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트랜지스터 보고서 (2)2025.05.101. 트랜지스터의 증폭작용 이번 실험은 IB를 고정시키고 E와 C 사이의 전압을 조절하여 IC의 변화를 관찰하고, IB를 증가시켜 IC의 변화를 관찰하여 트랜지스터의 증폭작용을 이해하는 것이 실험의 목표입니다. 실험 결과를 통해 IB가 증가할수록 IC가 상대적으로 많이 증가하는 것을 확인할 수 있었고, 이를 통해 트랜지스터의 증폭작용을 이해할 수 있었습니다. 2. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험에서 PNP형 트랜지스터를 이용하므로 PNP형을 기준으로 트랜지스터의 증폭작용의 원리를 이해해보았습니다. E와 B에 순방향 전압, B와 ...2025.05.10
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[기초회로실험]분압기와 분배기2025.05.061. 분압기 분압기는 전기회로에서 전압을 분배하는 장치입니다. 직렬로 연결된 저항을 통해 전압이 분배되며, 각 저항에 걸리는 전압은 저항 값에 비례합니다. 이를 통해 고전압을 보통 전압으로 변환하여 측정할 수 있습니다. 분압기는 직류 회로에 사용되며, 정밀도 문제가 발생할 수 있습니다. 2. 분배기 분배기는 전기회로에서 전류를 분배하는 장치입니다. 병렬로 연결된 저항을 통해 전류가 분배되며, 각 저항에 흐르는 전류는 저항 값에 반비례합니다. 이를 통해 큰 전류를 측정할 수 있도록 전류계에 병렬로 연결하여 전류를 감소시킬 수 있습니다...2025.05.06
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전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. [그림 10-1]은 가장 기본적인 전...2025.01.13
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중앙대학교 분배 법칙 및 휘스톤 브릿지 결과 보고서2025.01.291. 전압 분배 실험을 통해 각 노드에 걸리는 전압이 저항의 변화에 따라 어떻게 분배되는지 이해하였다. 저항의 직렬 및 병렬 연결에 따른 합성저항을 이해하였다. 전압 분배 법칙을 통해 폐회로에서 전체 전압과 각 저항 양단의 전압을 구할 수 있음을 확인하였다. 2. 전류 분배 폐회로에서 전체 전류와 각 저항에 흐르는 전류를 옴의 법칙을 이용하여 구할 수 있음을 확인하였다. 접속된 저항의 수만큼 전류가 나누어진다는 전류 분배 법칙을 이해하였다. 3. 휘스톤 브릿지 휘스톤 브릿지 회로를 통해 미지의 저항을 측정하는 과정을 이해하였다. 모...2025.01.29
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분압기(Voltage Divider) 설계 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. 분압기 설계 이 보고서는 출력전압이 12V로 고정되어 있는 DC power supply를 이용하여 정격전압이 3V±10%, 정격전류가 3mA±10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 부하 효과를 고려하지 않은 잘못된 설계와 부하를 고려한 현실적인 설계를 비교하고 있으며, 등가 부하를 고려하여 설계 목표를 만족하는 분압기 회로를 제시하고 있습니다. 1. 분압기 설계 분압기는 전기 회로에서 중요한 역할을 합니다. 입력 전압을 원하는 출력 전압으로 변환하여 다양한 전자 ...2025.04.25
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실험 15_다단 증폭기 결과보고서2025.04.281. 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였다. 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에는 일반적으로 다단 증폭기를 사용한다. 실험을 통해 다단 증폭기의 입력단과 출력단의 임피던스 조건, 전압 이득 특성 등을 확인하였다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 2단 증폭기와 3단 증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하였다. MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하고, 이를 이...2025.04.28
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중앙대학교 전기회로설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입려저항 측정회로 설계(예비) A+2025.01.271. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항은 수Ω 정도로 작으며 새 건전지의 경우 0.05Ω의 출력저항을 가진다. 따라서 내부저항은 0에 가까운 아주 작은 값일 것이라 예상한다. 건전지(6 V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하여 제출하였다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 측정에 의한 전력소비가 최소가 되도록 하였다. 10Ω 저항에 0.6A 전류가 흐르고 6V 전압이 걸리므로 10Ω 저항에 소비되는 전력은 3.6W이다. 2. 옴의 법칙과 전류 계산 10Ω의 저항에 1V를 인가하면 전류는 100mA이다. D...2025.01.27
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전기회로설계실습 3. 분압기(Voltage Divider) 설계2025.01.211. 분압기(Voltage Divider) 설계 이 실습의 목적은 부하효과(Loading Effect)를 고려한 분압기(Voltage Divider)를 설계, 제작하고 설계와 실험값을 비교, 분석하는 것입니다. 분압기 회로를 설계하고 부하 저항을 고려하여 전압과 전류를 계산하였습니다. 또한 부하가 연결되었을 때와 연결되지 않았을 때의 전압과 전류 변화를 분석하였습니다. 2. 부하효과(Loading Effect) 부하효과는 회로에 부하가 연결되면 회로의 전압과 전류가 변화하는 현상을 말합니다. 이 실습에서는 부하로 IC 칩을 연결하였...2025.01.21
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 3주차 결과레포트2025.05.101. R회로 구현 및 등가회로 구현 실험 1-1에서는 20옴 저항 6개를 직, 병렬로 연결하여 등가저항을 구현하고 두 가지 방법으로 등가저항을 측정하였다. 직접 측정 방법으로는 13.2옴, 전압-전류 비 방법으로는 13.16옴을 얻었으며, 이론값 13.33옴과 비교하여 오차율 0.98%와 1.28%를 보였다. 오차의 원인으로는 측정 장비의 한계와 저항 자체의 오차 등이 지적되었다. 2. C회로 구현 및 등가회로 구현 실험 1-2에서는 100옴 저항과 220pF 커패시터 6개를 직, 병렬로 연결하여 RC 회로를 구현하고 주파수에 따른...2025.05.10
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 11 중첩원리2025.05.131. 중첩 원리 실험을 통해 두 개 이상의 전압 원을 가진 선형회로에 중첩정리를 적용하는 방법을 확인하였다. 두 개의 전압 원을 가진 회로를 구성하여 회로에 흐르는 전류와 전압을 구하고 측정을 통해 계산값이 맞는지 확인하였다. 실험 결과 전류분배법칙과 전압 분배법칙을 사용하여 계산한 값과 실제 측정값이 거의 일치하는 것을 확인할 수 있었다. 또한 두 개의 전원을 사용하여 전류를 중첩하면 각각 하나의 전원을 사용했을 때의 전류, 전압값의 합과 같다는 사실을 알게 되었다. 1. 중첩 원리 중첩 원리는 복잡한 시스템을 이해하고 설계하는 ...2025.05.13
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