총 22개
-
중첩의 원리 & 테브낭 노튼 정리 예비보고서2025.01.121. 중첩의 원리 중첩의 원리는 선형미분방정식으로 표현되는 모든 물리계에 대하여 성립하며, 특히 전기회로망에 대해서는 '다수의 전원을 포함하는 선형회로망에 있어서 임의의 점에 전류 및 전압은 개개의 전원이 독단적으로 작용할 때에 그 점의 전류 및 전압을 합한 것과 같다'라고 할 수 있다. 이를 실험적으로 증명하고, 전압원과 전류원을 이해하며 중첩의 원리에 대한 응용력을 키운다. 2. 테브낭 정리 테브낭의 정리는 어떠한 구조를 갖는 회로망도 그 임의의 두 단자 A-B 외측에 대해서 하나의 전원전압과 하나의 임피던스가 직렬연결된 것으로...2025.01.12
-
전자회로실험 결과보고서 - 전류원 및 전류거울2025.01.021. 전류거울 전류 거울에서 전류 오차가 생기는 원인은 MOSFET의 문턱 전압, 이동도 등과 같은 제조 공정의 편차와 외부 환경으로 인한 것이다. 또한 채널 길이 모듈레이션, 접촉 저항, 전류 거울의 내부 임피던스, 전류 센서의 정밀도 등 다양한 요인으로 인해 전류 오차가 발생할 수 있다. 2. 전류원 전류원의 출력 저항이 낮을수록 전류의 정확도가 향상될 가능성이 높다. 전류원은 출력 저항이 커 부하 저항 대용으로 사용되는데, 공통 소오스 증폭기에 흐르는 입력 전압에 비례한 소신호 전류가 부하 저항으로 인하여 출력 전압으로 변환되...2025.01.02
3 / 3
