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서울시립대학교 물리학및실험1 토크의평형 만점레포트2025.01.121. 토크의 평형 실험을 통해 토크에 대해 이해하고 물체가 역학적 평형을 유지할 때 물체가 받는 토크의 합이 0이 되어야 함을 파악했습니다. 시소를 제외한 일상에서 토크가 중요하게 작용하는 활동으로는 균형잡기, 피아노 연주, 자전거 주행 등이 있습니다. 토크의 합이 0인 상태가 나타나는 상황을 주변에서 관찰할 수 있었습니다. 1. 토크의 평형 토크의 평형은 물체가 회전하지 않고 정지 상태를 유지하는 것을 의미합니다. 이는 물체에 작용하는 모든 토크의 합이 0이 되는 상태를 말합니다. 이러한 평형 상태는 물체의 안정성과 균형을 유지하...2025.01.12
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킬레이트 화합물의 합성2025.01.121. 화학 결합 화학 결합은 광물을 구성하는 원자들이 하나의 집합체를 형성할 수 있도록 해주는 원자들 사이에 작용하는 힘 또는 그 결합 자체를 의미한다. 원자 간의 상호작용 양상에 따라 강한 결합과 극성을 띄는 원자 또는 분자 사이에 작용하는 상대적으로 약한 결합력에 의한 결합으로 나눌 수 있다. 2. 배위 결합 배위 결합은 루이스 산과 루이스 염기가 반응하여 루이스 첨가생성물을 생성할 때, 결합에 참여하는 공유 전자가 한 쪽의 원자에서 일방적으로 제공되면서 생기는 결합을 말한다. 배위 결합을 하는 루이스 첨가 생성물을 배위 착화합...2025.01.12
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Backscattering에서 물질의 원자 번호와 두께의 영향2025.01.131. Backscattering Backscattering은 원자 번호와 두께에 영향을 받는다. 원자번호가 증가하면 입사 입자와 핵 사이의 정전기 상호 작용이 더 강해져 backscattering이 더 높은 확률로 일어난다. 두께가 증가할수록 입자가 침투 경로를 따라 더 많은 원자와 상호작용할 확률이 높아진다. 둘 중 어떤 것이 더 큰 영향을 미치는지는 상황에 따라 다를 수 있는데, 원자번호가 낮은 물질들의 경우 두께가, 원자번호가 높은 물질들의 경우 원자번호가 더 큰 영향을 미칠 수 있다. 1. Backscattering Back...2025.01.13
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[A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트,논리설계실험,Breadboard & Basic logic gates2025.01.151. 기본 논리 게이트 실험에서는 NOT 게이트, AND 게이트, OR 게이트, NAND 게이트, NOR 게이트 등의 기본 논리 게이트를 다루었습니다. 각 게이트의 입력과 출력 관계, 진리표, 논리식 등을 확인하고 실험을 통해 게이트의 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. 드모르간의 법칙 실험에서는 드모르간의 법칙을 이용하여 NAND 게이트와 NOR 게이트의 특성을 확인하였습니다. 논리 합에 대한 부정을 각 변수의 부정에 대한 논리 곱의 형태로 변환하는 제1법칙과 논리 곱에 대한 부정을 각 변수의 부정에 대한 논리 합의 형태로 변환하...2025.01.15
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서울시립대_물리학및실험2_자기력실험_예비레포트&결과레포트_A+2025.04.271. 자기력 실험 이 실험은 자기장 속에 있는 전류가 흐르는 도선에 작용하는 자기력을 측정하여 자기장을 분석하는 것을 목적으로 합니다. 실험에서는 전류와 자기장 사이의 각도 변화, 전류와 도선 길이 변화에 따른 자기력의 변화를 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과 자기장과 전류가 수직일 때 자기력이 가장 크게 나타났으며, 도선의 길이와 전류가 증가할수록 자기력도 증가하는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 오차 분석을 통해 실험 도구의 한계와 사용자의 숙련도에 따른 오차 발생 가능성을 확인하였습니다. 1. 자기력 실험 자기력 실험은 자...2025.04.27
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[전자공학응용실험]실험9 MOSFET 기본특성, 실험10 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트(A+)2025.04.291. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로, 구조는 금속-산화막-반도체로 이루어져 있다. NMOS는 바디가 p형 기판, 소스와 드레인이 n+로 도핑된 구조이고, PMOS는 바디가 n형 기판, 소스와 드레인이 p+로 도핑된 구조이다. 게이트에 전압이 인가되면 채널이 형성되어 소스에서 드레인으로 전류가 흐르게 된다. MOSFET은 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가지며, 각 영역에서의 단자 전압과 전류 관계...2025.04.29
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아동과학교육의 교수원리 및 교사역할2025.04.301. 아동과학교육의 교수원리 아동과학교육의 교수원리에는 개별화의 원리, 놀이중심의 원리, 탐구학습의 원리, 구체성의 원리 등이 있다. 개별화의 원리는 유아들의 발달 속도, 학습방식, 활동에 대한 이해 및 참여도와 자발성 등의 차이를 고려하여 개별적인 학습활동을 제시하는 것이다. 놀이중심의 원리는 유아들이 놀이를 통해 즐거움을 느끼고 창의성을 발달시키는 것이다. 탐구학습의 원리는 유아들의 호기심을 확장하기 위해 다양한 경험의 기회, 관찰 및 창의적 문제해결 과정 등을 제공하는 것이다. 구체성의 원리는 연령이 어릴수록 구체적인 자료를 ...2025.04.30
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[A+ 결과보고서] 뉴턴 액체의 점도 측정 실험2025.01.241. 전단응력 외부에서 힘이 작용하면 재료 내부에는 이에 저항하는 힘이 생기는데, 이를 응력이라고 한다. 전단응력은 면에 나란하게 작용하는 응력을 의미한다. 전단응력은 속도구배에 비례하고, 이 속도구배를 작게 하는 방향으로 전단응력이 작용한다. 2. 뉴튼 유체와 비뉴튼 유체 전단응력이 유체 속도의 변화율(속도 구배)과 선형적인 관계를 나타내는 기체나 액체같은 유체를 뉴튼 유체라고 하고, 고분자 용액처럼 선형적 관계를 나타내지 않는 유체를 비뉴튼 유체라고 한다. 3. 점도 점성은 유체의 끈끈한 성질을 뜻하며, 유체의 흐름에 대한 저항...2025.01.24
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비교기 예비보고서2025.04.271. 연산 증폭기의 기본 동작 원리 연산 증폭기는 고 이득 전압증폭기로, 두 개의 입력단자와 한 개의 출력단자를 가지고 있다. 연산 증폭기는 두 입력단자 전압 간의 차이를 증폭하는 차동증폭기로 구성되어 있다. 연산 증폭기를 사용하면 사칙연산이 가능한 회로를 구성할 수 있으므로 '연산 증폭기'라고 부른다. 또한 연산 증폭기를 사용하여 미분기 및 적분기를 구현할 수 있다. 연산 증폭기는 일반적으로 +Vcc 및 -Vcc의 두 개의 전원이 필요하지만, 단일 전원만을 요구하는 연산 증폭기도 상용화되어 있다. 2. 이상적인 연산 증폭기의 특성...2025.04.27
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[전자공학응용실험]10주차_6차실험_실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기_결과레포트_A+2025.01.291. 전압 이득 계산 PSpice 계산값에서는 VDD 에 5V 를 인가하였으며, pMOS 소자를 다른 것을 사용하였으므로 DC bias 값이 다르게 나와 전압 이득이 다르게 나오게 되었다. 2. 출력 전압 왜곡 출력 전압의 크기가 크게 되면 Bias point 내에서 swing 하는 것이 아닌 bias point 를 벗어나 swing 하게 되어 출력 파형이 잘리게 되는 clamping 현상이 발생하여 왜곡이 일어나게 된다. 1. 전압 이득 계산 전압 이득 계산은 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니다. 전압 이득은 입력 전압과 ...2025.01.29
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