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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_결과보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하였습니다. 회로를 구현하고 LED 구동 및 측정을 통해 전압, 전류, 소비전력 등을 분석하였습니다. BJT 회로에서는 약 15%의 오차가 발생했지만, MOSFET 회로에서는 오차가 더 작은 측정값을 얻을 수 있었습니다. 전반적으로 실습이 잘 진행되었다고 볼 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 BJT(Bipol...2025.01.22
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_예비보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에는 BJT 기반 LED 구동 회로 설계, MOSFET 기반 LED 구동 회로 설계, 구동 회로 측정 방법 등이 자세히 설명되어 있습니다. 2. BJT 기반 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531...2025.01.22
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전자회로설계 및 실습8_설계 실습8. MOSFET Current Mirror 설계_예비보고서2025.01.221. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 2N7000 MOSFET을 사용하여 VCC=VDD=5V, IREF=10mA인 전류원을 설계한다. 2N7000의 데이터시트를 이용하여 kn'W/L을 구하고, IREF=10mA를 만족시키는 VGS와 R값을 계산한다. 또한 M이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 ...2025.01.22
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서강대학교 고급전자회로실험 3주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. MOSFET 바이어스 회로 및 차동 증폭기 실험 1에서는 nMOS 정전류원 회로를 구성하고 RREF 값에 따른 IREF 전류를 측정하였다. 실험 결과 RREF가 200Ω일 때 IREF가 20mA에 가장 가까운 값을 가짐을 확인하였다. 또한 VX 변화에 따른 ISS 전류를 측정하여 VX가 0.7V 이상일 때 ISS가 거의 일정한 값을 유지함을 확인하였다. 이를 통해 channel length modulation 효과로 인해 실제 전류원 회로에서는 이상적인 정전류원 특성이 나타나지 않음을 알 수 있었다. 실험 2에서는 차동증폭기의...2025.01.21
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MOSFET 결과보고서 (2)2025.01.231. Buck chopper 실험 Buck chopper 실험에서는 인덕터를 제거하고 duty ratio를 30%, 60%, 90%로 변화시키며 결과를 관찰했다. 실험 결과 그래프를 통해 MOSFET이 ON될 때 V2 값이 존재하고 OFF될 때 V2 값이 0에 가까워지는 것을 확인할 수 있었다. 이를 통해 Buck chopper가 V2의 평균값을 낮추는 원리를 이해할 수 있었다. 또한 MOSFET이 ON일 때 다이오드가 OFF되어 Iout 값이 증가하고, OFF일 때 다이오드가 ON되어 Iout 값이 감소하는 것을 관찰할 수 있었다...2025.01.23
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MOSFET 예비보고서 (2)2025.01.231. DC/DC 컨버터 DC/DC 컨버터는 직류를 직류로 변환하는 장치로, 리니어 레귤레이터나 스위칭 레귤레이터 등의 방식으로 변환을 수행한다. MOSFET buck chopper는 입력 전압에 대해 출력 전압을 낮추는 강압형 컨버터이며, MOSFET boost chopper는 입력 전압에 대해 출력 전압을 높이는 승압형 컨버터이다. 2. MOSFET buck chopper MOSFET buck chopper는 스위칭 소자가 ON 상태일 때 전류가 흐르고 LC 회로에 의해 고주파 부분은 GND로 빠져나가고 저주파 부분만 통과하게 된...2025.01.23
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MOSFET 소자 특성 측정 실습 결과 보고서2025.01.041. MOSFET 회로 제작 및 측정 실험에서 MOSFET 회로를 제작하고 게이트 전압(VG)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하였다. 이를 통해 MOSFET의 ID-VGS 특성 곡선을 구할 수 있었다. 또한 문헌에서 확인한 MOSFET의 문턱 전압(VT)과 실험 결과를 비교하여 일치함을 확인하였다. 2. MOSFET 특성 곡선 측정 실험에서 드레인 전압(VD)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하여 MOSFET의 ID-VDS 특성 곡선을 구하였다. 이를 통해 MOSFET이 Triode 영역에서 Saturation 영역으로...2025.01.04
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전자회로설계실습 실습 8 결과보고서2025.01.041. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 본 실습에서는 그림 1의 회로를 breadboard에 구현하고, 전원 공급 장치를 연결하여 MOSFET M1과 M2의 VGS, VDS를 측정하였습니다. 또한 각 저항 사이의 전압을 이용하여 기준 전류 IREF와 출력 전류 IO를 계산하였습니다. 대부분의 측정값이 일정 오차 범위 내에서 정상적으로 출력되었지만, 일부 차이가 발생한 이유에 대해서는 추가적인 분석이 필요할 것으로 보입니다. 1. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 단일 Current Mirror는 전자 회로에...2025.01.04
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전자회로설계실습 실습 9 결과보고서2025.01.041. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기의 입력 저항과 부하 저항값에 변화를 주며 출력전압의 변화를 관찰하였다. 출력전압의 측정값이나 gain에 큰 차이가 없었다. 전원 전압을 12V에서 8V로 하강시키고 입력전압을 증가시키며 측정값의 변화를 관찰하였다. 8V로 하강시키자 일정 입력전압 이상에서 gain을 유지하지 못하고 출력전압이 전원 전압을 넘지 못하는 것을 관찰할 수 있었다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기의 Rf에 변화를 주며 LED에...2025.01.04
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