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기초전자공학실험(서강대) - 1. 멀티미터에 의한 측정 결과 보고서2025.01.151. 저항 측정 실험을 통해 저항 값을 측정하였으며, 이론치와 측정치 간에 약간의 오차가 발생하였음을 확인하였다. 오차의 원인으로는 멀티미터 내부 건전지 소모에 따른 전압 감소로 인한 것으로 분석되었다. 0옴 조정을 통해 이러한 오차를 줄일 수 있음을 확인하였다. 2. 전압 측정 직렬 연결된 회로에서 각 저항에 걸리는 전압을 측정하였으며, 이론치와 측정치 간에 약간의 오차가 발생하였음을 확인하였다. 이는 전압계의 내부 저항과 측정 저항의 병렬 연결로 인한 것으로 분석되었다. 전압 측정 시 전압계와 전압원을 병렬로 연결해야 함을 확인...2025.01.15
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전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.05.031. 내부저항이 0인 건전지 내부저항이 0인 건전지는 이론상으로 존재할 수 없기에 0Ω에 가깝게 매우 작지만, 0Ω은 아닐 것이다. 2. DMM을 이용한 전류 측정 1) DMM의 측정 단위를 V로 설정한다. 2) DMM의 빨간 선은 V 단자에, 검은 선은 COM 단자에 연결한다. 3) 10Ω 저항과 PushButton을 직렬로 연결한 후 건전지(6V)에 연결한다. 4) 10Ω 저항에 흐르는 전류를 측정하기 위해 DMM을 병렬로 연결한다. 5) Pushbutton을 눌러 전류가 흐르게 한 후 DMM에 표시된 값을 읽는다. 3. 전력 ...2025.05.03
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[A+결과보고서] 설계실습 1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계2025.05.031. DMM 사용법 DMM은 저항, 전압, 전류를 측정하는 장치로써 "HI" 단자와 "LO"단자에 리드선을 연결하여 측정을 진행한다. 저항, 전압, 전류 마다 측정하는 방법과 측정하는 회로가 각각 다르며 일반적으로 전압과 저항을 측정할 때는 병렬, 전류를 측정할 때는 직렬로 연결하여 측정한다. 2. DC Power Supply 사용법 DC power supply는 두 단자 사이에 전압을 발생시키는 장치로 직류전원 전압의 크기를 일정범위 내에서 가변 공급하고자 할 때 사용한다. 3. 고정저항 측정 DMM을 이용해 고정저항의 실제 값을...2025.05.03
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_결과보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하였습니다. 회로를 구현하고 LED 구동 및 측정을 통해 전압, 전류, 소비전력 등을 분석하였습니다. BJT 회로에서는 약 15%의 오차가 발생했지만, MOSFET 회로에서는 오차가 더 작은 측정값을 얻을 수 있었습니다. 전반적으로 실습이 잘 진행되었다고 볼 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 BJT(Bipol...2025.01.22
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저항, 전압, 전류의 측정방법 설계 / 전기회로설계실습 예비보고서 중앙대 12025.05.021. 저항 측정 2-wire 측정법과 4-wire 측정법을 사용하여 고정저항과 가변저항을 측정하는 방법을 설명합니다. 2-wire 측정법은 리드선과 접촉저항에 의한 오차가 발생할 수 있지만, 4-wire 측정법은 이러한 오차를 줄일 수 있습니다. 또한 병렬 연결된 저항을 측정하는 방법과 가변저항의 특성을 설명합니다. 2. 전압 측정 DC 전원 공급 장치를 사용하여 회로에 전압을 인가하고, 디지털 멀티미터(DMM)를 이용하여 전압을 측정하는 방법을 설명합니다. 무부하 상태와 부하 상태에서의 전압 변화를 확인하고, 전원 공급 장치 사용...2025.05.02
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전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계 / 전기회로설계실습 예비보고서 중앙대 22025.05.021. 건전지의 내부 저항 측정 실험 목적은 건전지의 출력저항과 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익히는 것입니다. 부하효과(Loading Effect)를 이해하기 위해 건전지의 내부 저항 R1과 외부 부하 저항 R2를 이용한 회로를 구성하여 측정합니다. 이상적인 측정을 위해서는 R1이 0에 가까워야 하며, 좋은 건전지일수록 내부 저항이 0에 가깝게 측정될 것입니다. 2. DMM의 입력 저항 측정 DMM의 측정 단위를 V에 맞추고 저항 양단에 DMM을 연결하여 전압과 전...2025.05.02
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.05.021. RC회로의 시정수 측정 이 보고서는 RC회로의 시정수를 측정하는 회로와 방법을 설계하는 것을 다룹니다. 주요 내용은 다음과 같습니다. 1) V와 R의 값을 측정하고 DMM을 저항과 전압에 직렬로 연결하여 전압 V0를 측정한 후 이를 이용해 Rin을 계산합니다. 2) DMM을 전류 측정 모드로 설정하고 스위치를 1번에 연결하면 초기 전류 I가 흐르고, 시간이 지남에 따라 전류 Ic가 감소하는데 이때 Ic가 초기 전류의 36.8%가 되는 시간이 RC 시정수입니다. 3) RC 시정수가 10μs이고 커패시터 용량이 10nF일 때 저항...2025.05.02
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기초회로실험 중첩의 정리와 가역정리 실험 결과보고서2025.04.291. 중첩의 정리 중첩의 정리를 확인하는 실험은 온라인으로 진행되어 웹 시뮬레이션(falstad web simulation)을 이용하여 진행되었다. 중첩의 정리는 다수의 전원을 포함하는 선형 회로망에서 회로 내의 임의의 점에서의 전류는 각 전원의 적용으로 흐르는 전압과 전류의 합과 같다는 정리이다. 위의 정리를 확인하기 위해 2개의 전원을 연결하여 각 저항의 전류를 측정하고 하나씩 단락 시켜 전류를 측정한 후 두 값을 비교해보았다. 실험 결과 약간의 미세한 오차가 발생했지만 값은 대체적으로 중첩의 정리를 만족시킴을 확인할 수 있었다...2025.04.29
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중앙대학교 전기회로설계실습 4. Thevenin등가회로 설계(예비) A+2025.01.271. Thevenin 등가회로 설계 브리지회로의 Thevenin 등가회로를 이론 및 실험으로 구하고 비교하려 한다. 브리지회로에서 전압과 전류를 KVL을 이용해 구할 수 있으며, 이를 통해 Thevenin 등가회로의 개방전압과 등가저항을 이론적으로 구할 수 있다. 또한 실험적으로 개방전압과 등가저항을 측정하는 방법을 설명하고 있다. 마지막으로 부하가 포함된 Thevenin 등가회로를 그리고 전압과 전류를 측정하는 회로를 제시하고 있다. 1. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin 등가회로 설계는 전기 회로 분석에 있어 매우 ...2025.01.27
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중앙대학교 전기회로설계실습 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법 설계(예비) A+2025.01.271. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법을 설계하여 제출하라. 1) DMM의 측정단위를 Ω으로 맞춘다. 2) DMM의 측정치를 10 Ω보다 크게 맞추고, 임의의 수십[MΩ] 정도의 저항의 저항값을 측정한다. 3) DMM의 측정단위를 Vdc로 바꾼다. 4) DC Power Supply 와 임의의 저항, DMM을 연결한다. 5) DMM에서 측정되는 전압을 통해 DMM의 내부저항을 구한다. 2. RC time constant 측정 DMM의 내부저항과 2.2 μF의 커패시터를 이용하여 RC time constant를 ...2025.01.27
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