트2025.04.261. 차동증폭기 차동 모드 입력 가변 저항 값은 811옴이었고, 차동 모드 전압 이득은 주파수에 따라 변화했습니다. 1kHz에서는 11.12V/V, 10kHz에서는 11.47V/V, 100kHz에서는 5.76V/V, 1MHz에서는 1.08V/V였습니다. 공통 모드 입력 가변 저항 값은 803옴이었고, 공통 모드 전압 이득은 주파수에 따라 0.16V/V에서 0.29V/V 사이였습니다. CMRR(공통 모드 제거비)는 주파수가 높아질수록 감소하여 1MHz에서는 11.41dB였습니다. 차동 쌍이 완전히 매칭되지 않아 공통 모드 전압 이득이...2025.04.26
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홍익대학교 전자회로(2) H-SPICE 시뮬레이션 보고서2025.04.261. CS Amp 설계 CS Amp 설계 시 전압이득 20 정도를 얻기 위해 M2 NMOS TR의 W/L 크기와 Vb 바이어스 전압을 조절하였다. M2가 Current Source로 동작할 수 있도록 VDS에 따른 전류 변화가 작은 조건을 찾았으며, 전압이득을 높이기 위해 M1 PMOS TR의 W 크기를 조절하였다. 최종적으로 M2의 W/L을 0.6um, Vb를 0.62V로 설정하고 M1의 W를 0.4um로 설정하여 전압이득 22.4를 얻었다. 2. Transient 시뮬레이션 Vin에 1.86V DC 바이어스와 10mV Peak-...2025.04.26
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전자공학실험 7장 이미터 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 이미터 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. BJT 증폭기 구조 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 이미터 증폭기를 [실험 06]에서 실험하였고, 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중 이미터 팔로워에 대한 실험이다. 3. 이미터 팔로워 회로의 동작 특성 실험회로 1에서 주어진 바이어스 조건은 능동 영역으로 동작함을 알...2025.01.15
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