총 77개
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서72025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가한다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 파형, 전압, 전류, 이득 등을 분석하고 주파수 특성 그래프를 작성한다. 또한 저항 및 커패시터 값 변화에 따른 주파수 특성의 변화를 확인한다. 1. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 Common Emitter Amplifier는 가장 널리 사용되는 트랜지스터...2025.01.11
-
전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
-
전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 실험회로 1에서 VGG값이 4V, RD는 4kΩ으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 RS, R1,...2025.01.15
-
전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하기 위해 각 단자들의 전압을 측정하고 분석하였다. VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역, VGS>Vth이면서 VDS<VGS-Vth인 경우에는 트라이오드, VGS<Vth이여서 전류가 흐르지 않을 때는 차단 영...2025.01.15
-
전자공학실험 18장 증폭기의 주파수 응답 특성 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과를 통해 증폭기의 대역폭 개념과 이득-대역폭 곱의 관계를 이해할 수 있었습니다. 측정 결과와 예상 결과 간의 차이는 장비 오차와 회로 손실 등으로 인한 것으로 분석되었습니다. 또한 3dB 주파수를 증가시키기 위해서는 전압 이득이 천천히 감소하고 midband 영역이 넓어야 한다는 것을 알 수 있었습니다. 1. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 기본적인 ...2025.01.15
-
전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. 가장 기본적인 전압분배 바이어스 회로는 저항 RB1 또는 R...2025.01.13
-
전자공학실험 8장 공통 베이스 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 적기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 공통 베이스 증폭기의 전압 이득은 g_m R_C로 표현할 수 있으며, 입력 임피던스는 1/g_m으로 구할 수 있다. 공통 베이스 증폭기는 임피던스가 수십 ohm 정도로 매우 작으므로, 전압을 받아들이는 용도보다는 전류를 받아들이는 용도로 많이 사용된다. 2. 공통 베이스 증폭기 회로 분석 실험회로...2025.01.13
-
전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. [그림 10-1]은 가장 기본적인 전...2025.01.13
-
전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 예비보고서2025.01.131. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 소오스 팔로워 회로에서 입력은 게이트 단자에 인가되고, 출력은 소오스 단자에서 감지된다. 드레인 단자가 공통이므로, 공용 드레인 증폭기라고 할 수 있다. 출력 신호가 입력 신호를 따라가기 때문에 소오스 팔로워'라는 용어를 더 많이 사용한다. 또한, 출력 신호의 DC 레벨이 입력 신호의 DC 레벨에서 Vas...2025.01.13
-
전자공학실험 13장 공통 게이트 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 공통 게이트 증폭기의 전압 이득은 소오스 축퇴 저항이 있는 공통 소오스 증폭기와 같고, 위상만 반대이다. 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스는 매우 작으며, 전압을 받아들이는 용도보다는 전류를 받아들이는 용도로 많이 사용된다. 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스를 측정하...2025.01.13
3 / 8
